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導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過程中捕獲(引入)的，短期內(nèi)無法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時(shí)間不容延期。從測試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對(duì)htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。

可靠性方案設(shè)計(jì)，HTOL測試服務(wù)。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告，上海頂策科技有限公司提供高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL測試方案。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測技術(shù)，大幅度提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報(bào)告更有說服力，下游客戶更放心。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，以及每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。

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閃存HTOL測試方法與流程本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存htol測試方法。背景技術(shù)：閃存(flashmemory)是一種非易失性的存儲(chǔ)器，其具有即使斷電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失而能夠長期保存的特點(diǎn)。故近年來閃存的發(fā)展十分迅速，并且具有高集成度、高存儲(chǔ)速度和高可靠性的閃存存儲(chǔ)器被廣泛應(yīng)用于包括電腦、手機(jī)、服務(wù)器等電子產(chǎn)品及設(shè)備中。在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高溫操作生命期試驗(yàn))用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力。對(duì)于閃存的可靠性而言，在數(shù)萬次的循環(huán)之后的htol是一個(gè)主要指數(shù)。通常而言，閃存產(chǎn)品需要在10000次的循環(huán)之后，通過1000小時(shí)的htol測試。閃存htol實(shí)際測試中存在若干小時(shí)后閃存測試讀點(diǎn)(例如讀“0”)失效，亟需解決閃存htol測試中讀點(diǎn)失效的問題。徐匯區(qū)本地HTOL測試機(jī)