·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時, 可控硅承受斷態重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規定的IDRM 和 IRRM。 [1]·通態(峰值)電壓 VT M 的選擇: 它是可控硅通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流: IH 是維持可控硅保持通態所必需的**小主電流,它與結溫有關,結溫越高, 則 IH 越小。 [...
可控硅導通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導通狀態。另外,可控硅一旦導通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導通。 可控硅關斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓,使陽極電流小于**小維持電流以下。單向可控硅為具有三個 PN 結的四層結構,由**外層的 P 層、N 層引出兩個電極――陽 極 A 和陰極 K,由中間的 P 層引出控制極 G。電路符號好像為一只二極管,但好多一個引 出電極――控制極或觸發極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。在自動控制系統中,可作為大功率驅動器件,實現用小...
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。這種裝置的優點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關使用。吳中區質量可控硅模塊工廠直銷可控硅從外形上分類主要有:...
大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導體材料組成的,有三個PN結,對外有三個電極〔圖2(P型半導體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,因為它的特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T,又因為晶閘管**初的在靜止整流方面,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。常熟質量可控硅模塊廠家現貨·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此...
這個實驗告訴我們,要使晶閘管導通,一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通后,松開按鈕開關,去掉觸發電壓,仍然維持導通狀態。晶閘管特點“一觸即發”。但是,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通,卻不能使它關斷。那么,用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷,可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小于維持導通的最小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,那么,在電壓過零時,晶閘管會自行關斷。過零觸發-一般是調功,即當...
一個有趣的趨勢是將標準模塊升級為ipm。可直接或使用帶驅動電路(通過彈簧連接)的適配器板來進行升級。賽米控的skypertm驅動器是這方面理想的產品。 2、集成子系統 所有這些ipm的共同點是真實的“智能”,即將設定點值轉換成驅動脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉換器用集成子系統的**制造商。skaitm模塊也是ipm,其特點是集成了dsp控制器,除脈寬調制外,還可進行其它通信任務。這些子系統也包含集成直流環節電容器,一個輔助電源,精密電流傳感器和一個液體冷卻器。。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。虎丘區質量可控硅模塊私人定做雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普...
BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大,直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程,對可控硅來說,觸發信號加入控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后,由于循環反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠大于Ib1,足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失,可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時,可控硅方可關斷。當然,如果Ea極性反接,BG1、B...
雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2, 一個門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通,所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發脈沖都能使管子觸發導通,因此有四種觸發方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅,需定量掌握其主要參數,對雙向可控硅進行適當選用并采取相應措施以達到各參數的要求。 [1]·耐壓級別的選擇: 通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和 VR R M(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。 選用時,額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為允...
可控硅(SCR是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點,被***用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號作用下由關斷變為導通,但一旦導通,外部信號就無法使其關斷,只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比,單向可控硅正向導通受控制極電流控制;與具有兩個PN結的三極管相比,差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。可控硅的優點很多,例如:以小功率控制大功率...
二者比較單向可控硅和雙向可控硅,都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關連,其引出端稱T1極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G)。單、雙向可控硅的判別先任測兩個極,若正、反測指針均不動(R×1擋),可能是A、K或G、A極(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅)。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1...
雙 向:Bi-directional(取***個字母)三 端:Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,也是對雙向可控硅產品的型號命名,典型的生產商如:意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,均以此來命名雙向可控硅。**型號如:PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅;Philips公司的產品型號前綴為“BTA”字頭的,通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與...
1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環境中,如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,并有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋,則也會被觸發導通。應用安裝時,首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時,可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度,也可以再并聯一個100nf的電容,來濾掉高頻噪聲。2、關于轉換電壓變化率當驅動一個大的電感性負載時,在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時,雙向可控硅(晶閘管)開始換向,但由于相移的關系,電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,就沒有足夠的時...
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結(J1、J2、J3),從J1結構的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導體器件。結構原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制,以小電流控制大電流,具有無火花、動作...
一個有趣的趨勢是將標準模塊升級為ipm。可直接或使用帶驅動電路(通過彈簧連接)的適配器板來進行升級。賽米控的skypertm驅動器是這方面理想的產品。 2、集成子系統 所有這些ipm的共同點是真實的“智能”,即將設定點值轉換成驅動脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉換器用集成子系統的**制造商。skaitm模塊也是ipm,其特點是集成了dsp控制器,除脈寬調制外,還可進行其它通信任務。這些子系統也包含集成直流環節電容器,一個輔助電源,精密電流傳感器和一個液體冷卻器。。它只有導通和關斷兩種狀態。常熟應用可控硅模塊品牌若欲使可控硅關斷,也有兩個關斷條件:1) 使正向導通電流...
(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅。(七)非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅,常見的是移相觸發,即通過改變正弦交流電的導通角(角相位),來改變輸出百分比。按一機部IBI144一75的規定,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標注:過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅。常熟本地可控硅模塊銷售廠家4、 觸發電壓VGT 在規定的...
4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅,可以用正觸發信號使其導通,用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控硅有多種分類方法。(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。在自動控制系...
測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通) [1]。控制極與陰極之間是一個P-N結,因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態的,可以有比較大的電流通過,因此,有時測得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測量控制極正反向電阻時,萬用表應放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制...
1、智能功率模塊(ipms) 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外,還有驅動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監測功能,如過電流和短路保護,驅動器電源電壓控制和直流母線電壓測量等。 然而,大部分智能功率模塊沒有對功率側的信號輸入進行電氣隔離。只有極少數的ipm包含了一個集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進行隔離。 鑒別可控硅三個極的方法很簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。蘇州智能可控硅模塊推薦廠家PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1...
四種觸發方式可控硅四種觸發方式可控硅四種觸發方式由于在雙向可控硅的主電極上,無論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發信號是正向還是反向,它都能被觸發導通,因此它有以下四種觸發方式:(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,控制極G對***電極Tl所加的也是正向觸發信號(圖5a)。雙向可控硅觸發導通后,電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知,這時雙向可控硅觸發導通規律是按***象限的特性進行的,又因為觸發信號是正向的,所以把這種觸發叫做“***象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。 [可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。昆山本地可控硅模塊品...
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。蘇州加工可控硅模塊廠家現貨BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送...
(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅。(七)非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅,常見的是移相觸發,即通過改變正弦交流電的導通角(角相位),來改變輸出百分比。按一機部IBI144一75的規定,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標注:大;塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。相城區應用可控硅模塊銷售廠家這時,即使輸入觸發信號,可控硅也不能工作。反過來...
一個有趣的趨勢是將標準模塊升級為ipm。可直接或使用帶驅動電路(通過彈簧連接)的適配器板來進行升級。賽米控的skypertm驅動器是這方面理想的產品。 2、集成子系統 所有這些ipm的共同點是真實的“智能”,即將設定點值轉換成驅動脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉換器用集成子系統的**制造商。skaitm模塊也是ipm,其特點是集成了dsp控制器,除脈寬調制外,還可進行其它通信任務。這些子系統也包含集成直流環節電容器,一個輔助電源,精密電流傳感器和一個液體冷卻器。。如果不加觸發信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了。江蘇應用可控...
雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2, 一個門極G, 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通,所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發脈沖都能使管子觸發導通,因此有四種觸發方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅,需定量掌握其主要參數,對雙向可控硅進行適當選用并采取相應措施以達到各參數的要求。 [1]·耐壓級別的選擇: 通常把VDRM(斷態重復峰值電壓)和 VR R M(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。 選用時,額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為允...
觸發電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右,觸發電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發 電壓不宜超過10V,峰值觸發電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅,是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構造是對稱的(都從N層引出),所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極,而是把與控制極相近的叫做***電極T1,另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向導...
雙 向:Bi-directional(取***個字母)三 端:Triode(取***個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,也是對雙向可控硅產品的型號命名,典型的生產商如:意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,均以此來命名雙向可控硅。**型號如:PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅;Philips公司的產品型號前綴為“BTA”字頭的,通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與...
(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅。(七)非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅,常見的是移相觸發,即通過改變正弦交流電的導通角(角相位),來改變輸出百分比。按一機部IBI144一75的規定,普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標注:可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。吳中區新型可控硅模塊推薦廠家通常,小規模的ipm的特點在于其引...
單向可控硅和雙向可控硅,都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G)。?1、單、雙向可控硅的判別:先任測兩個極,若正、反測指針均不動(R×1擋),可能是A、K或G、A極(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅)。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1...
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流...
一個有趣的趨勢是將標準模塊升級為ipm。可直接或使用帶驅動電路(通過彈簧連接)的適配器板來進行升級。賽米控的skypertm驅動器是這方面理想的產品。 2、集成子系統 所有這些ipm的共同點是真實的“智能”,即將設定點值轉換成驅動脈沖序列的控制器不包含在模塊中。賽米控是250kw以下轉換器用集成子系統的**制造商。skaitm模塊也是ipm,其特點是集成了dsp控制器,除脈寬調制外,還可進行其它通信任務。這些子系統也包含集成直流環節電容器,一個輔助電源,精密電流傳感器和一個液體冷卻器。。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了應用。高新區好的可控硅模塊廠家現貨可控硅(Silico...
為了克服上述問題,可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網絡來限制電壓的變化,以防止誤觸發。一般,電阻取100R,電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關于轉換電流變化率當負載電流增大,電源頻率的增高或電源為非正弦波時,會使轉換電流變化率變高,這種情況**易在感性負載的情況下發生,很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯一只幾毫亨的空氣電感。4、關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止狀態的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,內部電容的電流會產生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。控制極觸發電流(IGT),俗稱觸發電流。常用可控...