面對(duì)AI架構(gòu)日新月異（如存算一體、稀疏計(jì)算、類腦芯片），測(cè)試平臺(tái)必須具備高度靈活性。GT600采用開放軟件架構(gòu)，支持C++、Python及Visual Studio開發(fā)環(huán)境，允許用戶自定義測(cè)試邏輯、數(shù)據(jù)分析模塊與自動(dòng)化腳本。高校、初創(chuàng)企業(yè)甚至“六小龍”中的技術(shù)團(tuán)隊(duì)均可基于GT600快速搭建專屬驗(yàn)證方案，無需依賴封閉廠商的黑盒工具鏈。這種開放性極大縮短了從算法原型到芯片驗(yàn)證的周期，使杭州成為AI芯片創(chuàng)新的“快速試驗(yàn)田”。GT600不僅是量產(chǎn)設(shè)備，更是推動(dòng)中國(guó)AI底層硬件從“跟隨”走向“原創(chuàng)”的創(chuàng)新引擎。高達(dá)256通道的并行測(cè)試能力，GM8800極大提升您的檢測(cè)效率。高性能CAF測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商

    MEMS射頻開關(guān)與濾波器（RFMEMS）用于5G通信前端模塊，具有低插損、高隔離度優(yōu)勢(shì)。雖MEMS本體為無源器件，但常集成驅(qū)動(dòng)/控制CMOS電路。杭州國(guó)磊（Guolei）支持點(diǎn)：測(cè)試驅(qū)動(dòng)IC的開關(guān)時(shí)序（TMU精度達(dá)10ps）；驗(yàn)證控制邏輯與使能信號(hào)的數(shù)字功能；測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓（可達(dá)7V）與靜態(tài)/動(dòng)態(tài)功耗；雖不直接測(cè)S參數(shù)，但可確保控制電路可靠性，間接保障RF性能。光學(xué)MEMS（如微鏡、光開關(guān)）應(yīng)用于激光雷達(dá)（LiDAR）、投影顯示（DLP替代）、光通信。其驅(qū)動(dòng)ASIC需提供高精度PWM或模擬電壓控制微鏡偏轉(zhuǎn)角度。杭州國(guó)磊（Guolei）支持點(diǎn)：AWG輸出多通道模擬控制波形，驗(yàn)證微鏡響應(yīng)一致性；TMU測(cè)量開關(guān)建立時(shí)間與穩(wěn)定時(shí)間；數(shù)字通道驗(yàn)證SPI配置寄存器功能；支持多通道同步測(cè)試，適配陣列式MEMS微鏡模組。 蘇州CAF測(cè)試系統(tǒng)參考價(jià)專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)，為您提供周到的服務(wù)。

醫(yī)療成像芯片 CT、MRI、內(nèi)窺鏡等設(shè)備的圖像傳感器（CIS）和圖像信號(hào)處理器（ISP）對(duì)圖像質(zhì)量要求極高。國(guó)磊GT600可通過高速數(shù)字通道測(cè)試ISP的圖像處理算法（如降噪、邊緣增強(qiáng)），并通過AWG注入模擬圖像信號(hào)，驗(yàn)證成像鏈路的完整性與色彩還原度。 4. 植入式醫(yī)療設(shè)備芯片 心臟起搏器、神經(jīng)刺激器等植入設(shè)備的芯片必須**功耗、超高可靠。國(guó)磊GT600的FVMI模式可精確測(cè)量uA級(jí)靜態(tài)電流，篩選出“省電體質(zhì)”芯片；其支持長(zhǎng)時(shí)間老化測(cè)試，可模擬10年以上使用壽命，確保植入后萬無一失。 綜上，國(guó)磊GT600以“高精度、高可靠、全功能”測(cè)試能力，為國(guó)產(chǎn)**醫(yī)療芯片的上市提供了堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量保障。

每通道PPMU：芯片健康的“精密聽診器” 。杭州國(guó)磊GT600的每通道集成PPMU（參數(shù)測(cè)量單元），是其高精度測(cè)試的**。PPMU可在FVMI（強(qiáng)制電壓測(cè)電流）模式下，精確測(cè)量nA級(jí)靜態(tài)漏電流（Iddq），相當(dāng)于檢測(cè)每秒流過數(shù)億個(gè)電子的微小電流。在手機(jī)芯片測(cè)試中，這能識(shí)別因工藝缺陷導(dǎo)致的“待機(jī)耗電”問題，確保續(xù)航達(dá)標(biāo)。在FIMV（強(qiáng)制電流測(cè)電壓）模式下，可驗(yàn)證電源調(diào)整率，防止芯片在高負(fù)載下電壓跌落導(dǎo)致死機(jī)。PPMU還支持快速哨兵測(cè)試（Quick Sentinel），在毫秒內(nèi)完成所有引腳的開路/短路檢測(cè)，大幅提升初篩效率。對(duì)于AI芯片，PPMU可逐核測(cè)量功耗，篩選出“能效比較好”**。這一“每引腳級(jí)”測(cè)量能力，讓杭州國(guó)磊GT600成為芯片可靠性的“***守門人”。國(guó)磊GT600可驗(yàn)證電源門控（PowerGating）開關(guān)的漏電控制效果。

Chiplet時(shí)代的“互聯(lián)驗(yàn)證者” Chiplet（芯粒）技術(shù)通過將大芯片拆分為小芯片再集成，突破摩爾定律瓶頸，成為先進(jìn)制程的重要方向。然而，小芯片間的高速互聯(lián)（如UCIe）對(duì)信號(hào)完整性、功耗、時(shí)序提出極高要求。杭州國(guó)磊GT600憑借400MHz測(cè)試速率與100ps邊沿精度，可精確測(cè)量Chiplet間接口的信號(hào)延遲與抖動(dòng)。其高精度SMU可驗(yàn)證微凸塊（Micro-bump）的供電穩(wěn)定性，檢測(cè)微小電壓降。PPMU則用于測(cè)量封裝后各芯粒的**功耗，確保能效優(yōu)化。杭州國(guó)磊GT600的模塊化設(shè)計(jì)也便于擴(kuò)展，可針對(duì)不同芯粒配置**測(cè)試板卡。在Chiplet技術(shù)快速發(fā)展的***，杭州國(guó)磊GT600以高精度互聯(lián)驗(yàn)證能力，為國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝芯片的可靠性與性能保駕護(hù)航。立即聯(lián)系我們，獲取專屬的產(chǎn)品演示與報(bào)價(jià)。國(guó)產(chǎn)GEN測(cè)試系統(tǒng)精選廠家

國(guó)磊GT600SoC測(cè)試機(jī)通過加載Pattern，驗(yàn)證SoC邏輯（如CPU、NPU、DSP）的功能正確性與邏輯測(cè)試及向量測(cè)試。高性能CAF測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商

    杭州國(guó)磊（Guolei）SoC測(cè)試系統(tǒng)（以GT600為**）雖主要面向高性能系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）的數(shù)字與混合信號(hào)測(cè)試，但憑借其高精度模擬測(cè)量、靈活電源管理、高速數(shù)字接口驗(yàn)證及并行測(cè)試能力，能夠有效支持多種MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）。以下是其具體支持的典型MEMS應(yīng)用場(chǎng)景：1.慣性測(cè)量單元（IMU）IMU廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、無人機(jī)、AR/VR設(shè)備及智能駕駛系統(tǒng)，通常集成3軸加速度計(jì)+3軸陀螺儀（6DoF）甚至磁力計(jì)（9DoF）。其配套ASIC需完成微弱電容信號(hào)調(diào)理、Σ-ΔADC轉(zhuǎn)換、溫度補(bǔ)償和SPI/I2C通信。杭州國(guó)磊（Guolei）支持點(diǎn)：利用24位高精度Digitizer板卡捕獲nV~μV級(jí)模擬輸出；通過TMU（時(shí)間測(cè)量單元）驗(yàn)證陀螺儀響應(yīng)延遲與帶寬；使用400MHz數(shù)字通道測(cè)試高速SPI接口時(shí)序（眼圖、抖動(dòng)）；PPMU每引腳**供電，精確測(cè)量各工作模式功耗。 高性能CAF測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商