當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時，可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。 [4]發光二極管發光二極管發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。發光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優點，***用于信號指示等電路中。 [4]因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。普陀區質量二極管設計

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流*為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。 [4]寶山區如何二極管報價為了保證使用安全，規定了最高反向工作電壓值。

因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。 [6]N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。 [6]

一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。 [5]發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。

觸發二極管又稱雙向觸發二極管（DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效于基極開路、發射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只NPN晶體管如圖4連接來替代。觸發二極管雙向觸發二極管正、反向伏安特性幾乎完全對稱（見圖5；注意電壓是標量，電流是矢量）。當器件兩端所加電壓U低于正向轉折電壓V（B0）時，器件呈高阻態。當U>V(B0)時，管子擊穿導通進入負阻區。同樣當U小于反向轉折電壓V（BR）時，管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△V（B）表示。二極管具有單向導電性能，導通時電流方向是由陽極通過管子流向陰極。青浦區品牌二極管銷售價格

穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩定電壓的作用。普陀區質量二極管設計

面接觸型二極管的“PN結”面積較大，允許通過較大的電流（幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。面接觸型晶體二極管比較適用于大電流開關。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于開關、脈沖及低頻電路中。1、整流二極管利用二極管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。2、開關元件二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態，如同一只斷開的開關。利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。普陀區質量二極管設計

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