實驗表明，在工作溫度范圍內，PTC熱敏電阻的電阻-溫度特性可近似用實驗公式表示：RT=RT0 expBp（T-T0）熱敏電阻式中RT、RT0表示溫度為T、T0時電阻值，Bp為該種材料的材料常數．PTC效應起源于陶瓷的粒界和粒界間析出相的性質，并隨雜質種類、濃度、燒結條件等而產生***變化．**近，進入實用化的熱敏電阻中有利用硅片的硅溫度敏感元件，這是體型小且精度高的PTC熱敏電阻，由n型硅構成，因其中的雜質產生的電子散射隨溫度上升而增加，從而電阻增加．合金熱敏電阻具有較高的電阻率，并且電阻值隨溫度的變化較為敏感，是一種制造溫敏傳感器的良好材料。溫度控制熱敏電阻規格尺寸

熱敏電阻分類：

PTC（Positive Temperature CoeffiCient）是指在某一溫度下電阻急劇增加、具有正溫度系數的熱敏電阻現象或材料，可專門用作恒定溫度傳感器．該材料是以BaTiO3或SrTiO3或PbTiO3為主要成分的燒結體，其中摻入微量的Nb、Ta、 Bi、 Sb、Y、La等氧化物進行原子價控制而使之半導化，常將這種半導體化的BaTiO3等材料簡稱為半導（體）瓷；同時還添加增大其正電阻溫度系數的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工藝成形、高溫燒結而使鈦酸鉑等及其固溶體半導化，從而得到正特性的熱敏電阻材料．其溫度系數及居里點溫度隨組分及燒結條件（尤其是冷卻溫度）不同而變化． 溫度控制熱敏電阻規格尺寸熱敏電阻通常為一款高阻抗、電阻性器件，因該器件可以簡化其中的一個接口問題。

BT=CT2+DT+E，上式中，C、D、E為常數。另外，因生產條件不同造成的B值的波動會引起常數E發生變化，但常數C、D不變。因此，在探討B值的波動量時，只需考慮常數E即可。常數C、D、E的計算，常數C、D、E可由4點的（溫度、電阻值）數據（T0,R0).(T1,R1）.(T2,R2）and(T3,R3），通過式3～6計算。首先由式樣3根據T0和T1,T2,T3的電阻值求出B1,B2,B3，然后代入以下各式樣。

電阻值計算例：試根據電阻－溫度特性表，求25°C時的電阻值為5(kΩ），B值偏差為50(K）的熱敏電阻在10°C～30°C的電阻值。步驟（1）根據電阻－溫度特性表，求常數C、D、E。To=25+273.15T1=10+273.15T2=20+273.15T3=30+273.15（2）代入BT=CT2+DT+E+50，求BT。（3）將數值代入R=5exp {(BT1/T-1/298.15）}，求R。*T:10+273.15～30+273.15。

歐姆銀漿性能指標： 1. 歐姆接觸電阻：≤2%； 2. 耐高壓大電流能力：無電極拉??； 3. 室溫存放1000小時△R/R：≤2%； 4. 水煮24小時△R/R：≤8%； 5. 附著力：用scotch膠帶拉，無膜層脫落； 6. 方阻（mΩ/□）：≤50 半導體熱敏電阻材料有單晶半導體、多晶半導體、玻璃半導體、有機半導體以及金屬氧化物等。

當電路正常工作時，熱敏電阻溫度與室溫相近、電阻很小，串聯在電路中不會阻礙電流通過；而當電路因故障而出現過電流時，熱敏電阻由于發熱功率增加導致溫度上升，當溫度超過開關溫度了大幅度的降低，圖中t為熱敏電阻的動作時間。由于高分子ptc熱敏電阻的可設計性好，可通過改變自身的開關溫度（ts）來調節其對溫度的敏感程度，因而可同時起到過溫保護和過流保護兩種作用，如kt16－1700dl規格熱敏電阻由于動作溫度很低，因而適用于鋰離子電池和鎳氫電池的過流及過溫保護。NTC熱敏半導瓷大多是尖晶石結構或其他結構的氧化物陶瓷，具有負的溫度系數。溫度控制熱敏電阻規格尺寸

熱敏電阻的區別：壓敏電阻阻值隨壓力的變化而變化，高,中,低壓壓敏電阻。溫度控制熱敏電阻規格尺寸

NTC

NTC（Negative Temperature CoeffiCient）是指隨溫度上升電阻呈**關系減小、具有負溫度系數的熱敏電阻現象和材料．該材料是利用錳、銅、硅、鈷、鐵、鎳、鋅等兩種或兩種以上的金屬氧化物進行充分混合、成型、燒結等工藝而成的半導體陶瓷，可制成具有負溫度系數（NTC）的熱敏電阻．其電阻率和材料常數隨材料成分比例、燒結氣氛、燒結溫度和結構狀態不同而變化．還出現了以碳化硅、硒化錫、氮化鉭等為**的非氧化物系NTC熱敏電阻材料． 溫度控制熱敏電阻規格尺寸

上海子譽電子陶瓷有限公司是專業從事“PTC|PTC加熱片|PTC加熱器|熱敏電阻”的企業，公司秉承“誠信經營，用心服務”的理念，為您提供質量的產品和服務。歡迎來電咨詢！