整板布線，1）所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線，焊盤內部走線寬度必須小于焊盤寬度，BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區域內不能有非地網絡外的走線和過孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網絡過孔存在，非地網絡過孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進行隔離。（9）差分線需嚴格按照工藝計算的差分線寬和線距布線；（10）相鄰信號層推薦正交布線方式，無法正交時，相互錯開布線，（11）PCB LAYOUT中的拓撲結構指的是芯片與芯片之間的連接方式，不同的總線特點不一樣，所采用的拓撲結構也不一樣，多拓撲的互連。晶體電路布局布線要求有哪些？荊州專業PCB設計布線

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統時鐘驅動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發內部計數器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當CS#為高時器件內部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數據掩碼信號。寫數據時，當DQM為高電平時對應的寫入數據無效，DQML與DQMU分別對應于數據信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數據總線信號，讀寫操作時的數據信號通過該總線輸出或輸入。十堰什么是PCB設計廠家ADC和DAC前端電路布線規則。

電氣方面注意事項（1）TVS管、ESD、保險絲等保護器件靠近接口放置；（2）熱敏器件遠離大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分區布局；（4）數字、模擬器件分區布局；（5）電源模塊、模擬電路、時鐘電路、射頻電路、隔離器件布局按器件資料；（6）串聯電阻靠近源端放置；串聯電容靠近末端放置；并聯電阻靠近末端放置；（7）退藕電容靠近芯片的電源管腳；（8）接口電路靠近接口；（9）充分考慮收發芯片距離，以便走線長度滿足要求；（10）器件按原理圖擺一起；（11）二極管、LED等極性與原理圖應保持一致。

疊層方案，疊層方案子流程：設計參數確認→層疊評估→基本工藝、層疊和阻抗信息確認。設計參數確認（1）發《PCBLayout業務資料及要求》給客戶填寫。（2）確認客戶填寫信息完整、正確。板厚與客戶要求一致,注意PCI或PCIE板厚1.6mm等特殊板卡板厚要求;板厚≤1.0mm時公差±0.1mm，板厚＞1.0mm是公差±10%。其他客戶要求無法滿足時，需和工藝、客戶及時溝通確認，需滿足加工工藝要求。層疊評估疊層評估子流程：評估走線層數→評估平面層數→層疊評估。（1）評估走線層數：以設計文件中布線密集的區域為主要參考，評估走線層數，一般為BGA封裝的器件或者排數較多的接插件，以信號管腳為6排的1.0mm的BGA，放在top層，BGA內兩孔間只能走一根信號線為例，少層數的評估可以參考以下幾點：及次信號需換層布線的過孔可以延伸至BGA外（一般在BGA本體外擴5mm的禁布區范圍內），此類過孔要擺成兩孔間穿兩根信號線的方式。次外層以內的兩排可用一個內層出線。再依次內縮的第五，六排則需要兩個內層出線。根據電源和地的分布情況，結合bottom層走線，多可以減少一個內層。結合以上5點，少可用2個內走線層完成出線。京曉科技教您如何設計PCB。

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。什么是模擬電源和數字電源？咸寧專業PCB設計功能

在PCB設計中如何繪制結構特殊區域及拼板？荊州專業PCB設計布線

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數據信號線的拓撲結構，在布局時保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數據信號是雙向的，串聯端接電阻放在中間可以同時兼顧數據讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數據信號DQ是參考選通信號DQS的，數據信號與選通信號是分組的；如8位數據DQ信號+1位數據掩碼DM信號+1位數據選通DQS信號組成一組，如是32位數據信號將分成4組，如是64位數據信號將分成8組，每組里面的所有信號在布局布線時要保持拓撲結構的一致性和長度上匹配，這樣才能保證良好的信號完整性和時序匹配關系，要保證過孔數目相同。數據線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內等長為20Mil，不同組的等長范圍為200Mil，時鐘線和數據線的等長范圍≤1000Mil。3、對于DDR信號，需要注意串擾的影響，布線時拉開與同層相鄰信號的間距，時鐘線與其它線的間距要保證3W線寬，數據線與地址線和控制線的間距要保證3W線寬，數據線內或地址線和控制線內保證2W線寬；如果兩個信號層相鄰，要使相鄰兩層的信號走線正交。荊州專業PCB設計布線

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