6、平面型二極管在半導體單晶片（主要地是 N 型硅單晶片）上，擴散 P 型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅單晶片上但選擇性地擴散一部分而形成的 PN 結。因此，不需要為調整 PN 結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。 主要用于穩定電流和電壓，并具有降低電壓輸出的功能。凱軒業電子。天津瞬變抑制二極管的用途

開關電源中常用，快速恢復整流二極管、超快速恢復整流二極管、肖特基整流二極管特點：正向壓降低、快速恢復的特點，輸出功率較大快速恢復和超快恢復整流二極管具有適中的和較高的正向電壓降，壓降范圍大約是0.8～1.2V。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數。主要在小功率的、輸出電壓在12V左右的輔助電源電路中使用。肖特基整流二極管在大的正向電流作用下，正向壓降也很低，有0.4V左右，而且，隨著結溫的增加，其正向壓降更低。使得肖特基整流二極管特別適用于5V左右的低電壓輸出電路中。肖特基整流二極管有兩大缺點：反向截止電壓的承受能力較低，產品大約為100V;反向漏電流較大，使得該器件比其他類型的整流器件更容易受熱擊穿。天津瞬變抑制二極管的用途瞬變抑制二極管，就選深圳市凱軒業科技，讓您滿意，歡迎您的來電哦！

13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區的 N 型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生的。如發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01 微米以下）；簡并半導體 P 型區和 N 型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”表示“峰”；而下標“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。

整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好整流二極管主要用于各種低頻半波整流電路，如需達到全波整流需連成整流橋使用。正向導通狀態：電流只能從二極管的正極流入，負極流出，因為它包含一個PN結，有正極和負極兩個端子整流二極管能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為0.7V）反向截止狀態：在二極管兩端加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。選用整流二極管時，主要應考慮其較大整流電流、較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數常用參數：較大平均整流電流IF：指二極管長期工作時允許通過的較大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱原裝瞬變抑制二極管選深圳凱軒業電子有限公司。

16、阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。17、瞬變電壓抑制二極管TVP 管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。18、雙基極二極管（單結晶體管）兩個基極，一個發射極的三端負阻器件，用于張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點。19、發光二極管用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。線性穩壓電源是比較早使用的一類直流穩壓電源，深圳市凱軒業科技。廣東瞬變抑制二極管

廠家直銷，原裝瞬變抑制二極管就選凱軒業科技。天津瞬變抑制二極管的用途

半導體二極管主要是依靠 PN 結而工作的。與 PN 結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據 PN 結構造面的特點，把晶體二極管分類如下：1、點接觸型二極管點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其 PN 結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。天津瞬變抑制二極管的用途