EDI電除鹽模塊清洗及消毒模式

 ?直通逆流（低及高pH值都可）再循環(huán)（氧化劑）

 ?可選清洗模式: 再循環(huán),或直通,順流(低及高 pH值都可)

步驟

 注意: 以下列出的流速為直通情況。再循環(huán)清洗及消毒過(guò)程在通常情況下都以相同流速進(jìn)行。

 ?步驟 1. 氯化鈉 NaCl 2%, 5 L (1.3 gal), 0.25 - 0.50 L/min(0.07 - 0.13 gpm)

 ?步驟 2.

 a) 低pH值: 鹽酸HCl 1.8%, 6 L (1.6 gal), 0.1 - 0.2 L/min (0.026 - 0.053 gpm)

或

 b) 高pH值: 氫氧化鈉NaOH 1%, 7 L (1.8 gal), 0.12 - 0.23 L/min (0.03 – 0.06 gpm)

或

 c) 氧化劑: 醋酸 CH3COOOH 0.04% +過(guò)氧化氫H2O2 0.2%, 1 L (0.26 gal)

 ?按照說(shuō)明書配制用于商業(yè)濃度的RO消毒溶液（閱讀上面所提的清洗化學(xué)品規(guī)范要求）。總體來(lái)說(shuō)，濃水為已用水按1：100的比例稀釋過(guò)。

 ? (*按照步驟 2a或 2b 步驟 2c后不要求.)

 氯化鈉 NaCl 2%, 5 L (1.3 gal), 0.25 - 0.50 L/min(0.07 - 0.13 gpm)

 ?步驟 4.水沖洗: 將RO產(chǎn)水水質(zhì)的水引入濃水管線環(huán)中直到產(chǎn)水電導(dǎo)率>0.02 MO或等 同于進(jìn)水(至少為 2 L (0.5 gal))

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離子進(jìn)入濃水室后，由于陽(yáng)離子無(wú)法穿過(guò)陰離子交換膜，因此其將被截留在濃水室，同樣，陰離子無(wú)法穿過(guò)陽(yáng)離子交換膜，被截留在濃水室，這樣陰陽(yáng)離子將隨濃水流被排出模塊；此外，由于進(jìn)水中的離子被不斷地去除，那么淡水的純度將不斷提高，在由模塊出來(lái)的時(shí)候，其純度可以達(dá)到接近理論純水的水平。

c.  水分子在電的作用下被不斷地離解為H+和OH- 和OH- 將分別使得被消耗的陽(yáng)/陰樹(shù)脂連續(xù)再生。

過(guò)程a和過(guò)程c是樹(shù)脂的消耗和再生的兩個(gè)相反過(guò)程，這兩者會(huì)在模塊內(nèi)部形成一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡。

淡水可從模塊底部進(jìn)入淡水室，從頂部出來(lái)；淡水也可從模塊頂部進(jìn)入模塊，則從模塊底部出來(lái)；極水的進(jìn)水與淡水進(jìn)水同為一水流，只是分別進(jìn)入不同的室（極水室和濃水室），并從模塊頂部排出。

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(3)濁度、污染指 數(shù)(SDI)的影響。

  EDI組件產(chǎn)水通道內(nèi)填充有離子交換樹(shù)脂，過(guò)高的濁度、污染指 數(shù)會(huì)使通道堵塞，造成系統(tǒng)壓差上升，產(chǎn)水量下降。

(4)硬度的影響。

 如果IONPUREEDI模塊中進(jìn)水的殘存硬度太高，會(huì)導(dǎo)致濃縮水通道的膜表面結(jié)垢，濃水流量下降，產(chǎn)水電阻率下降;影響產(chǎn)水水質(zhì)，嚴(yán)重時(shí)會(huì)堵塞組件濃水和極水流道，導(dǎo)致組件因內(nèi)部發(fā)熱而毀壞。

(5) TOC(總有機(jī)碳)的影響。

 進(jìn)水中如果有機(jī)物含量過(guò)高，會(huì)造成樹(shù)脂和選擇透過(guò)性膜的有機(jī)污染，導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行電壓上升，產(chǎn)水水質(zhì)下降。同時(shí)也容易在濃縮水通道形成有機(jī)膠體，堵塞通道。

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