在 LED 封裝領域，AuRoFUSE?技術成功解決了高功率 LED 的散熱和熱膨脹匹配問題，使得 LED 模組能夠直接與低成本的金屬基板接合，大幅降低了系統成本；在功率器件領域，產品的高溫穩定性（可達 300℃以上）使其成為 SiC、GaN 等第三代半導體器件的理想封裝材料；在傳感器和 MEMS 領域，產品的高真空密封性能（氦氣泄漏率達 1.0×10^-13 Pa?m3/s）和精密圖案形成能力為品牌傳感器制造提供了關鍵技術支撐。在 LED 封裝領域，AuRoFUSE?技術成功解決了高功率 LED 的散熱和熱膨脹匹配問題，使得 LED 模組能夠直接與低成本的金屬基板接合，大幅降低了系統成本；在功率器件領域，產品的高溫穩定性（可達 300℃以上）使其成為 SiC、GaN 等第三代半導體器件的理想封裝材料；在傳感器和 MEMS 領域，產品的高真空密封性能（氦氣泄漏率達 1.0×10^-13 Pa?m3/s）和精密圖案形成能力為品牌傳感器制造提供了關鍵技術支撐。燒結金膠可靠的，增強耐腐蝕性，有雙重燒結模式。了解燒結金膠功能

在熱壓工藝方面，產品表現出了優異的可控性。以 AuRoFUSE?預制件為例，在 200℃、20MPa、10 秒的熱壓條件下，雖然在壓縮方向上顯示出約 10% 的收縮率，但在水平方向上較少變形，可用作接合強度足以承受實際應用的 Au 凸塊。這種可控的變形特性確保了鍵合的精度和可靠性。產品的環保特性在工藝技術層面也得到了充分體現。AuRoFUSE?是無鹵素的金膏材，這一特性不僅符合日益嚴格的環保法規要求，也為客戶提供了更安全、更清潔的生產環境。工藝技術的另一個重要優勢是其操作簡便性。安裝元件（金電極）后，在無按壓的情況下升溫（0.5℃/ 秒）至 200℃，20 分鐘即可完成接合。這種簡單的操作流程降低了對操作人員技能水平的要求，提高了生產效率。新型燒結金膠電子燒結金膠先進的，用于 MEMS 氣密封裝，優化光學性能。

TANAKA 燒結金膠在關鍵性能參數方面大方面優勢，這些優異的性能參數直接決定了產品在各種應用場景中的表現。在電學性能方面，產品具有極低的電阻率，標準膏材的電阻率為 5.4μΩ?cm，預制件的電阻率更是低至 4.5μΩ?cm。這種低電阻率特性確保了優異的導電性能，減少了電能損耗。在熱學性能方面，產品表現尤為突出。標準膏材的熱導率大于 150W/m?K，預制件的熱導率更是高達 200W/m?K。這種優異的熱導率特性使得 AuRoFUSE?在需要高效散熱的功率器件和 LED 應用中具有不可替代的優勢。

在第三代半導體器件應用中，AuRoFUSE?技術具有不可替代的優勢。使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）的次世代功率半導體，操作溫度有超過 300℃的情形。如果使用金 - 錫類焊料接合，材料將會熔融，但使用 "AuRoFUSE?" 接合，即使在 300℃高溫下也能保持穩定的接合性能。這一高溫穩定性特性使得 AuRoFUSE?成為 SiC 和 GaN 功率器件封裝的理想選擇。隨著新能源汽車、5G 基站、工業自動化等領域對高效率功率器件需求的快速增長，能夠在高溫下穩定工作的封裝材料變得越來越重要。燒結金膠低溫的，在汽車電子中應用，提升導電性。

傳統的面朝下接合結構必須使用價格高昂的氮化鋁基板，而采用AuRoFUSE?技術后，能夠直接與金屬基板接合，成本不僅較為低廉，還能制造出更小型且高性能的模組。這一成本優勢使得高功率LED技術能夠在更廣泛的應用領域得到推廣。在特殊環境LED照明應用中，AuRoFUSE?技術展現出了優異的適應性。開發出的LED模組可適應過度的溫度高低變化，因此可用于預計今后進出口時需求漸增的冷凍倉庫用照明。此外，小型模組還可應用于車用照明的制造，以提升車輛的設計性等，甚至能夠解決過去成本高昂、開發困難的各種問題。天先進的燒結金膠，確保穩定性，應用于 LED 封裝。某種燒結金膠合成技術

燒結金膠先進的，無壓可燒結，用于電子封裝。了解燒結金膠功能

在粒徑控制方面，產品采用亞微米級（次微米）金粒子，通過精確的粒徑控制技術實現了均勻的粒徑分布。這種亞微米級的粒徑設計不僅賦予了材料優異的低溫燒結特性，還確保了燒結后形成的金層具有良好的致密性和均勻性。材料的燒結機理體現了 TANAKA 在納米材料科學領域的技術深度。當 AuRoFUSE?被加熱至 200℃時，溶劑會先蒸發，即便不施壓，Au 粒子也可實現燒結結合，獲得約 30MPa 的充分接合強度。這種無壓燒結特性不僅簡化了工藝要求，還降低了對設備的要求。更重要的是，產品具有優異的高溫穩定性，可在 1064℃的高溫下保持穩定性能。這一特性使得 AuRoFUSE?特別適合在高溫環境下工作的功率器件和傳感器應用。。。了解燒結金膠功能