斷路器用真空滅弧室的觸頭材料大都采用銅鉻合金,銅與鉻各占 50%。在上、下觸頭的對接面上各焊上一塊銅鉻合金片,一般厚度各為3mm。其余部分稱為觸頭座,用無氧銅制造即可。4.2 觸頭結構觸頭結構對滅孤室的開斷能力有很大影響。采用不同結構觸頭產生的滅弧效果有所不同的,早期采用簡單的圓柱形觸頭,結構雖簡單,但開斷能力不能滿足斷路器的要求,*能開斷10kA以下電流,并且*有真空負荷開關、高壓真空接觸器等用真空開關管才采用。常采用的有螺旋糟型結構觸頭、帶斜槽杯狀結構觸頭和縱磁場杯狀結構觸頭三種,其中以采用縱磁場杯狀結構觸頭為主。主要由氣密絕緣外殼、導電回路、屏蔽系統、觸頭、波紋管等部分組成陶瓷外殼真空滅弧室。浦東新區常規真空滅弧室性能

(2)按開斷電流的能力分類。有真空斷路器、真空負荷開關與真空接觸器。真空斷路器具有開斷安裝點線路的短路電流的能力,現行**小容量的柱上真空斷路器一般額定短路開斷電流均可達到20kA;真空負荷開關和真空接觸器只用于開斷負荷電流,一般的額定值為630A,也有的可達800A或1250A,它們開斷短路電流的能力很小,*約在1000~2000A,因此在應用時需選配熔斷器作后備保護,開斷短路電流。真空接觸器的特點是可頻繁合、分操作。因此真空負荷開關和真空接觸器應用的常見形式是它們與限流熔斷器的組合。浦東新區常規真空滅弧室性能磁場控制:特殊觸頭形狀產生的磁場驅動電弧沿切線方向運動。

真空泡內的真空滅弧室是利用高真空工作絕緣滅弧介質,靠密封在真空中的一對觸頭來實現電力電路的通斷功能的一種電真空器件。當其斷開一定數值的電流時,動靜觸頭在分離的瞬間,電流收縮到觸頭剛分離的 一點上,出現電極間電阻劇烈增大和溫度迅速提高,直至發生電極金屬的蒸發,同時形成極高的電場強度,導致極強烈的發射和間隙擊穿,產生真空電弧,當工頻電流接近零時,同時也是觸頭開距的增大,真空電弧的等離子體很快向四周擴散,電弧電流過零后,觸頭間隙的介質迅速由導電體變為絕緣體,于是電流被分斷。由于觸頭的特殊構造,燃弧期間觸頭間隙會產適當的縱向磁場,這個磁場可使電弧均勻分布在觸頭表面,維持低的電弧電壓,從而使真空滅弧室具有較高弧后介質強度恢復速度,小的電弧能量和小的腐蝕速率。這樣,就提高了真空滅弧室開斷電流的能力和使用壽命。
作為真空開關的**元件,真空滅弧室具有重量輕、環保、體積小、機械壽命長、電弧不外 露、維護工作量少、適應惡劣工況和無環境污染等優點,其作為電力開關的作用無可替代 。高壓真空滅弧室的設計結構以及設計水平直接決定了真空斷路器的主要性能。我國真空滅 弧室行業經過20多年的努力,取得了長足發展,近年來己成長為可參與國際競爭的產業。 隨著我國電力需求的快速增長與電力行業的高速發展,真空開關市場向大容量、高電壓、 小型化、專業化、高可靠性、免維護、智能化方向邁進比如透明,便于觀察內部觸頭、等情況,表面光滑,不易污染、便于清潔處理,絕緣性能好、金屬與玻璃容易封接,缺點是容易炸裂、受外力容易破碎,而陶瓷外殼強度超過玻璃,但是不透明,無法觀察內部,不上釉的陶瓷表面易污染。金屬與陶瓷封接相對麻煩一些。 [1]定導電桿、定跑弧面、定觸頭、動觸頭、動跑弧面、動導電桿構成了滅弧室的導電系統。

屏蔽罩是用來屏蔽電子信號的工具。作用就是屏蔽外界電磁波對內部電路的影響和內部產生的電磁波向外輻射。屏蔽罩由支腿及罩體組成,支腿與罩體為活動連接;罩體呈球冠狀。此部件主要應用于手機,GPS等領域,是防止電磁干擾(EMI)、對PCB板上的元件及LCM起屏蔽作用。屏蔽罩的材料一般采用0.2mm厚的不銹鋼和洋白銅為材料,其中洋白銅是一種容易上錫的金屬屏蔽材料。采用SMT貼片時應考慮吸盤的設計。屏蔽框一般采用Cu-C7521-H【通用料】,Cu-C7521-OH【軟料,拉深用】(鎳白銅、洋白銅(Copper-Nickel-ZincAlloy),NickelSilver),t=0.2,0.3mm;屏蔽罩一般采用不銹鋼SUS304R-1/2H【折彎加工】,SUS304R-1/4H【拉深用】,t=0.15,0.2mm,鍍錫鋼帶(馬口鐵皮)等;真空滅弧室的屏蔽系統主要由屏蔽筒,屏蔽罩和其他零件組成。金山區新型真空滅弧室價目表
其余部分稱為觸頭座,用無氧銅制造即可。浦東新區常規真空滅弧室性能
指預防或防護電磁輻射干擾和傷害的科學技術方法。人為電磁污染源包括脈沖、放電、工頻交變磁場、射頻電磁輻射等。天然電磁污染主要是雷電、火山噴發、地震以及太陽磁暴對短波通訊產生的干擾。防護原理主要是在電磁傳遞的途徑中安放電磁屏蔽裝置,使有害的電磁場降低至容許范圍內。屏蔽裝置為金屬材料制成的封閉殼體,根據不同對象和要求,采用不同結構的防護罩:①對小型儀器或器件干擾的防護,采用銅鋁密實殼體做屏蔽罩。②低頻電磁干擾,采用鐵或鈹鉬合金等磁性材料制成殼體。③對低溫下進行精密電磁測量干擾的防護,采用超導材料屏蔽罩。浦東新區常規真空滅弧室性能
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