htonl()簡述:將主機的無符號長整形數(shù)轉(zhuǎn)換成網(wǎng)絡字節(jié)順序。#include<arpa/(uint32_thostlong);hostlong:主機字節(jié)順序表達的32位數(shù)。注釋:本函數(shù)將一個32位數(shù)從主機字節(jié)順序轉(zhuǎn)換成網(wǎng)絡字節(jié)順序。返回值:htonl()返回一個網(wǎng)絡字節(jié)順序的值。參見:htons(),ntohl(),ntohs().在Linux系統(tǒng)下:#include<arpa/(uint32_thostlong);相關(guān)函數(shù):uint16_thtons(uint16_thostshort);uint32_tntohl(uint32_tnetlong);uint16_tntohs(uint16_tnetshort);網(wǎng)際協(xié)議在處理這些多字節(jié)整數(shù)時,使用大端字節(jié)序。在主機本身就使用大端字節(jié)序時,這些函數(shù)通常被定義為空宏。————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「gocpplua」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。 TH801智能老化系統(tǒng),全程HTOL數(shù)據(jù)記錄,讓質(zhì)量報告更有說服力,下游客戶更放心。嘉定區(qū)什么是HTOL測試機
進一步的,對所述閃存參考單元進行編譯,包括:在所述源極上施加***編程電壓,在所述漏極上施加第二編程電壓,在所述控制柵上施加第三編程電壓,在所述襯底上施加第四編程電壓;其中,所述***編程電壓小于所述第二編程電壓;所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進一步的,所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓的范圍為~-1v。進一步的,編譯過程中的脈沖寬度為100μs~150μs。進一步的,對所述閃存參考單元進行擦除,包括:將所述源極和漏極均懸空,在所述控制柵上施加***擦除電壓,在所述襯底上施加第二擦除電壓;其中,所述***擦除電壓為負電壓,所述第二擦除電壓為正電壓。進一步的,所述***擦除電壓的范圍為-10v~-8v,所述第二擦除電壓的范圍為8v~10v。進一步的,擦除過程中的脈沖寬度為10ms~20ms。進一步的,對所述閃存參考單元進行編譯和擦除,循環(huán)次數(shù)為10次~20次。進一步的,對所述閃存進行htol測試包括:對所述閃存依次進行***時間點讀點、第二時間點讀點、第三時間點讀點至第n時間點讀點。
江蘇HTOL測試機可靠性事業(yè)部提供模擬,數(shù)字,混合信號,SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設計。
AEC-Q1001.對于非易失性存儲器樣品,在HTOL之前進行預處理:等級0:150℃,1000h等級1:125℃,1000h等級2:105℃,1000h等級3:85℃,1000h2.各等級溫度對應的時間是比較低要求,通過計算或測量獲取HTOL的Tj(結(jié)溫);3.當進行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作溫度時的Tj,那么Tj可以代替Ta(環(huán)境溫度),但是要低于***比較大Tj;4.如果Tj被用來作為HTOL的條件,在Ta和1000h條件下的器件需要使用;(max)需要保證交直流參數(shù)。————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。
可靠性測試整體解決方案:可靠性設備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項可靠性測試方案制定,PCB設計制作,測試試驗,滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號,SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設計,原理圖設計,PCBlayout加工制作,老化程序開發(fā)調(diào)試,可靠性測試試驗,出具可靠性報告等全方面服務。上海頂策科技有限公司,擁有20年以上的豐富測試技術(shù)積累及運營經(jīng)驗,以及多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán),自成立以來已經(jīng)為超過500家半導體公司提供高質(zhì)量,高效率,低成本,一條龍測試解決方案!上海頂策科技提供可靠性測試整體解決方案,包括各類可靠性測試設備,滿足各類芯片的測試需求。
閃存參考單元包括:襯底100,位于所述襯底中的導電溝道、位于所述導電溝道兩側(cè)的源極101和漏極102,位于導電溝道上方的柵極單元,所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結(jié)構(gòu),即為ono結(jié)構(gòu)。具體的,閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖,如圖3所示,對所述閃存參考單元進行編譯,包括:在所述源極101上施加***編程電壓vb1,在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2,在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3,在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4;其中,所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2;所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓vb3的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為~-1v,編譯過程中的脈沖寬度為100μs~150μs。編譯通過熱電子注入的方式對所述浮柵104中注入電子。TH801智能老化系統(tǒng),自有發(fā)明專利智能實時在線監(jiān)測技術(shù)。奉賢區(qū)HTOL測試機電話
上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng),擁有智能動態(tài)在線實時檢測技術(shù),同時一體化結(jié)合ATE與高溫老化爐。嘉定區(qū)什么是HTOL測試機
4.失效判據(jù)標準失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購文件要求,則認為失效。:1.四種標準的失效判據(jù)都根據(jù)相應的標準執(zhí)行。————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。4.失效判據(jù)標準失效判據(jù)備注JESD22-A108F-2017如果器件不符合采購文件要求,則認為失效。:1.四種標準的失效判據(jù)都根據(jù)相應的標準執(zhí)行。————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。 嘉定區(qū)什么是HTOL測試機