中文名單向可控硅外文名SCR:SiliconControlledRectifier別名可控硅整流器性質電子元件目錄1結構控制2對比3引腳區分4性能檢測5單向和雙向可控硅的區分單向可控硅結構控制編輯單向可控硅為具有三個PN結的四層結構，由外層的P層、N層引出兩個電極――陽極A和陰極K，由中間的P層引出控制極G。電路符號好像為一只二極管，但好多一個引出電極――控制極或觸發極G。SCR或MCR為英文縮寫名稱。從控制原理上可等效為一只PNP三極管和一只NPN三極管的連接電路，兩管的基極電流和集電極電流互為通路，具有強烈的正反反饋作用。一旦從G、K回路輸入NPN管子的基極電流，由于正反饋作用，兩管將迅即進入飽合導通狀態?？煽毓鑼ㄖ螅膶顟B完全依靠管子本身的正反饋作用來維持，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導通狀態?？刂菩盘朥GK的作用是觸發可控硅使其導通，導通之后，控制信號便失去控制作用。單向可控硅的導通需要兩個條件：1）A、K之間加正向電壓；2）G、K之間輸入一個正向觸發電流信號，無論是直流或脈沖信號。若欲使可控硅關斷，也有兩個關斷條件：1）使正向導通電流值小于其工作維持電流值；2）使A、K之間電壓反向。可見，可控硅器件若用于直流電路?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。遼寧進口Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售廠

    其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產生一個高電壓，這個電壓通過電源的內阻加在開關觸點的兩端，然后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產生極大的脈沖束。這些脈沖束疊加在供電電壓上，并且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈沖具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負載的開關點是一個很強的噪聲源。：為防止或減小噪聲，對于移相控制式交流調壓一般的處理方法有電感電容濾波電路，阻容阻尼電路和雙向二極管阻尼電路及其它電路。：電感電容濾波電路，由電感電容構成諧振回路，其低通截止頻率為f=1/2π雙向可控硅Ic，一般取數十千赫低頻率。：雙向二極管阻尼電路。由于二極管是反向串聯的，所以它對輸入信號極性不敏感。當負載被電源激勵時，抑制電路對負載無影響。當電感負載線圈中電流被切斷時，則在抑制電路中有瞬態電流流過，因此就避免了感應電壓通過開關接點放電，也就減小了噪聲，但是要求二極管的反向電壓應比可能出現的任何瞬態電壓高。另一個是額定電流值要符合電路要求。：電阻電容阻尼電路。上海好的Mitsubishi三菱可控硅模塊供應雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。

    它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件?？煽毓杞Y構示意圖和符號圖可控硅工作原理編輯可控硅結構原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下。

    j-a)ThermalResistanceJunction-to-ambient熱阻-結到環境-℃/WIGTTriggeringgatecurrent門極觸發電流為了使可控硅可靠觸發，觸發電流Igt選擇25度時max值的α倍，α為門極觸發電流—結溫特性系數，查數據手冊可得，取特性曲線中低工作溫度時的系數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常選型時α取大于。mAIHHoldingCurrent維持電流維持可控硅維持通態所必需的小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。mAILLatchingCurrent(IGT3)接入電流(第三象限)/擎住電流擎住電流是晶閘管剛從斷態轉入通態并移除觸發信號后，能維持導通所需的小電流。對同一晶閘管來說，通常IL約為IH的2--4倍。mAIDOff-stateleakagecurrent斷態漏電流-mAVGTTriggeringgatevoltage門極觸發電壓—可以選擇Vgt25度時max值的β倍。β為門極觸發電壓—結溫特性系數，查數據手冊可得，取特性曲線中低工作溫度時的系數。若對器件工作環境溫度無特殊需要，通常選擇時β取1~。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。

    因此不存在反向擊穿問題。但當外加電壓瞬時超過阻斷電壓時，SCR1、SCR2會誤導通，導通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構成普通移相觸發電路，其原理這里從略。SCR1、SCR2選用封裝好的可控硅模塊(110A/1000V)，SCR3選用BTl36，即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負載，應增加R4，C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護，防止負載斷開和接通瞬間產生很高的感應電壓損壞可控硅。雙向可控硅工作原理編輯1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic。2.此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由于觸發信號只起觸發作用。一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路。上海好的Mitsubishi三菱可控硅模塊供應

它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，大功率驅動器件，實現小功率控件控制大功率設備。遼寧進口Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售廠

    當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。遼寧進口Mitsubishi三菱可控硅模塊銷售廠