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介質薄膜是重要的半導體薄膜之一。它可用作電路間的絕緣層，掩蔽半導體主要元件的相互擴散和漏電現象，從而進一步改善半導體操作性能的可靠性；它還可用作保護膜，在半導體制程的環節生成保護膜，保護芯片不受外部沖擊；或用作隔離膜，在堆疊一層層元件后進行刻蝕時，防止無需移除的部分被刻蝕。淺槽隔離（STI，ShallowTrenchIsolation）和金屬層間電介質層（就是典型的例子。沉積材料主要有二氧化硅（SiO2），碳化硅（SiC）和氮化硅（SiN）等。鍍膜層可賦予材料特定的顏色效果。廣東真空鍍膜涂料使用PECVD，高能電子可以將氣體分子激發到足夠活躍的狀態，使得在相對低溫下就能發生化學反應。這對于敏感...

使用PECVD，高能電子可以將氣體分子激發到足夠活躍的狀態，使得在相對低溫下就能發生化學反應。這對于敏感于高溫或者不能承受高溫處理的材料（如塑料）來說是一個重要的優勢。等離子體中的反應物質具有很高的動能，可以使得它們在各種表面，包括垂直和傾斜的表面上發生化學反應。這就使得PECVD可以在基板的全范圍內，包括難以接觸的區域，形成高質量的薄膜。在PECVD過程中，射頻能量引發原料氣體形成等離子體。這個等離子體由高能電子和離子組成，它們能夠在各種表面進行化學反應。這就使得反應物質能夠均勻地分布在整個基板上，從而形成均勻的薄膜。且PECVD可以在相對低溫下進行，因此基板上的熱效應對薄膜的形成影響較小。...

鍍膜技術工藝包括光刻、真空磁控濺射、電子束蒸鍍、ITO鍍膜、反應濺射，在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發沉積（熱蒸發、電子束蒸發）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發為使用電子束加熱。磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積...

電磁對準是使用磁場來改變和控制電子束的方向的過程。在電子束蒸發中，可能需要改變電子束的方向，以確保它準確地撞擊到目標材料。這通常通過調整電子槍周圍的磁場來實現，這個磁場會使電子束沿著特定的路徑移動，從而改變其方向。電子束的能量和焦點可以通過調整電子槍的電壓和磁場來控制，從而允許對沉積過程進行精細的控制。例如，可以通過調整電子束的能量來控制蒸發的速度，通過調整電子束的焦點來控制蒸發區域的大小。在蒸鍍過程中，石英晶體控制（QuartzCrystalControl）是一種常用的技術，用于精確測量和控制薄膜的厚度。它基于石英晶體微平衡器的原理，這是一種高精度的質量測量設備。石英晶體微平衡器的工作原理是...

首先，通過一個電子槍生成一個高能電子束。電子槍一般包括一個發射電子的熱陰極（通常是加熱的鎢絲）和一個加速電子的陽極。電子槍的工作是通過電場和磁場將電子束引導并加速到目標材料。電子束撞擊目標材料，將其能量轉化為熱能，使目標材料加熱到蒸發溫度。蒸發的材料原子或分子在真空中飛行到基板表面，并在那里冷凝，形成薄膜。因為這個過程在真空中進行，所以蒸發的原子或分子在飛行過程中基本不會與其他氣體分子相互作用，這有助于形成高質量的薄膜。與其他低成本的PVD工藝相比，電子束蒸發還具有非常高的材料利用效率。電子束系統加熱目標源材料，而不是整個坩堝，從而降低了坩堝的污染程度。通過將能量集中在目標而不是整個真空室上，...

LPCVD設備中常用的是水平式LPCVD設備，因為其具有結構簡單、操作方便、沉積速率高、產能大等優點。水平式LPCVD設備可以根據不同的加熱方式進行分類。常見的分類有以下幾種：（1）電阻絲加熱式LPCVD設備，是指使用電阻絲作為加熱元件，將電阻絲纏繞在反應室外壁或內壁上，通過電流加熱反應室和襯底；（2）鹵素燈加熱式LPCVD設備，是指使用鹵素燈作為加熱元件，將鹵素燈安裝在反應室外壁或內壁上，通過輻射加熱反應室和襯底；（3）感應加熱式LPCVD設備，是指使用感應線圈作為加熱元件，將感應線圈圍繞在反應室外壁或內壁上，通過電磁感應加熱反應室和襯底。真空鍍膜技術可用于制造光學鏡片。MEMS真空鍍膜廠家...

LPCVD技術是一種在低壓下進行化學氣相沉積的技術，它有以下幾個優點高質量：LPCVD技術可以在低壓下進行高溫沉積，使得氣相前驅體與襯底表面發生充分且均勻的化學反應，形成高純度、低缺陷密度、低氫含量、低應力等特點的薄膜材料。高均勻性：LPCVD技術可以在低壓下進行大面積沉積，使得氣相前驅體在襯底表面上有較長的停留時間和較大的擴散距離，形成高均勻性和高一致性的薄膜材料。高精度：LPCVD技術可以通過調節壓力、溫度、氣體流量和時間等參數來控制沉積速率和厚度，形成高精度和可重復性的薄膜材料。高效率：LPCVD技術可以采用批量裝載和連續送氣的方式來進行沉積。薄膜應力的起源是薄膜生長過程中的某種結構不完...

LPCVD設備中還有一個重要的工藝參數是氣體前驅體的流量，因為它也影響了反應速率、反應機理、反應產物、反應選擇性等方面。一般來說，流量越大，氣體在反應室內的濃度越高，反應速率越快，沉積速率越高；流量越小，氣體在反應室內的濃度越低，反應速率越慢，沉積速率越低。但是，并不是流量越大越好，因為過大的流量也會帶來一些不利的影響。例如，過大的流量會導致氣體在反應室內的停留時間縮短，從而降低沉積效率或增加副產物；過大的流量會導致氣體在反應室內的流動紊亂，從而降低薄膜的均勻性或質量；過大的流量會導致氣體前驅體之間或與襯底材料之間的競爭反應增加，從而改變反應機理或反應選擇性。真空鍍膜技術在汽車行業中應用普遍。...

首先，通過一個電子槍生成一個高能電子束。電子槍一般包括一個發射電子的熱陰極（通常是加熱的鎢絲）和一個加速電子的陽極。電子槍的工作是通過電場和磁場將電子束引導并加速到目標材料。電子束撞擊目標材料，將其能量轉化為熱能，使目標材料加熱到蒸發溫度。蒸發的材料原子或分子在真空中飛行到基板表面，并在那里冷凝，形成薄膜。因為這個過程在真空中進行，所以蒸發的原子或分子在飛行過程中基本不會與其他氣體分子相互作用，這有助于形成高質量的薄膜。與其他低成本的PVD工藝相比，電子束蒸發還具有非常高的材料利用效率。電子束系統加熱目標源材料，而不是整個坩堝，從而降低了坩堝的污染程度。通過將能量集中在目標而不是整個真空室上，...

單片反應器是一種新型的LPCVD反應器，它由一個單片放置的石英盤和一個輻射加熱系統組成，可以實現更高的沉積精度和更好的沉積性能，適用于高級產品。氣路系統：氣路系統是用于向LPCVD反應器內送入氣相前驅體和稀釋氣體的設備，它由氣瓶、閥門、流量計、壓力計、過濾器等組成。氣路系統需要保證氣體的純度、流量、比例和穩定性，以控制沉積反應的動力學和動態。真空系統：真空系統是用于將LPCVD反應器內的壓力降低到所需的工作壓力的設備，它由真空泵、真空計、閥門等組成。真空系統需要保證反應器內的壓力范圍、穩定性和均勻性，以影響沉積速率和均勻性。控制系統：控制系統是用于監測和控制LPCVD制程中各個參數的設備，它由...

PVD鍍膜(離子鍍膜)技術，其具體原理是在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術，利用氣體放電使靶材蒸發并使被蒸發物質與氣體都發生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發物質及其反應產物沉積在工件上。特點,采用PVD鍍膜技術鍍出的膜層，具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數)、很好的耐腐蝕性和化學穩定性等特點，膜層的壽命更長;同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。PVD鍍膜能夠鍍出的膜層種類，PVD鍍膜技術是一種能夠真正獲得微米級鍍層且無污染的環保型表面處理方法，它能夠制備各種單一金屬膜（如鋁、鈦、鋯、鉻等），氮化物膜（TiN、ZrN、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN），以及氧化...

熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧氣，硅片與氧化反應生成氧化硅，氧化速率比較慢，氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當中通入氧氣和氫氣，兩者反應生長水蒸氣，水蒸氣與硅片表面反應生長氧化硅，濕法氧化，速率比較快，可以生長比較厚的薄膜。直流（DC）磁控濺射與氣壓的關系-在一定范圍內提高離化率（盡量小的壓強下維持高的離化率）、提高均勻性要增加壓強和保證薄膜純度、提高薄膜附著力要減小壓強的矛盾，產生一個平衡。提供一個額外的電子源，而不是從靶陰極獲得電子。實現低壓濺射（壓強小于0.1帕）。射頻（RF）磁控濺射特點-射頻方法...

LPCVD設備可以沉積多種類型的薄膜材料，如多晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅等。設備通常由以下幾個部分組成：真空系統、氣體輸送系統、反應室、加熱系統、溫度控制系統、壓力控制系統、流量控制系統等。LPCVD設備的缺點主要有以下幾點：（1）由于高溫條件下襯底材料會發生熱膨脹和熱應力，使得襯底材料可能出現變形、開裂、彎曲等問題；（2）由于高溫條件下襯底材料會發生熱擴散和熱反應，使得襯底材料可能出現雜質摻雜、界面反應、相變等問題；（3）由于高溫條件下氣體前驅體會發生熱分解和熱聚合，使得氣體前驅體可能出現不穩定性、副反應、沉積速率降低等問題；（4）LPCVD設備需要較大的真空泵和加熱功率，使得設備成本和運...

LPCVD設備的發展歷史可以追溯到20世紀50年代，當時美國貝爾實驗室的科學家們使用LPCVD方法在硅片上沉積多晶硅薄膜，并用于制造雙極型晶體管。隨后，LPCVD方法被廣泛應用于制造金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、動態隨機存儲器（DRAM）、太陽能電池等器件。20世紀70年代，LPCVD方法開始用于沉積氮化硅和氧化硅等絕緣薄膜，用于制造互連層、保護層、柵介質層等結構。20世紀80年代，LPCVD方法開始用于沉積碳化硅等寬禁帶半導體薄膜，用于制造高溫、高功率、高頻率等特殊應用的器件真空鍍膜過程中需防止塵埃污染。嘉興真空鍍膜加工電介質在集成電路中主要提供器件、柵極和金屬互連間的絕緣，...

電子束蒸發法是真空蒸發鍍膜中一種常用的方法，是在高真空條件下利用電子束激發進行直接加熱蒸發材料，是使蒸發材料由固體轉變為氣化并向襯底輸運，在基底上凝結形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于底部有循環水冷的坩堝當中，可避免電子束擊穿坩堝導致儀器損壞，而且可避免蒸發材料與坩堝壁發生反應影響薄膜的質量，因此，電子束蒸發沉積法可以制備高純薄膜。在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發沉積（熱蒸發、電子束蒸發）和濺射沉積是典型的物理方法；化學氣相沉積是典型的化學方法；等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相...

高頻淀積的薄膜，其均勻性明顯好于低頻，這時因為當射頻電源頻率較低時，靠近極板邊緣的電場較弱，其淀積速度會低于極板中心區域，而頻率高時則邊緣和中心區域的差別會變小。4.射頻功率，射頻的功率越大離子的轟擊能量就越大，有利于淀積膜質量的改善。因為功率的增加會增強氣體中自由基的濃度，使淀積速率隨功率直線上升，當功率增加到一定程度，反應氣體完全電離，自由基達到飽和，淀積速率則趨于穩定。5.氣壓，形成等離子體時，氣體壓力過大，單位內的反應氣體增加，因此速率增大，但同時氣壓過高，平均自由程減少，不利于淀積膜對臺階的覆蓋。氣壓太低會影響薄膜的淀積機理，導致薄膜的致密度下降，容易形成針狀態缺陷；氣壓過高時，等離...

LPCVD的關鍵硬件主要包括以下幾個部分：反應器：LPCVD反應器是用于進行LPCVD制程的主要設備，它由一個密封的容器和一個加熱系統組成。根據反應器的形狀和加熱方式的不同，LPCVD反應器可以分為水平管式反應器、垂直管式反應器、單片反應器等。水平管式反應器是一種常用的LPCVD反應器，它由一個水平放置的石英管和一個螺旋形的電阻絲加熱系統組成，可以同時處理多片襯底，具有較高的生產效率和較好的沉積均勻性。垂直管式反應器是另一種常用的LPCVD反應器，它由一個垂直放置的石英管和一個電磁感應加熱系統組成，可以實現更高的沉積溫度和更快的沉積速率，適用于高溫沉積材料。鍍膜后的零件具有優異的導電性能。汕尾...

電介質在集成電路中主要提供器件、柵極和金屬互連間的絕緣，選擇的材料主要是氧化硅和氮化硅等。氧化硅薄膜可以通過熱氧化、化學氣相沉積和原子層沉積法的方法獲得。如果按照壓力來區分的話，熱氧化一般為常壓氧化工藝，快速熱氧化等。化學氣相沉積法一般有低壓化學氣相沉積氧化工藝，半大氣壓氣相沉積氧化工藝，增強等離子體化學氣相層積等。在熱氧化工藝中，主要使用的氧源是氣體氧氣、水等，而硅源則是單晶硅襯底或多晶硅、非晶硅等。氧氣會消耗硅（Si），多晶硅（Poly）產生氧化，通常二氧化硅的厚度會消耗0.54倍的硅，而消耗的多晶硅則相對少些。這個特性決定了熱氧化工藝只能應用在側墻工藝形成之前的氧化硅薄膜中。真空鍍膜技術...

真空鍍膜的優點：1、鍍覆材料廣，可作為真空鍍蒸發材料有幾十種，包括金屬、合金和非金屬。真空鍍膜加工還可以像多層電鍍一樣，加工出多層結構的復合膜，滿足對涂層各種不同性能的需求；2、真空鍍膜技術可以實現不能通過電沉積方法形成鍍層的涂覆：如鋁、鈦、鋯等鍍層，甚至陶瓷和金剛石涂層，這是十分難能可貴的；3、真空鍍膜性能優良：真空鍍膜厚度遠小于電鍍層，但涂層的耐摩擦和耐腐蝕性能良好，孔隙率低，而且無氫脆現象，相對電鍍加工而言可以節約大量金屬材料；4、環境效益優異：真空鍍膜加工設備簡單、占地面積小、生產環境優雅潔凈，無污水排放，不會對環境和操作者造成危害。在注重環境保護和大力推行清潔生產的形勢下，真空鍍膜技...

磁控濺射可以使用各種類型的氣體進行，例如氬氣、氮氣和氧氣等。氣體的選擇取決于薄膜的所需特性和應用。例如，氬氣通常用作沉積金屬的濺射氣體，而氮氣則用于沉積氮化物。磁控濺射可以以各種配置進行，例如直流(DC)、射頻(RF)和脈沖DC模式。每種配置都有其優點和缺點，配置的選擇取決于薄膜的所需特性和應用。磁控濺射是利用磁場束縛電子的運動，提高電子的離化率。與傳統濺射相比具有“低溫（碰撞次數的增加，電子的能量逐漸降低，在能量耗盡以后才落在陽極）”、“高速（增長電子運動路徑，提高離化率，電離出更多的轟擊靶材的離子）”兩大特點。真空鍍膜過程中需嚴格控制電場強度。南充來料真空鍍膜LPCVD設備的基本原理是利用...

LPCVD設備中除了工藝參數外，還有一些其他因素會影響薄膜材料的質量和性能。例如：（1）設備本身的結構、材料、清潔、校準等因素，會影響設備的穩定性、精確性、可靠性等指標；（2）環境條件如溫度、濕度、氣壓、灰塵等因素，會影響設備的工作狀態、氣體的性質、反應的平衡等因素；（3）操作人員的技能、經驗、操作規范等因素，會影響設備的使用效率、安全性、一致性等指標。因此，為了保證薄膜材料的質量和性能，需要對設備進行定期的檢查、維護、修理等工作，同時需要對環境條件進行監測和控制，以及對操作人員進行培訓和考核等工作。LPCVD設備可以沉積多種類型的薄膜材料，如多晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅等。常州真空鍍膜儀L...

LPCVD設備中的薄膜材料的質量和性能可以通過多種方法進行表征和評價。常見的表征和評價方法有以下幾種：（1）厚度測量法，是指通過光學或電子手段來測量薄膜的厚度，如橢圓偏振儀、納米壓痕儀、電子顯微鏡等；（2）成分分析法，是指通過光譜或質譜手段來分析薄膜的化學成分，如X射線光電子能譜（XPS）、二次離子質譜（SIMS）、原子發射光譜（AES）等；（3）結構表征法，是指通過衍射或散射手段來表征薄膜的晶體結構，如X射線衍射（XRD）、拉曼光譜（Raman）、透射電子顯微鏡（TEM）等；（4）性能測試法，是指通過電學或力學手段來測試薄膜的物理性能，如電阻率、介電常數、硬度、應力等。LPCVD主要特征是因...

在真空狀態下，加熱蒸發容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉積在目標物體表面，形成固態薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為：抵抗加熱、電子束、高周波誘導、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產生光學特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2等氧化物與氟化物。電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運動，在運動過程中不斷和氬原子發生撞擊，電離出大量...

LPCVD設備的基本原理是利用化學氣相沉積（CVD）的方法，在低壓（通常為0.1-10Torr）和高溫（通常為500-1200℃）的條件下，將含有所需元素的氣體前驅體引入反應室，在襯底表面發生化學反應，形成所需的薄膜材料。LPCVD設備的優點主要有以下幾點：（1）由于低壓條件下氣體分子的平均自由程較長，使得氣體在反應室內的分布更加均勻，從而提高了薄膜的均勻性和重復性；（2）低壓條件下氣體分子與襯底表面的碰撞頻率較低，使得反應速率主要受表面反應速率控制，從而提高了薄膜的純度和結晶性；（3）低壓條件下氣體分子與反應室壁面的碰撞頻率較低，使得反應室壁面上沉積的材料較少，從而降低了顆粒污染和清洗頻率；...

真空鍍膜的優點：1、鍍覆材料廣，可作為真空鍍蒸發材料有幾十種，包括金屬、合金和非金屬。真空鍍膜加工還可以像多層電鍍一樣，加工出多層結構的復合膜，滿足對涂層各種不同性能的需求；2、真空鍍膜技術可以實現不能通過電沉積方法形成鍍層的涂覆：如鋁、鈦、鋯等鍍層，甚至陶瓷和金剛石涂層，這是十分難能可貴的；3、真空鍍膜性能優良：真空鍍膜厚度遠小于電鍍層，但涂層的耐摩擦和耐腐蝕性能良好，孔隙率低，而且無氫脆現象，相對電鍍加工而言可以節約大量金屬材料；4、環境效益優異：真空鍍膜加工設備簡單、占地面積小、生產環境優雅潔凈，無污水排放，不會對環境和操作者造成危害。在注重環境保護和大力推行清潔生產的形勢下，真空鍍膜技...

單片反應器是一種新型的LPCVD反應器，它由一個單片放置的石英盤和一個輻射加熱系統組成，可以實現更高的沉積精度和更好的沉積性能，適用于高級產品。氣路系統：氣路系統是用于向LPCVD反應器內送入氣相前驅體和稀釋氣體的設備，它由氣瓶、閥門、流量計、壓力計、過濾器等組成。氣路系統需要保證氣體的純度、流量、比例和穩定性，以控制沉積反應的動力學和動態。真空系統：真空系統是用于將LPCVD反應器內的壓力降低到所需的工作壓力的設備，它由真空泵、真空計、閥門等組成。真空系統需要保證反應器內的壓力范圍、穩定性和均勻性，以影響沉積速率和均勻性。控制系統：控制系統是用于監測和控制LPCVD制程中各個參數的設備，它由...

LPCVD加熱系統是用于提供反應所需的高溫的部分，通常由電阻絲或鹵素燈組成。溫度控制系統是用于監測和調節反應室內溫度的部分，通常由溫度傳感器和控制器組成。壓力控制系統是用于監測和調節反應室內壓力的部分，通常由壓力傳感器和控制器組成。流量控制系統是用于監測和調節氣體前驅體的流量的部分，通常由流量計和控制器組成。LPCVD設備的設備構造還需要考慮以下幾個方面的因素：（1）反應室的形狀和尺寸，影響了氣體在反應室內的流動和分布，從而影響了薄膜的均勻性和質量；（2）反應室的材料和表面處理，影響了反應室壁面上沉積的材料和顆粒污染，從而影響了薄膜的純度和清洗頻率；（3）襯底的放置方式和數量，影響了襯底之間的...

LPCVD加熱系統是用于提供反應所需的高溫的部分，通常由電阻絲或鹵素燈組成。溫度控制系統是用于監測和調節反應室內溫度的部分，通常由溫度傳感器和控制器組成。壓力控制系統是用于監測和調節反應室內壓力的部分，通常由壓力傳感器和控制器組成。流量控制系統是用于監測和調節氣體前驅體的流量的部分，通常由流量計和控制器組成。LPCVD設備的設備構造還需要考慮以下幾個方面的因素：（1）反應室的形狀和尺寸，影響了氣體在反應室內的流動和分布，從而影響了薄膜的均勻性和質量；（2）反應室的材料和表面處理，影響了反應室壁面上沉積的材料和顆粒污染，從而影響了薄膜的純度和清洗頻率；（3）襯底的放置方式和數量，影響了襯底之間的...

影響靶中毒的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中毒。反應濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調整反應氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒。真空鍍膜技術保證了零件的耐腐蝕性。三明UV光固化真空鍍膜LPCVD的優點主要有以下幾個方面：...

磁控濺射方向性要優于電子束蒸發，但薄膜質量，表面粗糙度等方面不如電子束蒸發。但磁控濺射可用于多種材料，適用性廣，電子束蒸發則只能用于金屬材料蒸鍍，且高熔點金屬，如W，Mo等的蒸鍍較為困難。所以磁控濺射常用于新型氧化物，陶瓷材料的鍍膜，電子束則用于對薄膜質量較高的金屬材料沉積源是真空鍍膜技術中另一個必不可少的設備。襯底支架是用于在沉積過程中將襯底固定到位的裝置。基板支架可以有不同的配置，例如行星式、旋轉式或線性平移，具體取決于應用要求。沉積源的選擇取決于涂層應用的具體要求，例如涂層材料、沉積速率和涂層質量。影響PECVD工藝質量的因素主要有以下幾個方面：1.起輝電壓；2.極板間距和腔體氣壓；3....