發光二極管的**部分是由P型半導體和N型半導體組成的晶片，在P型半導體和N型半導體之間有一個過渡層，稱為PN結。在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓，少數載流子難以注入，故不發光。當它處于正向工作狀態時（即兩端加上正向電壓），電流從LED陽極流向陰極時，半導體晶體就發出從紫外到紅外不同顏色的光線，光的強弱與電流有關。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。浦東新區進口二極管設計

變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極管有漏電故障或已經擊穿壞。 [8]單色發光二極管在萬用表外部附接一節能1.5V干電池，將萬用表置R×10或R×100擋。這種接法就相當于給予萬用表串接上了1.5V的電壓，使檢測電壓增加至3V(發光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時，用萬用表兩表筆輪換接觸發光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發光，此時，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負極。 [8青浦區品牌二極管銷售價格和普通二極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。

光敏二極管，又叫光電二極管（英語：photodiode ）是一種能夠將光根據使用方式，轉換成電流或者電壓信號的光探測器。管芯常使用一個具有光敏特征的PN結，對光的變化非常敏感，具有單向導電性，而且光強不同的時候會改變電學特性，因此，可以利用光照強弱來改變電路中的電流。光敏二極管也叫光電二極管。光敏二極管與半導體二極管在結構上是類似的,其管芯是一個具有光敏特征的PN結，具有單向導電性，因此工作時需加上反向電壓。無光照時，有很小的飽和反向漏電流，即暗電流，此時光敏二極管截止。當受到光照時,飽和反向漏電流**增加，形成光電流,它隨入射光強度的變化而變化。當光線照射PN結時，可以使PN結中產生電子一空穴對，使少數載流子的密度增加。這些載流子在反向電壓下漂移，使反向電流增加。因此可以利用光照強弱來改變電路中的電流。常見的有2CU、2DU等系列。 [1]

對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏 [4]。正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。 [4]二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 [1]。

觸發二極管又稱雙向觸發二極管（DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發雙向可控硅 ，在電路中作過壓保護等用途。圖1是它的構造示意圖。圖2、圖3分別是它的符號及等效電路，可等效于基極開路、發射極與集電極對稱的NPN型晶體管。因此完全可用二只NPN晶體管如圖4連接來替代。觸發二極管雙向觸發二極管正、反向伏安特性幾乎完全對稱（見圖5；注意電壓是標量，電流是矢量）。當器件兩端所加電壓U低于正向轉折電壓V（B0）時，器件呈高阻態。當U>V(B0)時，管子擊穿導通進入負阻區。同樣當U小于反向轉折電壓V（BR）時，管子同樣能進入負阻區。轉折電壓的對稱性用△V（B）表示。二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。浦東新區進口二極管設計

電壓溫度系數指溫度每升高一攝氏度時的穩定電壓的相對變化量。浦東新區進口二極管設計

高反向耐壓點接觸型二極管是比較大峰值反向電壓和比較大直流反向電壓很高的產品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。高反向電阻點接觸型二極管正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類二極管。浦東新區進口二極管設計

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