具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖1-3，一種igbt功率模塊的安裝機(jī)構(gòu)，包括底座1，底座1內(nèi)部的兩側(cè)均開(kāi)設(shè)有容納槽2，容納槽2的內(nèi)壁固定連接有一軸承3，一軸承3的內(nèi)部固定連接有蝸桿4，蝸桿4的外端貫穿至底座1的外部固定連接有轉(zhuǎn)盤5，轉(zhuǎn)盤5外側(cè)的底部固定連接有把手18，把手18與轉(zhuǎn)盤5配合使用，通過(guò)設(shè)置把手18，能夠便于使用者通過(guò)把手18轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)盤5，提高了把手18的實(shí)用性，容納槽2內(nèi)壁的背面固定連接有第二軸承6，第二軸承6的內(nèi)部固定連接有轉(zhuǎn)軸7，轉(zhuǎn)軸7的表面固定連接有蝸輪8，蝸輪8與蝸桿4嚙合，轉(zhuǎn)軸7的前端固定連接有圓盤9，圓盤9的正面固定連接有傳動(dòng)桿10，容納槽2的內(nèi)部橫向固定連接有滑桿11，滑桿11的表面滑動(dòng)連接有滑環(huán)12，滑桿11的橫截面為圓形，滑環(huán)12的橫截面為圓形，滑桿11與滑環(huán)12配合使用，通過(guò)設(shè)置滑桿11和滑環(huán)12，能夠增加滑環(huán)12滑動(dòng)的穩(wěn)定性。高度集成化，可幫助簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和減少組件數(shù)量。上海Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷

    多個(gè)直流母線電容一側(cè)設(shè)置在鈑金固定板上。所述的疊層母排包括正疊層銅排13和負(fù)疊層銅排14，正疊層銅排和負(fù)疊層銅排之間設(shè)置有第二絕緣層15。所述的直流母線電容組件另一側(cè)面與疊層母排的正疊層銅排并聯(lián)連接，直流母線電容組件通過(guò)疊層母排設(shè)置在一絕緣層的兩側(cè)。直流母線電容組件通過(guò)箱體風(fēng)道散熱所述的IGBT功率組件包括IGBT驅(qū)動(dòng)板16和多個(gè)IGBT元件17，多個(gè)IGBT元件通過(guò)IGBT驅(qū)動(dòng)板設(shè)置在液冷換熱器的兩側(cè)。所述的鈑金隔板底面形成有兩個(gè)連接口18，液冷換熱器設(shè)置在兩個(gè)連接口之間的鈑金隔板上，液冷換熱器兩側(cè)緊鄰設(shè)置的IGBT功率組件分別與兩個(gè)連接口相對(duì)應(yīng)，液冷換熱器給IGBT功率組件散熱。液冷換熱器上方為一絕緣層，且直流母線電容組件通過(guò)鈑金固定板設(shè)置在鈑金隔板兩側(cè)，直流母線電容組件與IGBT功率組件的位置上下相對(duì)應(yīng)，疊層母排分別與直流母線電容組件和IGBT功率組件的輸入端并聯(lián)連接。所述的鈑金隔板下方設(shè)置有箱體底座10，箱體底座上設(shè)置的交流輸出銅排與IGBT功率組件的輸出端并聯(lián)連接。如圖5所示，所述的交流輸出銅排包括設(shè)置在一端的多個(gè)匯流爪19、與匯流爪連接的銅排20以及垂直設(shè)置在另一端的絕緣固定塊21，交流輸出銅排的一端穿過(guò)鈑金隔板上的連接口。上海Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷如果IPM模塊中有一種保護(hù)電路動(dòng)作，IGBT柵極驅(qū)動(dòng)單元就會(huì)關(guān)斷門極電流并輸出一個(gè)故障信號(hào)(FO)。

    短路保護(hù)及過(guò)電流保護(hù)實(shí)際上均是對(duì)IGBT的集點(diǎn)極電流進(jìn)行檢測(cè)，無(wú)論哪個(gè)IGBT發(fā)生異常都可保護(hù)，由于電流檢測(cè)內(nèi)置，故無(wú)需另加檢測(cè)元件。當(dāng)控制電源電壓Vcc下降到容許的下限值時(shí)，如果輸入信號(hào)為ON，則IGBT軟關(guān)斷，輸出警報(bào)。欠壓保護(hù)采用滯環(huán)控制方式，即當(dāng)Vcc恢復(fù)至上限值時(shí)，如輸入信號(hào)為OFF，則解除報(bào)警。從用與IGBT、續(xù)流二極管管芯裝在同一陶瓷基板上的測(cè)溫元件檢測(cè)基板溫度，同時(shí)采用與IGBT管芯在一起的測(cè)溫元件檢測(cè)IGBT管芯溫度。當(dāng)檢測(cè)出的溫度超越保護(hù)溫度值并持續(xù)1ms后，過(guò)熱保護(hù)動(dòng)作，IGBT被軟關(guān)斷，在2ms的閉鎖期間停止工作。306警報(bào)輸出功能在下橋臂側(cè)各種保護(hù)動(dòng)作閉鎖期間，輸出報(bào)警信號(hào)，如控制輸入為ON狀態(tài)，即使閉鎖期已結(jié)束，報(bào)警輸出功能也不復(fù)位，等到控制輸入變?yōu)镺FF時(shí)，報(bào)警復(fù)位，保護(hù)動(dòng)作解除。在制動(dòng)單元中使用的IGBT及續(xù)流二極管為內(nèi)置，外界耗能電阻即可構(gòu)成制動(dòng)回路，小號(hào)減速時(shí)的回饋能量，抑制直流測(cè)電壓的升高。4IGBT一IPM的應(yīng)用IGBT一IPM既可以用于單相電路也可用于三相電路，用戶只需在主接線端接上電源及負(fù)載，并向模塊提供控制電源及驅(qū)動(dòng)信號(hào)，配線即告完成，電路即可工作。為了提高模塊的整體應(yīng)用性能。

    是由重量感測(cè)組件、電容及電阻建構(gòu)而成的自動(dòng)回饋控制系統(tǒng)。該非接觸式探針點(diǎn)膠設(shè)備1目的為，當(dāng)該探針14前端的銀基奈米漿料碰觸到該散熱基板2的瞬間，該組傳感器15量測(cè)電容(電阻)即會(huì)改變，此時(shí)設(shè)備1可自動(dòng)停止下針，達(dá)到避免傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠技術(shù)因散熱基板表面高低差過(guò)大而破壞基板的情形發(fā)生，如圖3所示。步驟s102：將涂布于該散熱基板上的銀基奈米漿料加溫至55～85℃，持溫5～10分鐘。步驟s103：將一ic芯片放置于該散熱基板的銀基奈米漿料上方，形成一組合對(duì)象。步驟s104：利用一熱壓機(jī)對(duì)該組合對(duì)象進(jìn)行加壓與加熱的熱壓接合制程，燒結(jié)該銀基奈米漿料，以形成該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層，其中該熱壓機(jī)的工作參數(shù)如下：加壓壓力為1～10mpa，加熱到210～300℃，并維持上述壓力與溫度30～120分鐘，再冷卻至室溫。若不對(duì)該組合對(duì)象加壓，則將該組合對(duì)象加熱至210～300℃，并保溫在上述溫度30～120分鐘后再冷卻至室溫。如是，藉由上述揭露流程構(gòu)成一全新的高功率模塊的制備方法。上述熱壓接合制程后，該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上成分為銀，孔隙率小于15％，且厚度為～10μm，如圖4所示。若未對(duì)該組合對(duì)象加壓而加熱燒結(jié)后。H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。

    該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上成分為銀，孔隙率小于25％，且厚度為1～15μm。藉此，本發(fā)明具有下列功效：1.本發(fā)明使用的熱接口材料將不會(huì)產(chǎn)生任何介金屬化合物，故不會(huì)因制程(環(huán)境)溫度而脆化，且在高溫下(＜800℃)相當(dāng)穩(wěn)定。2.本發(fā)明使用的熱接口材料在完成熱處理后含少量有機(jī)物(＜1％)，且99％以上為純銀，故長(zhǎng)時(shí)間使用下將無(wú)有機(jī)揮發(fā)物(volatileorganiccompounds,voc)產(chǎn)生。3.本發(fā)明所使用的熱接口材料為純銀，以高純度銀做異質(zhì)界面接合用材料，其導(dǎo)熱系數(shù)為錫銀銅合金(無(wú)鉛焊錫)的兩倍以上，如表1所示。表1本發(fā)明與現(xiàn)有錫銀銅合金焊料的比較錫銀銅焊料本發(fā)明導(dǎo)電率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本發(fā)明不含鉛、鎘、鹵素等毒性物質(zhì)。5.目前高功率模塊的工作溫度已上升至150℃，次世代高功率模塊的工作溫度將上升至200℃，則本發(fā)明所使用的熱接口材料為純銀，將可取代無(wú)鉛焊錫的錫銀銅合金與傳統(tǒng)焊錫的鉛錫與銀鉛錫合金。6.本發(fā)明奈米銀粒子與微米銀粒子的比例為9:1～1:1，且因主要組成銀粒子的尺寸為100nm以下的奈米銀粒子，故所使用的熱處理溫度低于250℃，可避免電子組件在封裝制程中受到高溫而破壞。7.本發(fā)明采用全新非接觸式探針點(diǎn)膠技術(shù)。因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。上海Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷

IPM內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路使系統(tǒng)硬件電路簡(jiǎn)單、可靠，縮短了系統(tǒng)開(kāi)發(fā)時(shí)間。上海Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷

    前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin，從而影響開(kāi)關(guān)速度，后者的缺陷是將減小輸入阻抗，增大驅(qū)動(dòng)電流，使用時(shí)應(yīng)根據(jù)需要取舍。②盡管IGBT所需驅(qū)動(dòng)功率很小，但由于MOSFET存在輸入電容Cin，開(kāi)關(guān)過(guò)程中需要對(duì)電容充放電，因此驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流應(yīng)足夠大，這一點(diǎn)設(shè)計(jì)者往往忽略。假定開(kāi)通驅(qū)動(dòng)時(shí)，在上升時(shí)間tr內(nèi)線性地對(duì)MOSFET輸入電容Cin充電，則驅(qū)動(dòng)電流為Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R為輸入回路電阻。③為可靠關(guān)閉IGBT，防止擎住現(xiàn)象，要給柵極加一負(fù)偏壓，因此采用雙電源供電。IGBT集成式驅(qū)動(dòng)電路IGBT的分立式驅(qū)動(dòng)電路中分立元件多，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，保護(hù)功能比較完善的分立電路就更加復(fù)雜，可靠性和性能都比較差，因此實(shí)際應(yīng)用中大多數(shù)采用集成式驅(qū)動(dòng)電路。日本富士公司的EXB系列集成電路、法國(guó)湯姆森公司的UA4002集成電路等應(yīng)用都很廣。IPM驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)IPM對(duì)驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓的要求很嚴(yán)格，具體為:①驅(qū)動(dòng)電壓范圍為15V±10%?熏電壓低于13．5V將發(fā)生欠壓保護(hù)，電壓高于16．5V將可能損壞內(nèi)部部件。②驅(qū)動(dòng)電壓相互隔離，以避免地線噪聲干擾。③驅(qū)動(dòng)電源絕緣電壓至少是IPM極間反向耐壓值的兩倍(2Vces)。④驅(qū)動(dòng)電流可以參閱器件給出的20kHz驅(qū)動(dòng)電流要求。上海Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷