且便于連接微處理器.驅動信號一般由光耦電路產生。驅動電路主要是使控制輸入信號通過光電耦合器傳送，設計時可選擇HcPI一1505、HC-PL_4506、TLP一759、TLP559等型號的光電耦合器，并使光耦與IPM控制端子間的布線短，布線阻抗小。以上推薦型號的光電耦合器均為發光二極管驅動方式，dv/dt的耐量小，故采用光耦陰極接限流電阻的驅動電路形式，完整的驅動電路如圖2所示。圖2驅動電路，其結構為交-直-交電壓型變頻器，通過PWM信號控制IGBT的導通，得到頻率可變的交流輸出，則可實現交流電機的無極調速。圖3中，驅動單元共7組，上橋臂用3組，下橋臂用3組，制動用1組;控制電源共4組，上橋臂用3組，下橋臂與制動單元公用1組。P、N為主電源輸入端(整流輸入)，U、V、W接三相異步電機，P、B端接制動耗能電阻。圖3應用電路1(變頻調速)如圖4所示為IGBT一IPM應用于有源電力濾波器的電路原理圖。眾所周知，由于接人電力系統的非線性負載融益增多，致使電力系統的電流渡形發生畸變，重影響電網供電質量及電氣設備的正常安全運行。有源電力濾波器是一種用于動態抑制諧波和補償無功的新型電力電子裝置，它以實時檢測為基礎，通過IPM信號控制IGBT的導通，輸出電流對畸變波形實時跟蹤補償。相對于離散型元器件，價格較高。遼寧優勢Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦

    并在檢測電阻40上得到檢測信號。因此，這種將檢測電阻40通過引線直接與主工作區的源區金屬相接，可以避免主工作區的工作電流接地電壓對測試的影響。但是，這種方式得到的檢測電流曲線與工作電流曲線并不對應，如圖4所示，得到的檢測電流與工作電流的比例關系不固定，在大電流時，檢測電流與工作電流的偏差較大，此時，電流傳感器1的靈敏性較低，從而導致檢測電流的精度和敏感性比較低。針對上述問題，本發明實施例提供了igbt芯片及半導體功率模塊，避免了柵電極因對地電位變化造成的偏差，提高了檢測電流的精度。為便于對本實施例進行理解，下面首先對本發明實施例提供的一種igbt芯片進行詳細介紹。實施例一：本發明實施例提供了一種igbt芯片，圖5為本發明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖，如圖5所示，在igbt芯片上設置有：工作區域10、電流檢測區域20和接地區域30；其中，在igbt芯片上還包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相對設置；一表面上設置有工作區域10和電流檢測區域20的公共柵極單元100，以及，工作區域10的一發射極單元101、電流檢測區域20的第二發射極單元201和第三發射極單元202，其中，第三發射極單元202與一發射極單元101連接。遼寧優勢Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦IPM(Intelligent Power Module)，即智能功率模塊，不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起。

    滑環12的底部固定連接有與傳動桿10配合使用的移動框13，移動框13位于圓盤9的前側，傳動桿10的前端延伸至移動框13的內部，傳動桿10的表面與移動框13的內壁接觸，移動框13的底部固定連接有導向桿19，容納槽2內壁的底部開設有導向槽20，導向桿19與導向槽20滑動連接，通過設置導向桿19和導向槽20，能夠增加移動框13移動的穩定性，防止移動框13移動時傾斜，滑環12的頂部固定連接有移動板14，移動板14的頂部貫穿至底座1的外部，移動板14內側的頂部固定連接有卡桿15，底座1的頂部設置有igbt功率模塊本體16，igbt功率模塊本體16底部的兩側均固定連接有橡膠墊21，橡膠墊21的底部與底座1的頂部接觸，通過設置橡膠墊21，能夠增加igbt功率模塊本體16與底座1的摩擦力，防止igbt功率模塊本體16在底座1的頂部非正常移動，igbt功率模塊本體16兩側的底部均開設有卡槽17，卡桿15遠離移動板14的一端延伸至卡槽17的內部，通過設置底座1、容納槽2、一軸承3、蝸桿4、轉盤5、第二軸承6、轉軸7、蝸輪8、圓盤9、傳動桿10、滑桿11、滑環12、移動框13、移動板14、卡桿15、igbt功率模塊本體16和卡槽17的配合使用，解決了現有igbt功率模塊的安裝機構操作時繁瑣，不方便使用者安裝igbt功率模塊的問題。

    一表面和第二表面相對設置；一表面上設置有工作區域和電流檢測區域的公共柵極單元，以及，工作區域的一發射極單元、電流檢測區域的第二發射極單元和第三發射極單元，其中，第三發射極單元與一發射極單元連接，公共柵極單元與一發射極單元和第二發射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設有工作區域和電流檢測區域的公共集電極單元；接地區域設置于一發射極單元內的任意位置處；電流檢測區域和接地區域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產生電壓，并根據電壓檢測工作區域的工作電流。本申請避免了柵電極因對地電位變化造成的偏差，提高了檢測電流的精度。本發明的其他特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而了解。本發明的目的和其他優點在說明書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。為使本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。附圖說明為了更清楚地說明本發明具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施方式。也提高了故障下的自保護能力。與普通的IGBT模塊相比，IPM在系統性能及可靠性方面都有進一步的提高。

    對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明實施例提供的一種igbt器件的結構圖；圖2為本發明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖；圖3為本發明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖；圖5為本發明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖；圖6為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖；圖7為本發明實施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖8為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖9為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖10為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖11為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖12為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖13為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖14為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖15為本發明實施例提供的一種半導體功率模塊的結構示意圖；圖16為本發明實施例提供的一種半導體功率模塊的連接示意圖。圖標：1-電流傳感器；10-工作區域；101-一發射極單元。即使發生負載事故或使用不當，也可以保證IPM自身不受損壞。山東好的Mitsubishi三菱IPM模塊銷售廠

常應用于電動汽車、能源儲存系統、工業自動化等領域。遼寧優勢Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦

    術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。此外，術語“一”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。應說明的是：以上所述實施例，為本發明的具體實施方式，用以說明本發明的技術方案，而非對其限制，本發明的保護范圍并不局限于此，盡管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，其依然可以對前述實施例所記載的技術方案進行修改或可輕易想到變化，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改、變化或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明實施例技術方案的精神和范圍，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應所述以權利要求的保護范圍為準。遼寧優勢Mitsubishi三菱IPM模塊值得推薦