國瑞熱控金屬加熱盤突破海外技術壁壘，實現復雜結構產品量產能力。采用不銹鋼精密加工一體化成型，通過五軸聯動機床制造螺紋斜孔等復雜結構，加熱面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。內置螺旋狀不銹鋼加熱元件，經真空焊接工藝與基體緊密結合，熱效率達 90%，升溫速率 25℃/ 分鐘，工作溫度范圍室溫至 500℃。設備具備 1000 小時無故障運行能力，通過國內主流客戶認證，可直接替換進口同類產品，在勻氣盤集成等場景中表現優異，助力半導體設備精密零部件國產化。熱解決方案伙伴，深入探討共同優化工藝熱管理。崇明區涂膠顯影加熱盤

在半導體離子注入工藝中，國瑞熱控配套加熱盤以穩定溫控助力摻雜濃度精細控制。其采用耐高溫合金基材，經真空退火處理消除內部應力，可在 400℃高溫下長期穩定運行而不變形。加熱盤表面噴涂絕緣耐離子轟擊涂層，避免電荷積累對注入精度的干擾，同時具備優良的導熱性能，能快速將晶圓預熱至設定溫度并保持恒定。設備配備雙路溫度監測系統，分別監控加熱元件與晶圓表面溫度，當出現偏差時自動啟動調節機制，溫度控制精度達 ±1℃。適配不同型號離子注入機，通過標準化接口實現快速安裝，為半導體摻雜工藝的穩定性與重復性提供有力支持。楊浦區高精度均溫加熱盤廠家工業級耐用加熱盤，耐腐蝕抗沖擊，適應嚴苛工況環境。

針對原子層沉積工藝對溫度的嚴苛要求，國瑞熱控 ALD **加熱盤采用多分區溫控設計，通過仿真優化加熱絲布局，確保表面溫度分布均勻性符合精密制程標準。設備溫度調節范圍覆蓋室溫至 600℃，升溫速率可達 25℃/ 分鐘，搭配鉑電阻傳感器實現 ±0.1℃的控溫精度，滿足 ALD 工藝中前驅體吸附與反應的溫度窗口需求。采用氮化鋁陶瓷基底與密封結構，在真空環境下無揮發性物質釋放，且能抵御反應腔體內腐蝕性氣體侵蝕。適配 8 英寸至 12 英寸晶圓規格，通過標準化接口與拓荊、中微等廠商的 ALD 設備無縫兼容，為原子層沉積的高保形性薄膜制備提供保障。

針對半導體載板制造中的溫控需求，國瑞熱控**加熱盤以高穩定性適配載板鉆孔、電鍍等工藝。采用不銹鋼基材經硬化處理，表面硬度達 HRC50 以上，耐受載板加工過程中的機械沖擊無變形。加熱元件采用蛇形分布設計，加熱面溫度均勻性達 ±1℃，溫度調節范圍 40℃-180℃，適配載板預加熱、樹脂固化等環節。配備真空吸附系統，可牢固固定不同尺寸載板（50mm×50mm 至 300mm×300mm），避免加工過程中位移導致的精度偏差。與深南電路、興森快捷等載板廠商合作，支持 BT 樹脂、玻璃纖維等不同材質載板加工，為 Chiplet 封裝、扇出型封裝提供高質量載板保障。無錫國瑞熱控科技，專注加熱盤研發制造，是您值得信賴的合作伙伴。

國瑞熱控推出加熱盤節能改造方案，針對存量設備能耗高問題提供系統升級。采用石墨烯導熱涂層技術提升熱傳導效率，配合智能溫控算法優化加熱功率輸出，使單臺設備能耗降低 20% 以上。改造內容包括加熱元件更換、隔熱層升級與控制系統迭代，保留原有設備主體結構，改造成本*為新設備的 40%。升級后的加熱盤溫度響應速度提升 30%，溫度波動控制在 ±1℃以內，符合半導體行業節能標準。已為華虹半導體等企業完成 200 余臺設備改造，年節約電費超百萬元，助力半導體工廠實現綠色生產轉型。熱場分布均勻，避免局部過熱，保護樣品質量一致。北京晶圓級陶瓷加熱盤供應商

工業級耐用加熱盤，耐腐蝕抗沖擊，適應嚴苛工況，保障生產連續性。崇明區涂膠顯影加熱盤

面向半導體新材料研發場景，國瑞熱控高溫加熱盤以寬溫域與高穩定性成為科研工具。采用石墨與碳化硅復合基材，工作溫度范圍覆蓋 500℃-2000℃，可通過程序設定實現階梯式升溫，升溫速率調節范圍 0.1-10℃/ 分鐘。加熱面配備 24 組測溫點，實時監測溫度分布，數據采樣頻率達 10Hz，支持與實驗室數據系統對接。設備體積緊湊（直徑 30cm），重量* 5kg，配備小型真空腔體與惰性氣體接口，適配薄膜沉積、晶體生長等多種實驗需求，已服務于中科院半導體所等科研機構。崇明區涂膠顯影加熱盤

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