在高功率 LED 模組應用中，AuRoFUSE?展現出了獨特的技術優勢。田中貴金屬工業與 S.E.I 公司合作開發的高功率 LED 模組采用了以 "AuRoFUSE?" 為接合材料的面朝下接合結構，能夠直接和金屬基板接合。這一技術突是決了傳統 LED 封裝中的兩個關鍵問題：散熱性和熱膨脹匹配。傳統的面朝下接合結構必須使用價格高昂的氮化鋁基板，而采用 AuRoFUSE?技術后，能夠直接與金屬基板接合，成本不僅較為低廉，還能制造出更小型且高性能的模組。這一成本優勢使得高功率 LED 技術能夠在更廣泛的應用領域得到推廣。燒結金膠獨特的，粒徑分布均勻，用于電子封裝。制備燒結金膠共同合作

在MEMS 氣密封裝應用中，AuRoFUSE?技術具有獨特的優勢。"AuRoFUSE?" 膏材所形成的密封外框，經熱壓（200℃、100MPa）使金粒子燒結體變形后，組織變得更加精密，從而實現高真空氣密封裝，氦氣泄漏率可達 1.0×10^-13 Pa?m3/s。這一極高的密封性能對于需要高真空環境的 MEMS 器件至關重要。產品在 MEMS 應用中的另一個重要優勢是其圖案形成能力。2013 年 12 月起，田中貴金屬工業開始提供使用次微米級金粒子膏材 "AuRoFUSE?"，通過高精密網版印刷法在基板上一次印刷即可形成微細復合圖案的技術。這一技術使得復雜的 MEMS 結構能夠通過簡單的印刷工藝實現，很好降低了制造成本和工藝復雜度。制備燒結金膠共同合作可靠的燒結金膠，操作簡便，增強耐腐蝕性。

在 LED 封裝領域，AuRoFUSE?技術成功解決了高功率 LED 的散熱和熱膨脹匹配問題，使得 LED 模組能夠直接與低成本的金屬基板接合，大幅降低了系統成本；在功率器件領域，產品的高溫穩定性（可達 300℃以上）使其成為 SiC、GaN 等第三代半導體器件的理想封裝材料；在傳感器和 MEMS 領域，產品的高真空密封性能（氦氣泄漏率達 1.0×10^-13 Pa?m3/s）和精密圖案形成能力為品牌傳感器制造提供了關鍵技術支撐。在 LED 封裝領域，AuRoFUSE?技術成功解決了高功率 LED 的散熱和熱膨脹匹配問題，使得 LED 模組能夠直接與低成本的金屬基板接合，大幅降低了系統成本；在功率器件領域，產品的高溫穩定性（可達 300℃以上）使其成為 SiC、GaN 等第三代半導體器件的理想封裝材料；在傳感器和 MEMS 領域，產品的高真空密封性能（氦氣泄漏率達 1.0×10^-13 Pa?m3/s）和精密圖案形成能力為品牌傳感器制造提供了關鍵技術支撐。

TANAKA燒結金膠在工藝技術層面展現出了重要的創新優勢，這些優勢直接轉化為客戶在生產效率和成本控制方面的實際收益。產品的工藝兼容性極強，可以在大氣或氣體環境中進行鍵合，鍵合后無需清洗。這一特性大幅簡化了工藝流程，降低了生產成本。在熱壓工藝方面，產品表現出了優異的可控性。以AuRoFUSE?預制件為例，在200℃、20MPa、10秒的熱壓條件下，雖然在壓縮方向上顯示出約10%的收縮率，但在水平方向上較少變形，可用作接合強度足以承受實際應用的Au凸塊。這種可控的變形特性確保了鍵合的精度和可靠性。微聯燒結金膠創新的，提高生物相容性，無鹵素配方。

在熱學性能方面，產品表現尤為突出。標準膏材的熱導率大于 150W/m?K，預制件的熱導率更是高達 200W/m?K。這種優異的熱導率特性使得 AuRoFUSE?在需要高效散熱的功率器件和 LED 應用中具有不可替代的優勢。在機械性能方面，產品展現出了良好的柔韌性和強度平衡。標準膏材的楊氏模量為 9.5GPa，剪切強度為 30MPa；預制件的楊氏模量為 57GPa，剪切強度大于 30MPa。這種適中的機械性能既保證了良好的應力緩沖能力，又確保了足夠的連接強度。產品的化學穩定性是其長期可靠性的重要保障。由于主要成分是具有高度化學穩定性的金，AuRoFUSE?預制件在貼裝后也具有較好的可靠性。燒結金膠高效的，應用于 LED 封裝，無鹵素配方。制備燒結金膠共同合作

燒結金膠獨特的，應用于 LED 封裝，提高生物相容性。制備燒結金膠共同合作

2013年12月起，田中貴金屬工業開始提供使用次微米級金粒子膏材"AuRoFUSE?"，通過高精密網版印刷法在基板上一次印刷即可形成微細復合圖案的技術。這一技術使得復雜的MEMS結構能夠通過簡單的印刷工藝實現，很好降低了制造成本和工藝復雜度。在MEMS代工制造領域，AuRoFUSE?技術也發揮著重要作用。田中貴金屬工業與MEMSCORE公司簽訂共同研發協議，針對次微米大小金粒子MEMS裝置的圖案形成技術展開技術合作，建立了從MEMS零件的試作到安裝的代工制造廠能力。這種合作模式為MEMS廠商提供了從材料研發到設備組裝的一站式解決方案。765制備燒結金膠共同合作