基本特性：熱敏電阻的電阻－溫度特性可近似地用下式表示：R=R0exp{B（1/T-1/T0)}：R：溫度T(K）時的電阻值、Ro：溫度T0、（K）時的電阻值、B:B值、*T(K)=t(ºC)+273.15。實際上，熱敏電阻的B值并非是恒定的，其變化大小因材料構成而異，比較大甚至可達5K/°C。因此在較大的溫度范圍內應用式1時，將與實測值之間存在一定誤差。此處，若將式1中的B值用式2所示的作為溫度的函數計算時，則可降低與實測值之間的誤差，可認為近似相等。黃浦區液體加熱熱敏電阻廠家供應。浙江恒溫加熱熱敏電阻怎么樣

鈦酸鋇半導瓷的PTC效應起因于粒界（晶粒間界）．對于導電電子來說，晶粒間界面相當于一個勢壘．當溫度低時，由于鈦酸鋇內電場的作用，導致電子極容易越過勢壘，則電阻值較小．當溫度升高到居里點溫度（即臨界溫度）附近時，內電場受到破壞，它不能幫助導電電子越過勢壘．這相當于勢壘升高，電阻值突然增大，產生PTC效應．鈦酸鋇半導瓷的PTC效應的物理模型有海望表面勢壘模型、丹尼爾斯等人的鋇缺位模型和疊加勢壘模型，它們分別從不同方面對PTC效應作出了合理解釋．浙江溫度控制熱敏電阻熱敏電阻的區別：壓敏電阻阻值隨壓力的變化而變化，高,中,低壓壓敏電阻。

BT=CT2+DT+E，上式中，C、D、E為常數。另外，因生產條件不同造成的B值的波動會引起常數E發生變化，但常數C、D不變。因此，在探討B值的波動量時，只需考慮常數E即可。常數C、D、E的計算，常數C、D、E可由4點的（溫度、電阻值）數據（T0,R0).(T1,R1）.(T2,R2）and(T3,R3），通過式3～6計算。首先由式樣3根據T0和T1,T2,T3的電阻值求出B1,B2,B3，然后代入以下各式樣。

電阻值計算例：試根據電阻－溫度特性表，求25°C時的電阻值為5(kΩ），B值偏差為50(K）的熱敏電阻在10°C～30°C的電阻值。步驟（1）根據電阻－溫度特性表，求常數C、D、E。To=25+273.15T1=10+273.15T2=20+273.15T3=30+273.15（2）代入BT=CT2+DT+E+50，求BT。（3）將數值代入R=5exp {(BT1/T-1/298.15）}，求R。*T:10+273.15～30+273.15。

PTC 產品增長比較大看點是新能源汽車放量會帶來極大應用空間

   PTC 產品主要功能是利用電能直接發熱，目前足浴盆、水壺加熱等低端方面應用量較大，新能源汽車輔助加熱應用剛剛開始。新能源電動汽車是汽車發展的重要方向，新能源電動汽車相當于直接把電能轉換為機械能，沒有經過化石燃料的燃燒，轉換效率高，清潔性好，是未來長期看好的發展方向。當前由于技術成熟度不足，純電動汽車市場銷量很小，混合動力汽車是當前發展過程中的一個妥協解決方案，但電動汽車（包括混合動力汽車）市場由于體量小，**推動力度大，市場增長速度非常快。 熱敏電阻主要缺點：除特殊高溫熱敏電阻外，絕大多數熱敏電阻*適合0～150℃范圍，使用時必須注意。

熱敏電阻的主要分類：

臨界溫度熱敏電阻CTR（CritiCal Temperature Resistor）若進一步還原為三氧化二釩，則急變消失．產生電阻急變的溫度對應于半玻璃半導體物性急變的位置，因此產生半導體-金屬相移．CTR能夠作為控溫報警等應用．熱敏電阻的理論研究和應用開發已取得了引人注目的成果．隨著高、精、尖科技的應用，對熱敏電阻的導電機理和應用的更深層次的探索，以及對性能優良的新材料的深入研究，將會取得迅速發展．后期會逐漸和大家進行分享； 熱敏電阻主要缺點：元件的一致性差，互換性差；液體加熱熱敏電阻解決方案

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但如果在這些溫度值下增加 PGA 的增益，就可以將 PGA 的輸出信號控制在一定范圍內，在此范圍內 ADC 能夠提供可靠地轉換，從而對熱敏電阻的溫度進行識別。微控制器固件的溫度傳感算法可讀取 10 位精度的 ADC 數字值，并將其傳送到PGA 滯后軟件程序。PGA 滯后程序會校驗 PGA 增益設置，并將 ADC 數字值與圖1顯示的電壓節點的值進行比較。如果 ADC 輸出超過了電壓節點的值，則微控制器會將 PGA 增益設置到下一個較高或較低的增益設定值上。如果有必要，微控制器會再次獲取一個新的 ADC 值。然后 PGA 增益和 ADC 值會被傳送到一個微控制器分段線性內插程序。浙江恒溫加熱熱敏電阻怎么樣

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