針對等離子體刻蝕環境的特殊性，國瑞熱控配套加熱盤采用藍寶石覆層與氮化鋁基底的復合結構，表面硬度達莫氏 9 級，可耐受等離子體長期轟擊而無材料脫落。加熱盤內部嵌入鉬制加熱絲，經后嵌工藝固定，避免高溫下電極氧化影響加熱性能，工作溫度范圍覆蓋室溫至 500℃，控溫精度 ±1℃。底部設計環形冷卻通道，與加熱元件形成熱平衡調節系統，快速響應刻蝕過程中的溫度波動。設備采用全密封結構，電氣強度達 2000V/1min，在氟基、氯基刻蝕氣體環境中絕緣性能穩定，適配中微半導體刻蝕機等主流設備，為圖形轉移工藝提供可靠溫控。多重安全保護設計，漏電過載超溫防護，構建安全工作環境。天津晶圓級陶瓷加熱盤非標定制

針對化學氣相沉積工藝的復雜反應環境，國瑞熱控 CVD 電控加熱盤以多維技術創新**溫控難題。加熱盤內置多區域**溫控模塊，可根據反應腔不同區域需求實現差異化控溫，溫度調節范圍覆蓋室溫至 600℃，滿足各類 CVD 反應的溫度窗口要求。采用特種絕緣材料與密封結構設計，能耐受反應腔內部腐蝕性氣體侵蝕，同時具備 1500V/1min 的電氣強度，無擊穿閃絡風險。搭配高精度鉑電阻傳感器，實時測溫精度達 ±0.5℃，通過 PID 閉環控制確保溫度波動小于 ±1℃，為晶圓表面材料的均勻沉積與性能穩定提供關鍵保障，適配集成電路制造的規模化生產需求。松江區加熱盤生產廠家深厚熱控經驗，針對性選型建議，解決應用難題。

國瑞熱控針對半導體量子點制備需求，開發**加熱盤適配膠體化學合成工藝。采用聚四氟乙烯密封腔體與不銹鋼加熱基體復合結構，耐有機溶劑腐蝕，且無金屬離子溶出污染量子點溶液。內置高精度溫度傳感器，測溫精度達 ±0.1℃，溫度調節范圍 25℃-300℃，支持 0.1℃/ 分鐘的慢速升溫，為量子點成核、生長提供精細熱環境。配備磁力攪拌協同系統，使溶液溫度與攪拌速率同步可控，確保量子點尺寸均一性（粒徑偏差小于 5%）。與中科院化學所等科研團隊合作，成功制備 CdSe、PbS 等多種量子點，其熒光量子產率達 80% 以上，為量子點顯示、生物成像等領域提供**制備設備。

為解決加熱盤長期使用后的溫度漂移問題，國瑞熱控開發**校準模塊，成為半導體生產線的精度保障利器。模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設計，測溫精度達 ±0.05℃，可覆蓋室溫至 800℃全溫度范圍，適配不同材質加熱盤的校準需求。配備便攜式數據采集終端，支持實時顯示溫度分布曲線與偏差分析，數據可通過 USB 導出形成校準報告。校準過程無需拆卸加熱盤，通過磁吸式貼合加熱面即可完成檢測，單臺設備校準時間縮短至 30 分鐘以內。適配國瑞全系列半導體加熱盤，同時兼容 Kyocera、CoorsTek 等國際品牌產品，幫助企業建立完善的溫度校準體系，確保工藝參數的一致性與可追溯性。高效穩定耐用三大優勢，廣泛應用于塑料封裝材料合成等領域。

國瑞熱控針對硒化銦等二維半導體材料制備需求，開發**加熱盤適配 “固 - 液 - 固” 相變生長工藝。采用高純不銹鋼基體加工密封腔體，內置銦原子蒸發溫控模塊，可精細控制銦蒸汽分壓，確保硒與銦原子比穩定在 1:1。加熱面溫度均勻性控制在 ±0.5℃，升溫速率可低至 0.5℃/ 分鐘，為非晶薄膜向高質量晶體轉化提供穩定熱環境。設備支持 5 厘米直徑晶圓級制備，配合惰性氣體保護系統，避免材料氧化，與北京大學等科研團隊合作驗證，助力高性能晶體管陣列構建，其電學性能指標可達 3 納米硅基芯片的 3 倍。精確穩定溫度環境，提升產品質量一致性，是關鍵工藝保障。陜西高精度均溫加熱盤

高效電熱轉換效率，降低運營成本，實現綠色生產目標。天津晶圓級陶瓷加熱盤非標定制

針對原子層沉積工藝對溫度的嚴苛要求，國瑞熱控 ALD **加熱盤采用多分區溫控設計，通過仿真優化加熱絲布局，確保表面溫度分布均勻性符合精密制程標準。設備溫度調節范圍覆蓋室溫至 600℃，升溫速率可達 25℃/ 分鐘，搭配鉑電阻傳感器實現 ±0.1℃的控溫精度，滿足 ALD 工藝中前驅體吸附與反應的溫度窗口需求。采用氮化鋁陶瓷基底與密封結構，在真空環境下無揮發性物質釋放，且能抵御反應腔體內腐蝕性氣體侵蝕。適配 8 英寸至 12 英寸晶圓規格，通過標準化接口與拓荊、中微等廠商的 ALD 設備無縫兼容，為原子層沉積的高保形性薄膜制備提供保障。天津晶圓級陶瓷加熱盤非標定制

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