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河北多芯MT-FA光組件在三維系統(tǒng)中的應(yīng)用

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-12-01

多芯MT-FA光連接器在三維光子互連體系中的技術(shù)突破,集中體現(xiàn)在高密度集成與低損耗傳輸?shù)钠胶馍稀a槍?duì)芯片內(nèi)部毫米級(jí)空間限制,該器件采用空芯光纖與少模光纖的混合設(shè)計(jì),通過(guò)模分復(fù)用技術(shù)將單纖傳輸容量提升至400Gbps。其重要?jiǎng)?chuàng)新在于三維波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的制造工藝:利用深紫外光刻在硅基底上刻蝕出垂直通孔,通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)實(shí)現(xiàn)波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度低于1nm,再采用原子層沉積(ALD)技術(shù)包覆氧化鋁薄膜以降低傳輸損耗。在光耦合方面,多芯MT-FA集成微透鏡陣列與保偏光子晶體光纖,通過(guò)自適應(yīng)對(duì)準(zhǔn)算法將耦合損耗控制在0.2dB以下。實(shí)際應(yīng)用中,該器件支持CPO/LPO架構(gòu)的800G光模塊,在40℃高溫環(huán)境下連續(xù)運(yùn)行1000小時(shí)后,誤碼率仍維持在10?12量級(jí)。這種性能突破使得數(shù)據(jù)中心交換機(jī)端口密度從12.8T提升至51.2T,同時(shí)將光模塊功耗占比從28%降至14%,為構(gòu)建綠色AI基礎(chǔ)設(shè)施提供了技術(shù)路徑。5G 基站建設(shè)加速,三維光子互連芯片為海量數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)傳輸提供可靠支撐。河北多芯MT-FA光組件在三維系統(tǒng)中的應(yīng)用

河北多芯MT-FA光組件在三維系統(tǒng)中的應(yīng)用,三維光子互連芯片

在應(yīng)用場(chǎng)景層面,三維光子集成多芯MT-FA組件已成為支撐CPO共封裝光學(xué)、LPO線(xiàn)性驅(qū)動(dòng)等前沿架構(gòu)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。其多芯并行傳輸特性與硅光芯片的CMOS工藝兼容性,使得光模塊封裝體積較傳統(tǒng)方案縮小40%,功耗降低25%。例如,在1.6T光模塊中,通過(guò)將16個(gè)單模光纖芯集成于直徑3mm的MT插芯內(nèi),配合三維堆疊的透鏡陣列,可實(shí)現(xiàn)單波長(zhǎng)200Gbps信號(hào)的無(wú)源耦合,將光引擎與電芯片的間距壓縮至0.5mm以?xún)?nèi),大幅提升了信號(hào)完整性。更值得關(guān)注的是,該技術(shù)通過(guò)引入波長(zhǎng)選擇開(kāi)關(guān)(WSS)與動(dòng)態(tài)增益均衡算法,使多芯MT-FA組件能夠自適應(yīng)調(diào)節(jié)各通道光功率,在40km傳輸距離下仍可保持誤碼率低于1E-12。隨著三維光子集成工藝的成熟,此類(lèi)組件正從數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互聯(lián)向城域光網(wǎng)絡(luò)延伸,為6G通信、量子計(jì)算等場(chǎng)景提供較低時(shí)延、超高密度的光傳輸解決方案,其市場(chǎng)滲透率預(yù)計(jì)在2027年突破35%,成為光通信產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈升級(jí)的重要驅(qū)動(dòng)力。沈陽(yáng)三維光子互連芯片多芯MT-FA光組件集成方案三維光子互連芯片采用異質(zhì)集成技術(shù),整合不同功能模塊提升集成度。

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多芯MT-FA光纖連接器的技術(shù)演進(jìn)正推動(dòng)光互連向更復(fù)雜的系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用延伸。在高性能計(jì)算領(lǐng)域,其通過(guò)模分復(fù)用技術(shù)實(shí)現(xiàn)了少模光纖與多芯光纖的混合傳輸,單根連接器可同時(shí)承載16個(gè)空間模式與8個(gè)波長(zhǎng)通道,使超級(jí)計(jì)算機(jī)的光互連帶寬突破拍比特級(jí)。針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)邊緣設(shè)備的低功耗需求,連接器采用保偏光子晶體光纖與擴(kuò)束傳能光纖的組合設(shè)計(jì),在保持偏振態(tài)穩(wěn)定性的同時(shí),將光信號(hào)傳輸距離擴(kuò)展至200米,誤碼率控制在10?12量級(jí)。制造工藝層面,高精度V型槽基片的加工精度已達(dá)±0.5μm,配合自動(dòng)化組裝設(shè)備,可使光纖凸出量控制誤差小于0.2mm,確保多芯并行傳輸?shù)耐ǖ谰鶆蛐浴4送猓B接器套管材料從傳統(tǒng)陶瓷向玻璃陶瓷轉(zhuǎn)型,線(xiàn)脹系數(shù)與光纖纖芯的匹配度提升60%,抗彎強(qiáng)度達(dá)500MPa,有效降低了溫度波動(dòng)引起的附加損耗。隨著硅光集成技術(shù)的成熟,模場(chǎng)轉(zhuǎn)換MFD-FA連接器已實(shí)現(xiàn)3.2μm至9μm的模場(chǎng)直徑自適應(yīng)耦合,支持從數(shù)據(jù)中心到5G前傳的多場(chǎng)景應(yīng)用。這種技術(shù)迭代不僅解決了傳統(tǒng)光纖連接器在芯片內(nèi)部應(yīng)用的彎曲半徑限制,更為未來(lái)全光計(jì)算架構(gòu)提供了可量產(chǎn)的物理層解決方案。

在三維光子互連芯片的多芯MT-FA光組件集成實(shí)踐中,模塊化設(shè)計(jì)與可擴(kuò)展性成為重要技術(shù)方向。通過(guò)將光引擎、驅(qū)動(dòng)芯片和MT-FA組件集成于同一基板,可形成標(biāo)準(zhǔn)化功能單元,支持按需組合以適應(yīng)不同規(guī)模的光互連需求。例如,采用硅基光電子工藝制備的光引擎可與多芯MT-FA直接鍵合,形成從光信號(hào)調(diào)制到光纖耦合的全流程集成,減少中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)帶來(lái)的損耗。針對(duì)高密度封裝帶來(lái)的散熱挑戰(zhàn),該方案引入微通道液冷或石墨烯導(dǎo)熱層等新型熱管理技術(shù),確保在10W/cm2以上的功率密度下穩(wěn)定運(yùn)行。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,采用三維集成方案的MT-FA組件在85℃高溫環(huán)境中,插損波動(dòng)小于0.1dB,回波損耗優(yōu)于-30dB,滿(mǎn)足5G前傳、城域網(wǎng)等嚴(yán)苛場(chǎng)景的可靠性要求。未來(lái),隨著光子集成電路(PIC)技術(shù)的進(jìn)一步成熟,多芯MT-FA方案有望向128芯及以上規(guī)模演進(jìn),為全光交換網(wǎng)絡(luò)和量子通信等前沿領(lǐng)域提供底層支撐。三維光子互連芯片能夠有效解決傳統(tǒng)二維芯片在帶寬密度上的瓶頸,滿(mǎn)足高性能計(jì)算的需求。

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三維光子芯片與多芯MT-FA光連接方案的融合,正在重塑高速光通信系統(tǒng)的技術(shù)邊界。傳統(tǒng)光模塊中,電信號(hào)轉(zhuǎn)換與光信號(hào)傳輸?shù)姆蛛x設(shè)計(jì)導(dǎo)致功耗高、延遲大,難以滿(mǎn)足AI算力集群對(duì)低時(shí)延、高帶寬的嚴(yán)苛需求。而三維光子芯片通過(guò)將激光器、調(diào)制器、光電探測(cè)器等重要光電器件集成于單片硅基襯底,結(jié)合垂直堆疊的3D封裝工藝,實(shí)現(xiàn)了光信號(hào)在芯片層間的直接傳輸。這種架構(gòu)下,多芯MT-FA組件作為光路耦合的關(guān)鍵接口,通過(guò)精密研磨工藝將光纖陣列端面加工為特定角度,配合低損耗MT插芯,可實(shí)現(xiàn)8芯、12芯乃至24芯光纖的高密度并行連接。例如,在800G/1.6T光模塊中,MT-FA的插入損耗可控制在0.35dB以下,回波損耗超過(guò)60dB,確保光信號(hào)在高速傳輸中的低損耗與高穩(wěn)定性。其多通道均勻性特性更可滿(mǎn)足AI訓(xùn)練場(chǎng)景下數(shù)據(jù)中心對(duì)長(zhǎng)時(shí)間、高負(fù)載運(yùn)行的可靠性要求,為光模塊的小型化、集成化提供了物理基礎(chǔ)。農(nóng)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展,三維光子互連芯片助力農(nóng)田監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)的快速分析與反饋。沈陽(yáng)三維光子互連芯片多芯MT-FA光組件集成方案

在人工智能服務(wù)器中,三維光子互連芯片助力提升算力密度與數(shù)據(jù)處理效率。河北多芯MT-FA光組件在三維系統(tǒng)中的應(yīng)用

三維光子互連標(biāo)準(zhǔn)對(duì)多芯MT-FA的性能指標(biāo)提出了嚴(yán)苛要求,涵蓋從材料選擇到制造工藝的全鏈條規(guī)范。在光波導(dǎo)設(shè)計(jì)層面,標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定采用漸變折射率超材料結(jié)構(gòu)支持高階模式復(fù)用,例如16通道硅基模分復(fù)用芯片通過(guò)漸變波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)信道間串?dāng)_低于-10.3dB,單波長(zhǎng)單偏振傳輸速率達(dá)2.162Tbit/s。針對(duì)多芯MT-FA的封裝工藝,標(biāo)準(zhǔn)明確要求使用UV膠定位與353ND環(huán)氧膠復(fù)合的混合粘接技術(shù),在V槽平臺(tái)區(qū)涂抹保護(hù)膠后進(jìn)行端面拋光,確保多芯光纖的Pitch公差控制在±0.5μm以?xún)?nèi)。在信號(hào)傳輸特性方面,標(biāo)準(zhǔn)定義了光混沌保密通信的集成規(guī)范,通過(guò)混沌激光器生成非周期性光信號(hào),結(jié)合LDPC信道編碼實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)加密,使攻擊者解開(kāi)復(fù)雜度提升10^15量級(jí)。此外,標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了三維光子芯片的測(cè)試方法,包括光學(xué)頻譜分析、矢量網(wǎng)絡(luò)分析及誤碼率測(cè)試等多維度驗(yàn)證流程,確保芯片在4m單模光纖傳輸中誤碼率低于4×10^-10。這些技術(shù)規(guī)范的實(shí)施,為AI訓(xùn)練集群、超級(jí)計(jì)算機(jī)等高密度計(jì)算場(chǎng)景提供了可量產(chǎn)的解決方案,推動(dòng)光通信技術(shù)向T比特級(jí)帶寬密度邁進(jìn)。河北多芯MT-FA光組件在三維系統(tǒng)中的應(yīng)用

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