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IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、UPS、開(kāi)關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車等。問(wèn)世迄今有十年多歷史，幾乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié)，有正極和負(fù)極兩個(gè)端子。二極管**重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分校娏髦荒軓亩O管的正極流入，負(fù)極流出。整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過(guò)VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來(lái)減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...

此外，在冶金、石油化工、新能源等行業(yè)，晶閘管模塊同樣發(fā)揮著重要作用。在冶金過(guò)程中，晶閘管模塊作為電力調(diào)整器的主要組成部分，能夠精確控制電能，提高冶煉過(guò)程的自動(dòng)化水平和能源利用效率。在石油化工行業(yè)中，晶閘管模塊被用于加熱爐、裂解爐等電熱設(shè)備的溫度控制系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)...

脈沖數(shù)越多，整流器的輸入電流及輸出電壓特性越好，但是整流器的系統(tǒng)越復(fù)雜。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和自耦式多脈沖變壓整流器。傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器采用隔離變壓器實(shí)現(xiàn)輸入電壓和輸出電壓的隔離，但整流變壓器的等效容量大，體積龐大。自耦變壓整流...

但是，它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外，另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號(hào)也和普通可控硅不同，是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號(hào)，在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示；國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)...

其特點(diǎn)是：超前橋臂實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)通，原理不變；滯后橋臂實(shí)現(xiàn)零電流關(guān)斷，開(kāi)關(guān)管兩端不再并聯(lián)電容，以避免開(kāi)通時(shí)電容釋放的能量加大開(kāi)通損耗。在此對(duì)移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡(jiǎn)要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無(wú)論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是...

電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層...

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。 因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1. 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子...

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。 因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1. 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子...

通常，小規(guī)模的ipm的特點(diǎn)在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)ic的載體。通過(guò)一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次。功率半導(dǎo)體在底部，驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽...

觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過(guò)10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過(guò) 2A。A、K 間導(dǎo)通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙...

門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來(lái)表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用...

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，...

TCR的響應(yīng)迅速，典型的響應(yīng)時(shí)間為1．5～3個(gè)周期。實(shí)際的響應(yīng)時(shí)間是測(cè)量延遲、TCR控制器的參數(shù)和系統(tǒng)強(qiáng)度的函數(shù)。如果對(duì)TCR采用電壓控制的正常運(yùn)行區(qū)域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現(xiàn)了補(bǔ)償器的硬電壓控制特性，它將系統(tǒng)電壓精確地穩(wěn)定在電壓設(shè)定值%上。...

移相方法移相方法就是二次側(cè)采用星、角聯(lián)結(jié)的兩個(gè)繞組，可以使整流電爐的脈波數(shù)提高一倍。10kv干式整流變壓器對(duì)于大功率整流設(shè)備，需要脈波數(shù)也較多，脈波數(shù)為18、24、36等應(yīng)用的日益增多，這就必須在整流變壓器一次側(cè)設(shè)置移相繞組來(lái)進(jìn)行移相。移相繞組與主繞組聯(lián)結(jié)方式...

(3) 在跨越檔相鄰兩側(cè)桿塔上的放線滑車均應(yīng)采取接地保護(hù)措施。在跨越施工前，所有接地裝置必須安裝完畢且與鐵塔可靠連接。(4) 跨越不停電線路架線施工應(yīng)在良好天氣下進(jìn)行，遇雷電、雨、雪、霜、霧，相對(duì)濕度大于85%或5級(jí)以上大風(fēng)時(shí)，應(yīng)停止作業(yè)。如施工中遇到上述情況...

可控整流：與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓：通過(guò)控制晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)：在電路中起到可控電子開(kāi)關(guān)的作用，控制電路的接通和斷開(kāi)。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)在晶閘管的...

冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [...

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來(lái)表示它的額定電流值。由于可控硅的過(guò)載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。 同時(shí)， 可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VD R M 和反向重復(fù)峰值電...

右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器，變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的兩組三相電壓，兩組三相電壓（Va''，Vb''，Vc''）與(Va'，Vb'，Vc')分別超前與滯后于輸入三相電壓15°，兩組三相電壓輸出分別連接到整流橋1和整流橋2，整流橋輸出通過(guò)平衡電抗器并聯(lián)...

結(jié)構(gòu)特點(diǎn)（1）鐵芯：采用30Q130高導(dǎo)磁硅鋼片，同時(shí)采用選進(jìn)的3～6級(jí)step-lap core stacking步進(jìn)多級(jí)疊片方式，有較降低了空載損耗、空載電流和噪聲。（2）繞組：電磁線采用了高導(dǎo)電率的無(wú)氧銅導(dǎo)線，繞組采用園筒式、雙餅式和新型螺旋式等結(jié)構(gòu)的整...

（2）最高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模瑥亩鸱聪驌舸ＭǔＨ》聪驌舸╇妷?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100...

光控晶閘管：通過(guò)光照度觸發(fā)導(dǎo)通，具有很強(qiáng)的抗干擾能力和良好的高壓絕緣性能。特點(diǎn)：體積小、效率高、壽命長(zhǎng)。能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備。反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷。無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音。但靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差，容易受干擾而誤導(dǎo)通。三、主要參數(shù)...

其特點(diǎn)是：超前橋臂實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)通，原理不變；滯后橋臂實(shí)現(xiàn)零電流關(guān)斷，開(kāi)關(guān)管兩端不再并聯(lián)電容，以避免開(kāi)通時(shí)電容釋放的能量加大開(kāi)通損耗。在此對(duì)移相全橋 ZVZCS PWM 變換器的基本原理做一簡(jiǎn)要介紹。 [5]圖4 工作波形基本移相全橋 ZVZCS 電路及主要工作...

電樞反向接線動(dòng)作速度快，但需多用一組大容量的晶閘管整流器;磁場(chǎng)反向接線由于磁慣性動(dòng)作速度緩慢，但可省用一組大容量晶閘管整流器，增加的只不過(guò)是一組小容量的晶閘管整流器。盡管電樞反向接線動(dòng)作迅速，但對(duì)于提升機(jī)來(lái)說(shuō)是不必要的，動(dòng)作過(guò)快反而對(duì)電動(dòng)機(jī)的換向造成困難及對(duì)機(jī)...

鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)所達(dá)到的溫度，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的，尾流特性與VCE、IC和 TC有關(guān)。柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí)，MOSFET...