國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級溫控精度支撐光刻工藝，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，減少光刻膠涂布缺陷。加熱面劃分 6 個**溫控區(qū)域，通過仿真優(yōu)化的加熱元件布局，使溫度均勻性達 ±0.5℃，避免烘烤過程中因溫度差異導致的光刻膠膜厚不均。溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 60℃至 150℃，升溫速率 10℃/ 分鐘，搭配無接觸紅外測溫系統(tǒng)，實時監(jiān)測晶圓表面溫度并動態(tài)調(diào)節(jié)。設備兼容 6 英寸至 12 英寸光刻機配套需求，與 ASML、尼康等設備的制程參數(shù)匹配，為光刻膠的軟烘、堅膜等關鍵步驟提供穩(wěn)定溫控環(huán)境。密封式設計防潮防塵耐腐蝕，適用于復雜環(huán)境特殊氣氛。奉賢區(qū)探針測試加熱盤

針對車載半導體高可靠性需求，國瑞熱控測試加熱盤適配 AEC-Q100 標準。采用**級鋁合金基材，通過 - 55℃至 150℃高低溫循環(huán)測試 5000 次無變形，加熱面平整度誤差小于 0.03mm。溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 - 40℃至 200℃，升降溫速率達 30℃/ 分鐘，可模擬車載芯片在極端環(huán)境下的工作狀態(tài)。配備 100 組可編程溫度曲線，支持持續(xù) 1000 小時老化測試，與比亞迪半導體、英飛凌等企業(yè)適配，通過溫度沖擊、濕熱循環(huán)等可靠性驗證，為新能源汽車電控系統(tǒng)提供質(zhì)量保障。黃浦區(qū)陶瓷加熱盤表面特殊處理工藝，耐腐蝕易清潔，適用于各種復雜工作環(huán)境。

國瑞熱控 12 英寸半導體加熱盤專為先進制程量產(chǎn)需求設計，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內(nèi)，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內(nèi)部采用分區(qū)式加熱元件布局，劃分 8 個**溫控區(qū)域，配合高精度鉑電阻傳感器，實現(xiàn) ±0.8℃的控溫精度，滿足 7nm 至 14nm 制程對溫度均勻性的嚴苛要求。設備支持真空吸附與靜電卡盤雙重固定方式，適配不同類型的反應腔結(jié)構(gòu)，升溫速率達 20℃/ 分鐘，工作溫度范圍覆蓋室溫至 600℃，可兼容 PVD、CVD、刻蝕等多道關鍵工藝。通過與中芯國際、長江存儲等企業(yè)的深度合作，已實現(xiàn)與國產(chǎn) 12 英寸晶圓生產(chǎn)線的無縫對接，為先進制程規(guī)?；a(chǎn)提供穩(wěn)定溫控支撐。

國瑞熱控針對離子注入后雜質(zhì)***工藝，開發(fā)**加熱盤適配快速熱退火需求。采用氮化鋁陶瓷基材，熱導率達 200W/mK，熱慣性小，升溫速率達 60℃/ 秒，可在幾秒內(nèi)將晶圓加熱至 1000℃，且降溫速率達 40℃/ 秒，減少熱預算對晶圓的影響。加熱面采用激光打孔工藝制作微小散熱孔，配合背面惰性氣體冷卻，實現(xiàn)晶圓正反面溫度均勻（溫差小于 2℃）。配備紅外高溫計實時監(jiān)測晶圓表面溫度，測溫精度 ±2℃，通過 PID 控制確保溫度穩(wěn)定，適配硼、磷等不同雜質(zhì)的***溫度需求（600℃-1100℃）。與應用材料離子注入機適配，使雜質(zhì)***率提升至 95% 以上，為半導體器件的電學性能調(diào)控提供關鍵支持。無錫國瑞熱控科技，專注加熱盤研發(fā)制造，是您值得信賴的合作伙伴。

借鑒晶圓鍵合工藝的技術需求，國瑞熱控鍵合**加熱盤創(chuàng)新采用真空吸附與彈簧壓塊復合結(jié)構(gòu)，通過彈簧壓力限制加熱平臺受熱膨脹，高溫下表面平整度誤差控制在 0.02mm 以內(nèi)。加熱盤主體采用因瓦合金與氮化鋁復合基材，兼具低熱膨脹系數(shù)與高導熱性，溫度均勻性達 ±1.5℃，適配室溫至 450℃的鍵合溫度需求。底部設計雙層隔熱結(jié)構(gòu)，***層阻隔熱量向下傳導，第二層快速散熱避免設備腔體溫升過高。配備精細壓力控制模塊，可根據(jù)鍵合類型調(diào)整吸附力，在硅 - 硅直接鍵合、金屬鍵合等工藝中確保界面貼合緊密，提升鍵合良率。升溫迅速表面溫差小，配備過熱保護功能，確保使用安全，為設備護航。常州半導體晶圓加熱盤定制

特殊尺寸功率定制，快速響應需求，量身打造方案。奉賢區(qū)探針測試加熱盤

針對半導體晶圓研磨后的應力釋放需求，國瑞熱控**加熱盤以溫和溫控助力晶圓性能穩(wěn)定。采用鋁合金基體與柔性導熱墊層復合結(jié)構(gòu)，導熱墊層硬度 Shore A 30，可貼合研磨后晶圓表面微小凹凸，確保熱量均勻傳遞。溫度調(diào)節(jié)范圍 30℃-150℃，控溫精度 ±0.8℃，支持階梯式升溫（每階段升溫 5℃-10℃，保溫 10-30 分鐘），緩慢釋放晶圓內(nèi)部機械應力。配備氮氣保護系統(tǒng)，避免加熱過程中晶圓表面氧化，且加熱盤表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm，無顆粒劃傷晶圓風險。與硅產(chǎn)業(yè)集團、中環(huán)股份等晶圓廠商合作，使研磨后晶圓翹曲度降低 20% 以上，提升后續(xù)光刻、刻蝕工藝的良率。奉賢區(qū)探針測試加熱盤

無錫市國瑞熱控科技有限公司是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在江蘇省等地區(qū)的電工電氣中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身的努力和大家共同進步的結(jié)果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同無錫市國瑞熱控科技供應和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！