得指出的是,EUV光刻技術的研發始于20世紀80年代。**早希望在半周期為70nm的節點(對應邏輯器件130nm節點)就能用上EUV光刻機 [1]。可是,這一技術一直達不到晶圓廠量產光刻所需要的技術指標和產能要求。一拖再拖,直到2016年,EUV光刻機仍然沒能投入量產。晶圓廠不得不使用193nm浸沒式光刻機,依靠雙重光刻的辦法來實現32nm存儲器件、20nm和14nm邏輯器件的生產。不斷延誤,對EUV技術來說,有利也有弊。一方面,它可以獲得更多的時間來解決技術問題,提高性能參數;另一方面,下一個技術節點會對EUV提出更高的要求。無掩模激光直寫系統利用激光直接在基材上成像,適用于柔性電子器件制造等領域 [5]。徐州本地光刻系統按需定制

c、水坑(旋覆浸沒)式顯影(Puddle Development)。噴覆足夠(不能太多,**小化背面濕度)的顯影液到硅片表面,并形成水坑形狀(顯影液的流動保持較低,以減少邊緣顯影速率的變化)。硅片固定或慢慢旋轉。一般采用多次旋覆顯影液:***次涂覆、保持10~30秒、去除;第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗(去除硅片兩面的所有化學品)并旋轉甩干。優點:顯影液用量少;硅片顯影均勻;**小化了溫度梯度。顯影液:a、正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因為會帶來可動離子污染(MIC,Movable Ion Contamination),所以在IC制造中一般不用。吳中區本地光刻系統批量定制對準方法:a、預對準,通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準;

掃描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,〉1μm工藝;掩膜板1:1,全尺寸;步進重復投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper)。80年代末~90年代,0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板縮小比例(4:1),曝光區域(Exposure Field)22×22mm(一次曝光所能覆蓋的區域)。增加了棱鏡系統的制作難度。01:13步進掃描光刻機 芯片工程師教程掃描步進投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光區域(Exposure Field)26×33mm。優點:增大了每次曝光的視場;提供硅片表面不平整的補償;提高整個硅片的尺寸均勻性。但是,同時因為需要反向運動,增加了機械系統的精度要求。
邊緣光刻膠的去除光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法:a、化學的方法(Chemical EBR)。軟烘后,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反面邊緣處,并小心控制不要到達光刻膠有效區域;b、光學方法(Optical EBR)。即硅片邊緣曝光(WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成圖形的曝光后,用激光曝光硅片邊緣,然后在顯影或特殊溶劑中溶解截至2024年12月,EUV技術已應用于2nm芯片量產,但仍需優化光源和光刻膠性能。

浸沒式光刻機是通過在物鏡與晶圓之間注入超純水,等效縮短光源波長并提升數值孔徑,從而實現更高分辨率的半導體制造**設備。2024年9月工信部文件顯示,國產氟化氬浸沒式光刻機套刻精度已達到≤8nm水平。該技術研發涉及浸液系統、光學控制等多項復雜工藝,林本堅團隊在浸液系統領域取得關鍵突破。目前國產ArF光刻機在成熟制程(如28nm)上有應用潛力,但與ASML同類產品仍存在代差 [1]。通過浸液系統在物鏡和晶圓之間填充超純水,將193nm的氟化氬激光等效縮短為134nm波長,同時將數值孔徑提升至1.35以上,***增強光刻分辨率 [1]。該技術相比干式光刻機,可突破物理衍射極限。目的:a、除去表面的污染物(顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子);常州比較好的光刻系統多少錢
顆粒控片(Particle MC):用于芯片上微小顆粒的監控,使用前其顆粒數應小于10顆;徐州本地光刻系統按需定制
在曝光過程中,需要對不同的參數和可能缺陷進行跟蹤和控制,會用到檢測控制芯片/控片(Monitor Chip)。根據不同的檢測控制對象,可以分為以下幾種:a、顆粒控片(Particle MC):用于芯片上微小顆粒的監控,使用前其顆粒數應小于10顆;b、卡盤顆粒控片(Chuck Particle MC):測試光刻機上的卡盤平坦度的**芯片,其平坦度要求非常高;c、焦距控片(Focus MC):作為光刻機監控焦距監控;d、關鍵尺寸控片(Critical Dimension MC):用于光刻區關鍵尺寸穩定性的監控;徐州本地光刻系統按需定制
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