DDR 系統(tǒng)概述

DDR 全名為 Double Data Rate SDRAM ，簡稱為 DDR。DDR 本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀/寫數據，因而其數據速率是標準 SDRAM 的兩倍，至于地址與控制信號與傳統(tǒng) SDRAM 相同，仍在時鐘上升沿進行數據判決。  DDR 與 SDRAM 的對比DDR 是一個總線系統(tǒng)，總線包括地址線、數據信號線以及時鐘、控制線等。其中數據信號線可以隨著系統(tǒng)吞吐量的帶寬而調整，但是必須以字節(jié)為單位進行調整，例如，可以是 8 位、16 位、24 位或者 32 位帶寬等。 所示的是 DDR 總線的系統(tǒng)結構，地址和控制總線是單向信號，只能從控制器傳向存儲芯片，而數據信號則是雙向總線。

DDR 總線的系統(tǒng)結構DDR 的地址信號線除了用來尋址以外，還被用做控制命令的一部分，因此，地址線和控制信號統(tǒng)稱為地址/控制總線。DDR 中的命令狀態(tài)真值表。可以看到，DDR 控制器對存儲系統(tǒng)的操作，就是通過控制信號的狀態(tài)和地址信號的組合來完成的。 DDR 系統(tǒng)命令狀態(tài)真值表 DDR3一致性測試是否適用于特定應用程序和軟件環(huán)境？通信DDR3測試銷售電話

· 工業(yè)規(guī)范標準，Specification：如果所設計的功能模塊要實現(xiàn)某種工業(yè)標準接口或者協(xié)議，那一定要找到相關的工業(yè)規(guī)范標準，讀懂規(guī)范之后，才能開始設計。

因此，為實現(xiàn)本設計實例中的 DDR 模塊，需要的技術資料和文檔。

由于我們要設計 DDR 存儲模塊，那么在所有的資料當中，應該較早了解 DDR 規(guī)范。通過對 DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R」的閱讀，我們了解到，設計一個 DDR 接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC，AC 特性及信號時序特征。下面我們從設計規(guī)范要求和器件本身特性兩個方面來解讀，如何在設計中滿足設計要求。 眼圖測試DDR3測試熱線DDR3內存的一致性測試可以修復一致性問題嗎？

單擊Check Stackup,設置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(Permittivity (Er))及介質損耗(LossTangent)。

 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號網絡、部分信號網絡或者網絡組(Net Gr。叩s)。可以通過 Prepare Nets步驟來選擇需要檢查的網絡。本例釆用的是檢查網絡組。檢查網絡組會生成較詳 細的阻抗和耦合檢查結果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Setup Net Groups Wizard 窗口。

在Setup NG Wizard窗口中依次指定Tx器件、Rx器件、電源地網絡、無源器件及 其模型。

DDR3（Double Data Rate 3）是一種常見的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）標準，它定義了數據傳輸和操作時的時序要求。以下是DDR3規(guī)范中常見的時序要求：

初始時序（Initialization Timing）tRFC：內存行刷新周期，表示在關閉時需要等待多久才能開啟并訪問一個新的內存行。tRP/tRCD/tRA：行預充電時間、行開放時間和行訪問時間，分別表示在執(zhí)行讀或寫操作之前需要預充電的短時間、行打開后需要等待的短時間以及行訪問的持續(xù)時間。tWR：寫入恢復時間，表示每次寫操作之間小需要等待的時間。數據傳輸時序（Data Transfer Timing）tDQSS：數據到期間延遲，表示內存控制器在發(fā)出命令后應該等待多長時間直到數據可用。tDQSCK：數據到時鐘延遲，表示從數據到達內存控制器到時鐘信號的延遲。tWTR/tRTW：不同內存模塊之間傳輸數據所需的小時間，包括列之間的轉換和行之間的轉換。tCL：CAS延遲，即列訪問延遲，表示從命令到讀或寫操作的有效數據出現(xiàn)之間的延遲。刷新時序（Refresh Timing）tRFC：內存行刷新周期，表示多少時間需要刷新一次內存行。 是否可以在已通過一致性測試的DDR3內存模塊之間混搭？

容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內存模塊的容量和組織方式。DDR內存模塊的容量可以根據規(guī)范支持不同的大小，如1GB、2GB、4GB等。DDR內存模塊通常以多個內存芯片排列組成，其中每個內存芯片被稱為一個芯粒（die），多個芯粒可以組成密集的內存模塊。電氣特性：DDR規(guī)范還定義了內存模塊的電氣特性，包括供電電壓、電流消耗、輸入輸出電平等。這些電氣特性對于確保DDR內存模塊的正常工作和兼容性至關重要。兼容性：DDR規(guī)范還考慮了兼容性問題，確保DDR內存模塊能夠與兼容DDR接口的主板和控制器正常配合。例如，保留向后兼容性，允許支持DDR接口的控制器工作在較低速度的DDR模式下。是否可以在運行操作系統(tǒng)時執(zhí)行DDR3一致性測試？通信DDR3測試銷售電話

DDR3內存的一致性測試是否需要長時間運行？通信DDR3測試銷售電話

還可以給這個Bus設置一個容易區(qū)分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關系設置好了。

重復以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節(jié)Byte3。

開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號，以及時鐘信號的時序關系。因為沒有多個Rank, 所以本例將把地址命令信號和控制信號合并仿真分析。操作和步驟2大同小異，首先新建一 個Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意，不要與一列的Clock混淆，Clock列只對應Strobe信號），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。 通信DDR3測試銷售電話