在半導體、光學、精密制造等領域,環境控制精度往往決定了技術突破的成敗。極測(南京)技術有限公司作為高精密環境控制領域的創新者,依托深厚的技術積淀,推出了具有變革性意義的毫 K 級高精密環控艙解決方案,為行業發展注入新動能。極測(南京)技術有限公司成立于 2024 年,依托母公司在實驗室專業領域,尤其是暖通及自控技術方面的深厚沉淀,致力于為芯片半導體、光學、精密制造、科研研發等領域提供定制化的高精密環境控制解決方案。公司現已服務多家全球半導體、通信設備、顯示面板前列企業與國家重點實驗室,在眾多科研與生產場景中展現出的高精密環境控制技術實力。 同時,公司擁有自己的工廠,能夠高效地將研發成果轉化為實際產品,為客戶提供高質量的設備和服務。此外,公司還組建了專業的售后服務團隊,確保客戶高精密環境控制設備穩定運行,全方wei提升客戶滿意度。精密測量要求環境高度潔凈,以防止微粒、塵埃和顆粒物影響測量精度。可以使用HEPA過濾器、潔凈工作臺等。0.01精密溫控單元

打造波動 ±0.005℃、潔凈度 ISO Class 3 的精密環境是一項復雜的系統工程。通過明確目標、構建系統、智能監測和完善維護,能夠有效實現這一目標。極測(南京)精密溫控設備為高duan產業和科研活動提供穩定、可靠的環境保障,推動行業不斷向著更高精度、更高質量的方向發展。第一步,確定環境要求標準與目標。根據具體的生產或實驗需求,明確溫度、濕度、潔凈度等各項參數的目標值;以及對此環境所處的外部大環境參數進行確認。第二步,明確高精度環境要求空間大小,并構建環境控制系統。根據所需空間大小搭建外部框架,針對框架空間內的溫度控制,選擇相應精密溫控設備并合理布局,確保溫度在整個空間內均勻分布。第三步,實施智能監測與反饋。精密溫控設備通過部署高精度傳感器實時監測環境中的各項參數,并將數據傳輸至智能控制系統,進行智能調控,使環境恢復穩定。蕞后,建立完善的維護體系。定期對環境控制系統進行維護和保養,包括清潔設備、更換濾芯、校準傳感器等,確保精密溫控設備始終處于良好的運行狀態。
抗微振精密溫控定制專為高精度恒溫恒濕控制設計的PID算法,使實驗室內溫度濕度處于穩定狀態。

極測微環境控制系統運用自主研發的高精密控溫技術,控制輸出精度達 0.1%,設備內部溫度穩定性關鍵區域可達 +/-2mK(靜態),溫度水平均勻性小于 16mK/m。這一精度確保了在立式干涉儀運行時,光學元件與機械結構不受溫度波動干擾,始終維持在蕞佳工作狀態,微環境控制系統為精zhun測量提供穩定基礎。
極測(南京)技術有限公司的精密水冷冷凍水機組憑借毫 K 級控溫精度(±0.001℃)、快速響應能力及高穩定性設計,成為半導體制造中蝕刻與沉積設備、晶圓制造、芯片測試等關鍵環節的標配溫控設備。本文結合半導體工藝對溫度的嚴苛需求,解析該機組如何通過專li技術實現全流程溫度精zhun控制,助力提升芯片良率與生產效率,為半導體行業用戶提供溫控設備選型與應用參考。
在半導體制造向 3nm 甚至更小制程突破的today,精密水冷冷凍水機組已從 “輔助設備” 升級為 “關鍵工藝設備”。極測(南京)技術有限公司的產品憑借毫 K 級控溫、全流程適配及高可靠性,正在助力國內晶圓廠、封測廠及研發機構攻克溫度敏感型工藝難題。對于半導體行業而言,選擇一款能夠精zhun匹配蝕刻、沉積、晶圓生長、芯片測試等全場景需求的溫控設備,不僅是提升良率的關鍵,更是在全球半導體競爭中構建技術壁壘的重要一環。
控溫精度:提供業界前列的 ±0.002℃高精密溫度控制能力,溫度水平均勻性嚴格控制在 <16mK/m 范圍內。

晶圓制造是一項對環境極為敏感的工藝。無論是光刻、刻蝕,還是封裝環節,溫度的細微波動和空氣中的微小顆粒都可能帶來災難性后果,影響芯片的功能或造成短路或斷路,導致整片晶圓報廢。南京拓展科技旗下企業,極測(南京)技術有限公司推出的超精密恒溫潔凈棚,憑借突破性的環境控制技術,為晶圓構建起無可比擬的操作空間,可實現±0.002℃,±0.005℃,±0.05℃,±0.01℃,±0.1℃等不同等級精度的溫度控制,及ISO class1-ISO class6不同等級的潔凈度,相比晶圓操作臺通過被動抵御環境溫度變化,極測精密恒溫潔凈棚通過其在溫度控制和潔凈度管理上的雙重突破,主動調控外部溫度,形成超精密恒溫潔凈間的 “黃金環境”,成為推動半導體產業向更高精度邁進的關鍵力量。此外,晶圓在高溫環境下可能會因為熱膨脹而發生變形,影響成品率。上海精密溫控平臺
極測(南京)技術有限公司依托母公司南京拓展科技有限公司在實驗室專業領域的沉淀不斷壯大。0.01精密溫控單元
極測(南京)關鍵技術市如何適配半導體嚴苛需求的?毫 K 級控溫的技術密碼專li級 PID + 逐級控溫:通過 “超高精度工藝冷卻水系統及其恒溫控制方法” 專li,結合自主研發溫度采集模塊與多級制冷回路設計,實現對蝕刻機腔體溫度的±0.001℃級控制,例如在 EUV 光刻機中,可確保光刻膠曝光時的熱形變小于 1 納米;板式換熱器強化傳熱:微通道結構與不銹鋼材質提升換熱效率 30% 以上,同時避免銅離子污染(半導體行業忌用材質),滿足晶圓制造對水質純凈度的要求。抗干擾與快速響應能力雙壓縮機冗余設計:在晶圓廠 24 小時連續生產中,單壓縮機故障時備用模塊可在快速自動切入,避免因停機導致的工藝中斷;變頻技術動態調溫:通過壓縮機變頻調節制冷量,在芯片測試環節面對多工位負載切換時,溫度恢復時間很大縮短。0.01精密溫控單元