可控硅基礎知識環昕微可控硅基礎知識，缺少一個價電子而在共價鍵中留下一個空穴。在P型半導體中空穴是多數載流子，它主要由摻雜形成；自由電子是少數載流子，由熱激發形成。空穴很容易俘獲電子，使雜質原子成為負離子。三價雜質因而也稱為受主雜質。，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子。在N型半導體中自由電子是多數載流子，它主要由雜質原子提供；空穴是少數載流子,由熱激發形成。提供自由電子的五價雜質原子因帶正電荷而成為正離子，因此五價雜質原子也稱為施主雜質。在P型半導體和N型半導體結合后，由于N型區內電子很多而空穴很少，而P型區內空穴很多電子很少，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差別。這樣，電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴散。于是，有一些電子要從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子,N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區，就是所謂的PN結。4.單向可控硅介紹（1）4.單向可控硅介紹。允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。江蘇加工英飛凌可控硅代理商

    電子捕魚器聲波捕魚器數碼捕魚機，捕魚機,電魚機,超聲波捕魚器,變壓器;振動電磁鐵;磁力鎖;環形變壓器;電源變壓器;振動盤調速器;高壓變壓器;隔離變壓器;自耦變壓器;包裝機變壓器，穩壓器、變壓器、調壓器,調電烙鐵,調光臺燈,可調萬用電爐,電爐,馬達控制器。半導體電子元件特點：動作快,壽命長,可靠性好,在調速，調光，調溫以及其它各種控制電路已成熟大量應用,效率高,控制特性好,壽命長,體積小。8.可控硅參數符號IT(AV)--通態平均電流VRRM--反向反復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流ITSM--通態一個周波不反復浪涌電流VTM--通態峰值電壓IGT--門極觸發電流VGT--門極觸發電壓IH--維持電流dv/dt--斷態電壓臨界上升率di/dt--通態電流臨界上升率Rthjc--結殼熱阻VISO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結溫VDRM--斷態重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流9.絕緣與非絕緣區別T2與Tab散熱片不連通T2與Tab散熱片連通絕緣就是散熱片不帶電。不絕緣就是散熱片帶電。絕緣的有兩種，外絕緣和內絕緣。外絕緣就是在散熱片上包裹黑色塑料，我們稱之為塑封。內絕緣就是在芯片和散熱片之間加了一層陶瓷，由陶瓷和散熱片接觸。陶瓷是絕緣體。10.可控硅損壞原因。江蘇加工英飛凌可控硅代理商合上電源開關S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通；再按一下按鈕開關SB，給控制極輸入一個觸發電壓。

    1）.過壓擊穿可控硅不能承受電壓而損壞，可控硅對過壓的承受能力幾乎沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內過壓也會被擊穿。過壓擊穿特征：芯片中有一個光潔的小孔。檢查可控硅兩端RC吸收回路是否有燒壞或失效的，即可避免干擾脈沖所引起的瞬間過壓。（2）過流擊穿電流超過額定電流，并在可控硅芯片內部產生熱效應，使芯片溫度升高，失效且不能恢復。過流擊穿特征：電子元器件表面有燒焦現象，痕跡特征是芯片出現坑洞。選擇可控硅耐壓2~3倍。（3）過熱擊穿工作電流并不超過可控硅額定電流的情況下而發生的熱擊穿。特征：電子元器件表面有燒焦現象，痕跡特征是芯片出現坑洞。注意環境溫度，保持可控硅與散熱器之間的接觸面良好。11.可控硅電壓說明功率器件的耐壓與市電輸入電壓有直接關系，通常情況下，功率器件的耐壓是市電輸入電壓的三倍。故，正反向耐壓計算公式為：輸入電壓×3=功率器件的額定電壓。例如：中國的市電兩相輸入電壓為180V~240V，國標是以220V為標準值，功率器件在計算其耐壓時是取平均值的，即以200V為基準，則計算公司為：200V×3≈600V，三相電輸入的280V～380V，三相電的應用主要是電機電路，電壓落差也很大。故功率器件取其平均值也分幾個檔次：265V。

    這是因為雙向可控硅在一個方向單向可控硅的工作原理圖導通結束時，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態的位置，必須采取相應的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關以及直流電機調速和換向等電路。二者比較單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相關連，其引出端稱T1極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。單、雙向可控硅的判別先任測兩個極，若正、反測指針均不動（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。

    改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。2：大；塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。可控硅鑒別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的一、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。江蘇加工英飛凌可控硅代理商

但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面對標有字符的一面)。江蘇加工英飛凌可控硅代理商

    2）5.雙向可控硅介紹（1）5.雙向可控硅介紹（2）5.雙向可控硅介紹（3）可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由于觸發信號只起觸發作用,沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的.由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化.6.目前產品封裝插件（TO-92，TO-126，TO-202，TO-220，TO-3P，TO-3PS，TO-251,TO-262,SOT-82,TO-202-3,TO-220F,TO-247,TO-247S,RD91,TG-C）貼片（SOT-23，SOT-23-3L,SOT-89，SOT-223，SOT-252。江蘇加工英飛凌可控硅代理商