自主研發在線實時單顆監測技術的HTOL測試機,上海頂策科技有限公司自主研發TH801智能一體化HTOL測試機,擁有多項發明專利及軟件著作權,可實時發現問題并介入分析,大幅提高HTOL效率。提供可靠性設備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項可靠性測試方案制定,PCB設計制作,測試試驗,滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬,數字,混合信號,SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設計,原理圖設計,PCBlayout加工制作,老化程序開發調試,可靠性測試試驗,出具可靠性報告。上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測試機TH801可以為芯片HTOL測試節省更多時間、FA成本。奉賢區HTOL測試機大概費用
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HTOL的注意要點高溫工作壽命的測試條件主要遵循JESD22-A108進行,除了給器件合適的偏置與負載外,主要包括溫度應力和電壓應力,這兩者都屬于加速因子。合理設置溫度應力和電壓應力,以便在合理的時間和成本下完成壽命評估。對于硅基產品,溫度應力一般設置在結溫>=125℃,GaAs等其它耐高溫材料則可以設置更高的溫度,具體根據加速要求而定。但無論哪種材料,均需要結溫小于材料的極限工作溫度或者熱關斷(thermalshutdown)溫度。HTOL硬件的散熱設計有利于加速因子的提高,這樣可以節省試驗時間。電壓應力一般采用最高工作電壓進行,如果需要提高加速度,則可以采用更高的電壓進行試驗,但是無論電壓應力還是溫度應力都不允許器件處于過電應力的狀態。
閃存參考單元包括:襯底100,位于所述襯底中的導電溝道、位于所述導電溝道兩側的源極101和漏極102,位于導電溝道上方的柵極單元,所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側分布有側墻107。柵間介質層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結構,即為ono結構。具體的,閃存在其生產工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖,如圖3所示,對所述閃存參考單元進行編譯,包括:在所述源極101上施加***編程電壓vb1,在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2,在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3,在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4;其中,所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2;所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為~0v,所述第二編程電壓的范圍為~,所述第三編程電壓vb3的范圍為8v~10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為~-1v,編譯過程中的脈沖寬度為100μs~150μs。編譯通過熱電子注入的方式對所述浮柵104中注入電子。上海頂策科技智能HTOL系統,實時監測并記錄環境溫度,以及每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態等數據。
高效率HTOL自研設備,高質量HTOL品質保障,低成本HTOL測試方案。上海頂策科技有限公司TH801智能一體化老化測試機,自主研發在線實時單顆監測技術,通過監測數據,可以實時發現問題并介入分析,大幅提高HTOL效率,節省更多時間、FA成本,全程數據記錄,讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性;有全程HTOL數據記錄,讓報告更有說服力,下游客戶更放心。可靠性測試事業部提供可靠性測試整體解決方案,包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設備,以及測試方案制定,PCB設計制作,測試試驗,可以滿足各類芯片可靠性測試需求。TH801智能老化系統,實時監測并記錄環境溫度,確保芯片處于正常HTOL狀態,保證HTOL測試質量。靜安區本地HTOL測試機
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上海頂策科技有限公司(Topictest)推出的TH801,智能在線監控動態老化設備,可以監控的參數除了整板的電壓,電流,還可以根據需求,監控到老化中每顆芯片的電壓、電流,寄存器數據,時間,頻率等諸多參數,并實時記錄保存成Excel文檔。這樣不僅可以確保每顆芯片都處于正常的老化狀態,保證老化測試的質量,同時還可以清楚地知道具體失效的參數,以及在什么時間點失效等諸多信息,非常有益于失效后的FA分析。另外由于可以監控更多芯片參數,這使得免除ATE回測成為可能,這將大幅度提高老化測試效率,節省更多人力成本!這項技術目前已在對芯片質量要求較高的芯片設計公司廣泛應用。奉賢區HTOL測試機大概費用
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