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igbt芯片的邊緣還設置有終端保護區域，其中，終端保護區域包括在n型耐壓漂移層上設置的多個p+場限環或p型擴散區；從而通過多個p+場限環或p型擴散區對igbt芯片進行耐壓保護，在實際應用中，由于p+場限環或p型擴散區的數量與igbt芯片的電壓等級有關，因此，關于p+場限環或p型擴散區的數量，本發明實施例對此不作限制說明。具體地，圖7示出了一種igbt芯片的表面結構圖，如圖7所示，一發射極單元金屬2為一發射極單元101在一表面中的設置位置，空穴收集區電極金屬3為電流檢測區域20的電極空穴收集區在一表面中的設置位置。當改變電流檢測區域20的形狀時，如指狀或者梳妝時，igbt芯片的表面結構如...

將功率模塊支架3、功率模塊4一起以散熱體6上的定位柱裝配到導熱墊5上；再將pcb板2以功率模塊支架3上的定位柱裝配到功率模塊支架3上，功率模塊支架3的定位柱和散熱體6的定位柱為同軸，此時pcb板2和功率模塊4之間就形成了定位關系；后裝配螺釘，將功率模塊支架3、功率模塊4、導熱墊5一起固定在散熱體6上，在將功率模塊4的引腳焊接在pcb板2上，至此整個系統裝配完成。與現有技術相比，本實施例的一種功率模塊支架及其功率模塊機構，將多個該功率模塊集成到一起，進行統一安裝和定位，實現模塊裝配的集成化，節省生產成本、提高了生產效率。上述以實施例來進一步說明本實用新型的技術內容，以便于讀者更容易理解，...

具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參閱圖1-3，一種igbt功率模塊的安裝機構，包括底座1，底座1內部的兩側均開設有容納槽2，容納槽2的內壁固定連接有一軸承3，一軸承3的內部固定連接有蝸桿4，蝸桿4的外端貫穿至底座1的外部固定連接有轉盤5，轉盤5外側的底部固定連接有把手18，把手18與轉盤5配合使用，通過設置把手18，能夠便于使用者通...

滑環12的底部固定連接有與傳動桿10配合使用的移動框13，移動框13位于圓盤9的前側，傳動桿10的前端延伸至移動框13的內部，傳動桿10的表面與移動框13的內壁接觸，移動框13的底部固定連接有導向桿19，容納槽2內壁的底部開設有導向槽20，導向桿19與導向槽20滑動連接，通過設置導向桿19和導向槽20，能夠增加移動框13移動的穩定性，防止移動框13移動時傾斜，滑環12的頂部固定連接有移動板14，移動板14的頂部貫穿至底座1的外部，移動板14內側的頂部固定連接有卡桿15，底座1的頂部設置有igbt功率模塊本體16，igbt功率模塊本體16底部的兩側均固定連接有橡膠墊21，橡膠墊21的底部...

對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明實施例提供的一種igbt器件的結構圖；圖2為本發明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖；圖3為本發明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖；圖5為本發明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖；圖6為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖；圖7為本發明實施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖8為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖9為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖10...

該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上成分為銀，孔隙率小于25％，且厚度為1～15μm。藉此，本發明具有下列功效：1.本發明使用的熱接口材料將不會產生任何介金屬化合物，故不會因制程(環境)溫度而脆化，且在高溫下(＜800℃)相當穩定。2.本發明使用的熱接口材料在完成熱處理后含少量有機物(＜1％)，且99％以上為純銀，故長時間使用下將無有機揮發物(volatileorganiccompounds,voc)產生。3.本發明所使用的熱接口材料為純銀，以高純度銀做異質界面接合用材料，其導熱系數為錫銀銅合金(無鉛焊錫)的兩倍以上，如表1所示。表1本發明與現有錫銀銅合金焊料的比較錫銀銅焊料...

廣泛應用在斬波或逆變電路中，如軌道交通、電動汽車、風力和光伏發電等電力系統以及家電領域。此外，半導體功率模塊主要包括igbt器件和fwd，在實際應用中，為了保證半導體功率模塊能夠保證安全、可靠的工作，通常在半導體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以及溫度傳感器，以對半導體功率模塊中的器件進行過電流和溫度的實時監控，方便電路進行保護。現有技術中主要通過在igbt器件芯片內集成電流傳感器，并利用鏡像電流檢測原理實現電流的實時監控，例如，對于圖2中的電流敏感器件，在igbt器件芯片有源區內按照一定面積比如1:1000，隔離開1/1000的源區金屬電極作為電流檢測的電流傳感器1，該電流傳感器1...

采用本實用新型ipm模塊短路檢測電路和現有退飽和檢測電路對ipm模塊進行短路檢測，結果如圖3所示，圖3中，縱軸vce為ipm模塊集電極與發射極之間的電壓，橫軸為時間，該圖中上面的虛線表示ipm模塊發生短路故障后，其集電極與發射極之間電壓隨時間的變化趨勢；中間實線表示ipm模塊正常工作時，即沒有發生短路時，其其集電極與發射極之間電壓隨時間的變化趨勢；底部虛線表示現有退飽和檢測電路設置的閾值電壓vref隨時間的變化趨勢；在ipm模塊發生短路時，本實用新型ipm模塊短路檢測電路測試出短路故障所需時間為t1，現有退飽和檢測電路測試出短路故障所需時間為t2，從圖3中可看出，t2≈2t1，表明本實...

且便于連接微處理器.驅動信號一般由光耦電路產生。驅動電路主要是使控制輸入信號通過光電耦合器傳送，設計時可選擇HcPI一1505、HC-PL_4506、TLP一759、TLP559等型號的光電耦合器，并使光耦與IPM控制端子間的布線短，布線阻抗小。以上推薦型號的光電耦合器均為發光二極管驅動方式，dv/dt的耐量小，故采用光耦陰極接限流電阻的驅動電路形式，完整的驅動電路如圖2所示。圖2驅動電路，其結構為交-直-交電壓型變頻器，通過PWM信號控制IGBT的導通，得到頻率可變的交流輸出，則可實現交流電機的無極調速。圖3中，驅動單元共7組，上橋臂用3組，下橋臂用3組，制動用1組;控制電源共4組，...

本實用新型的有益效果如下：1、本實用新型通過設置底座、容納槽、一軸承、蝸桿、轉盤、第二軸承、轉軸、蝸輪、圓盤、傳動桿、滑桿、滑環、移動框、移動板、卡桿、igbt功率模塊本體和卡槽的配合使用，解決了現有igbt功率模塊的安裝機構操作時繁瑣，不方便使用者安裝igbt功率模塊的問題，該igbt功率模塊的安裝機構，具備方便安裝的優點，節省了使用者大量的時間，提高了igbt功率模塊安裝的效率。2、本實用新型通過設置把手，能夠便于使用者通過把手轉動轉盤，提高了把手的實用性，通過設置滑桿和滑環，能夠增加滑環滑動的穩定性，通過設置導向桿和導向槽，能夠增加移動框移動的穩定性，防止移動框移動時傾斜，通過設...

該igbt芯片上設置有：工作區域、電流檢測區域和接地區域；其中，igbt芯片還包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相對設置；一表面上設置有工作區域和電流檢測區域的公共柵極單元，以及，工作區域的一發射極單元、電流檢測區域的第二發射極單元和第三發射極單元，其中，第三發射極單元與一發射極單元連接，公共柵極單元與一發射極單元和第二發射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設有工作區域和電流檢測區域的公共集電極單元；接地區域設置于一發射極單元內的任意位置處；電流檢測區域和接地區域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產生電壓，并根據電壓檢測工作區域的工作電流。第二方面，本發明實施例還提...

空穴收集區8可以處于與一發射極單元金屬2隔離的任何位置，特別的，在終端保護區域的p+場限環也可以成為空穴收集區8，本發明實施例對此不作限制說明。因此，本發明實施例提供的igbt芯片在電流檢測過程中，通過檢測電阻上產生的電壓，得到工作區域的電流大小。但是，在實際檢測過程中，檢測電阻上的電壓同時抬高了電流檢測區域的mos溝槽溝道對地電位，即相當降低了電流檢測區域的柵極電壓，從而使電流檢測區域的mos的溝道電阻增加。當電流檢測區域的電流越大時，電流檢測區域的mos的溝道電阻就越大，從而使檢測電壓在工作區域的電流越大，導致電流檢測區域的電流與工作區域電流的比例關系偏離增大，產生大電流下的信號失...

多個直流母線電容一側設置在鈑金固定板上。所述的疊層母排包括正疊層銅排13和負疊層銅排14，正疊層銅排和負疊層銅排之間設置有第二絕緣層15。所述的直流母線電容組件另一側面與疊層母排的正疊層銅排并聯連接，直流母線電容組件通過疊層母排設置在一絕緣層的兩側。直流母線電容組件通過箱體風道散熱所述的IGBT功率組件包括IGBT驅動板16和多個IGBT元件17，多個IGBT元件通過IGBT驅動板設置在液冷換熱器的兩側。所述的鈑金隔板底面形成有兩個連接口18，液冷換熱器設置在兩個連接口之間的鈑金隔板上，液冷換熱器兩側緊鄰設置的IGBT功率組件分別與兩個連接口相對應，液冷換熱器給IGBT功率組件散熱。液...