LD是激光二極管的英文縮寫，激光二極管的物理架構是在發光二極管的結間安置一層具有光活性的半導體，其端面經過拋光后具有部分反射功能，因而形成一光諧振腔。在正向偏置的情況下，LED結發射出光來并與光諧振腔相互作用，從而進一步激勵從結上發射出單波長的光，這種光的物理性質與材料有關。半導體雷射二極管的工作原理，理論上與氣體雷射器相同。激光二極管在電腦上的CD光驅，激光印表機中的列印頭等小功率光電裝置中得到了廣闊的應用。二者在原理、架構、效能上的差別。（1）在工作原理上的差別：LED是利用注入有源區的載流子自發輻射復合發光，而LD是受激輻射復合發光。（2）在架構上的差別：LD有光學諧振腔，使產生的光子在腔內振蕩放大，LED沒有諧振腔。（3）效能上的差別：LED沒有臨界值特徴，光譜密度比LD高幾個數量級，LED匯出光功率小，發散角大。其它類型LD光模塊激光二極管內置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅動電路，輸出光信號。云南多功能激光二極管

FG-LDFG-LD(光纖光柵激光二極管）利用已成熟的封裝技術，將含有FG的光纖與端面鍍有增透膜的F-P腔LD耦合而成可調諧外腔結構的激光器，由LD芯片、空氣間隙、光纖前端的光纖部分組成，光學諧振腔在光柵和LD外端面之間。LD的內端面鍍有增透膜，以減小其F-P模式，FG用來反饋選模,由于其極窄的濾波特性，LD工作波長將控制在光柵的布拉格發射峰帶寬內，通過加壓應變或改變溫度的方法，調諧FG的布拉格波長，就可以得到波長可控制的激光輸出。FG-LD制作組裝相對簡單，性能卻可與DFB-LD相比擬，激射波長由FG的布拉格波長決定，因此可以精控，單模輸出功率可達10mW以上，小于2.5kHz的線寬，較低的相對強度噪聲與較寬的調諧范圍（50nm），在光通信的某些領域有可能替代DFB-LD。已進行用于2.5Gb/sx64路的信號傳輸的實驗，效果很好。遼寧激光二極管直銷這種結構既可作可調諧光器件，也可用于半導體激光器集成，構成可調諧激光器。

由于激光二極管的譜寬是狹窄單一的波長、相位整齊、指向性高的光，因此具備容易控制能量的特征。激光二極管和LED的區別匯總在了下表中：9、應用領域激光二極管由于具有直進性、微小光斑尺寸(數um～)、單色性、高光密度、相干性(coherent)的這些特點，Laser在計算機上的光盤驅動器、激光打印機中的打印頭、條形碼掃描儀、激光測距、激光醫療、光纖通信、舞臺燈光、激光手術、激光切割焊接和激光武器等設備中也得到了廣泛應用。①激光二極管發射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時，嚴禁直接注視其端面，不能透過鏡片直視激光，也不能透過反視鏡觀察激光。②與其他的分立式產品相比，激光二極管的ESD水平非常低，因此如果在正向上加入浪涌，則過量發光，導致端面損壞，激光無法振蕩（如下圖所示）。因此，在電源通斷時，要防止浪涌電流的措施。用示波器測試驅動電路時，要先斷開電源再連接示波器探頭，若在通電情況下測試探頭，可能引用浪涌電流損壞器件。

同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調制器的單芯片光源也在發展中。研制成功的電吸收調制器集成光源，采用有源層與調制器吸收層共用多QW結構。調制器的作用如同一個高速開關，把LD輸出變換成二進制的0和1。在一塊芯片上形成40種不同的折射光柵，波長1530--1590nm的40路調制器集成光源，信道間隔為200GHz。其開發目標是集成100個發射波長的LD陣列，以進行9.5THz超大容量的通信。VCESLVCESL（垂直腔面發射激光）二極管的特點如下：從其頂部發射出圓柱形射束，射束無需進行不對稱矯正或散光矯正，即可調制成用途***的環形光束，易與光纖耦合；轉換效率非常高，功耗*為邊緣發射LD的幾分之一；調制速度快，在1GHz以上；閾值很低,噪聲小；重直腔面很小，易于高密度大規模制作和成管前整片檢測、封裝、組裝，成本低。深圳市凱軒業科技致力于激光二極管生產研發設計，竭誠為您服務。

激光二極管一、激光的產生機理二極管在講激光產生機理之前，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程，一時處于高能態的粒子在外來光的激發下向低能態躍遷，稱之為自發輻射；二是處于高能態的粒子在外來光的激發下向低能態躍遷，稱之為受激輻射；三是處于低能態的粒子吸收外來光的能量向高能態躍遷稱之為受激吸收。自發輻射，即使是兩個同時從某一高能態向低能態躍遷的粒子，它們發出光的相位、偏振狀態、發射方向也可能不同，但受激輻射就不同，當位于高能態的粒子在外來光子的激發下向低能態躍遷，發出在頻率、相位、偏振狀態等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中，發生的輻射就是受激輻射，它發出的激光在頻率、相位、偏振狀態等方面完全一樣。任何的受激發光系統，即有受激輻射，也有受激吸收，只有受激輻射占優勢，才能把外來光放大而發出激光。而一般光源中都是受激吸收占優勢，只有粒子的平衡態被打破，使高能態的粒子數大于低能態的粒子數（這樣情況稱為離子數反轉），才能發出激光。同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調制器的單芯片光源也在發展中。天津激光二極管制造公司

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作為元件材料，使用AlGaAs、InGaAlP、InGaN、ZnO等化合物半導體，由于LSI及Tr、Di等使用的Si躍遷概率（電流轉變為光的概率）較差，因此不適用于激光二極管。性能特點及應用激光二極管充分利用直進性、微小光斑尺寸(數um～)、單色性、高光密度、相干性(coherent)這些特點，被用在各種應用上面。**近，運動傳感器、HDD熱輔助磁性記錄、照明（投影儀、前照燈）上也在使用。以下匯總了按激光二極管的功能分類的用途示例。激光二極管在計算機上的光盤驅動器，激光打印機中的打印頭，條形碼掃描儀，激光測距、激光醫療，光通訊，激光指示等小功率光電設備中得到了***的應用，在舞臺燈光、激光手術、激光焊接和激光武器等大功率設備中也得到了應用。云南多功能激光二極管

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