本實用新型的有益效果如下：1、本實用新型通過設置底座、容納槽、一軸承、蝸桿、轉盤、第二軸承、轉軸、蝸輪、圓盤、傳動桿、滑桿、滑環、移動框、移動板、卡桿、igbt功率模塊本體和卡槽的配合使用，解決了現有igbt功率模塊的安裝機構操作時繁瑣，不方便使用者安裝igbt功率模塊的問題，該igbt功率模塊的安裝機構，具備方便安裝的優點，節省了使用者大量的時間，提高了igbt功率模塊安裝的效率。2、本實用新型通過設置把手，能夠便于使用者通過把手轉動轉盤，提高了把手的實用性，通過設置滑桿和滑環，能夠增加滑環滑動的穩定性，通過設置導向桿和導向槽，能夠增加移動框移動的穩定性，防止移動框移動時傾斜，通過設置橡膠墊，能夠增加igbt功率模塊本體與底座的摩擦力，防止igbt功率模塊本體在底座的頂部非正常移動。附圖說明圖1為本實用新型結構示意圖；圖2為本實用新型圖1中a處結構放大圖；圖3為本實用新型圖1中圓盤的結構俯視圖。圖中：1底座、2容納槽、3一軸承、4蝸桿、5轉盤、6第二軸承、7轉軸、8蝸輪、9圓盤、10傳動桿、11滑桿、12滑環、13移動框、14移動板、15卡桿、16igbt功率模塊本體、17卡槽、18把手、19導向桿、20導向槽、21橡膠墊。驅動電路是IPM主電路和控制電路之間的接口，良好的驅動電路設計對裝置的運行效率、可靠性有重要意義。浙江常見Mitsubishi三菱IPM模塊

    該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上的成分為銀，孔隙率小于15％，且厚度為～10μm。于本發明上述實施例中，該步驟四若未對該組合對象加壓而加熱燒結后，該ic芯片與該散熱基板之熱接口材料層90％以上的成分為銀，孔隙率小于25％，且厚度為1～15μm。附圖說明圖1是本發明的制備流程示意圖。圖2是本發明的非接觸式探針配合電壓量測自動回饋方式示意圖。圖3是本發明非接觸式點膠與傳統接觸式點膠的比較示意圖。其中：a為本發明的非接觸式點膠；b為傳統接觸式點膠；左側二圖為二種點膠方式點膠的sem圖；中間二圖為以sem分別量測二種點膠方式的節點尺寸；右側二圖為以alpha-step技術量測二種點膠方式的節點尺寸圖。從上述結果可得，非接觸點膠確實可以轉移漿料，且節點尺寸可以更小。圖4是本發明經熱壓接合后的熱界面材料層sem圖。標號對照：非接觸式探針點膠設備1容器11制動裝置12推進活塞13活塞頭131連桿132探針14傳感器15散熱基板2步驟s101～s104。具體實施方式請參閱圖1至圖4所示，分別為本發明的制備流程示意圖、本發明的非接觸式探針配合電壓量測自動回饋方式示意圖、本發明非接觸式點膠與傳統接觸式點膠的比較示意圖以及本發明經熱壓接合后的熱接口材料層sem圖。浙江常見Mitsubishi三菱IPM模塊(4)短路保護(SC):若負載發生短路或控制系統故障導致短路，流過IGBT的電流值超過短路動作電流。

    20-電流檢測區域；201-第二發射極單元；202-第三發射極單元；30-接地區域；100-公共柵極單元；200-公共集電極單元；40-檢測電阻；2-一發射極單元金屬；3-空穴收集區電極金屬；4-氧化物；5-多晶硅；6-n+源區；7-p阱區；8-空穴收集區；9-n型耐壓漂移層；11-p+區；12-公共集電極金屬；13-接觸多晶硅；50-半導體功率模塊；51-igbt芯片；52-驅動集成塊；521-模塊引線端子；522-導線；60-dcb板。具體實施方式為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。如圖1所示，igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor，雙極型三極管)和mos(metaloxidesemiconductor，絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。在實際應用中，igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半場效晶體管)的高輸入阻抗和gtr(gianttransistor，電力晶體管)的低導通壓降兩方面的優點。

    并在檢測電阻40上得到檢測信號。因此，這種將檢測電阻40通過引線直接與主工作區的源區金屬相接，可以避免主工作區的工作電流接地電壓對測試的影響。但是，這種方式得到的檢測電流曲線與工作電流曲線并不對應，如圖4所示，得到的檢測電流與工作電流的比例關系不固定，在大電流時，檢測電流與工作電流的偏差較大，此時，電流傳感器1的靈敏性較低，從而導致檢測電流的精度和敏感性比較低。針對上述問題，本發明實施例提供了igbt芯片及半導體功率模塊，避免了柵電極因對地電位變化造成的偏差，提高了檢測電流的精度。為便于對本實施例進行理解，下面首先對本發明實施例提供的一種igbt芯片進行詳細介紹。實施例一：本發明實施例提供了一種igbt芯片，圖5為本發明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖，如圖5所示，在igbt芯片上設置有：工作區域10、電流檢測區域20和接地區域30；其中，在igbt芯片上還包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相對設置；一表面上設置有工作區域10和電流檢測區域20的公共柵極單元100，以及，工作區域10的一發射極單元101、電流檢測區域20的第二發射極單元201和第三發射極單元202，其中，第三發射極單元202與一發射極單元101連接。IPM內置的驅動和保護電路使系統硬件電路簡單、可靠，縮短了系統開發時間。

    本發明有關于一種高功率模塊的制備方法，尤指一種含有兩種不同尺寸的銀粒子的銀基奈米漿料，特別是指搭配全新非接觸式探針點膠技術進行涂布而可避免破壞基板，并經熱壓燒結后形成的熱接口材料。背景技術：：近年環保意識抬頭，無鉛電子封裝材料將為未來環保趨勢，故目前商用的硅基高功率模塊的熱接口材料(thermalinterfacematerials,tim)主要是以錫銀銅(sn-ag-cu)合金為封裝材料。然而，次世代高功率模塊將以碳化硅(sic)與氮化鎵(gan)為主要材料，且工作溫度高于150℃。在此高溫下，錫銀銅合金容易形成易脆裂的介金屬化合物。而高功率模塊在長時間的熱循環下所累積的剪應力將會導致此介金屬化合物的破裂，進而使得模塊因散熱不良而失效。參考數百筆后，統整現有技術如下：1.作為焊接用途：為減少鉛、鎘等危害物質的用量，發明一種無鉛焊料合金，以鋅(zn)作為主成份及鋁(al)作為合金金屬制成，并將其用于機械連接或電子應用中。簡言之，包含鋅作為主成分及鋁作為合金金屬的無鉛共晶焊料合金。2.用于太陽能及接合：制作焊接合用層合體，由金屬奈米粒子燒結體層(含有平均粒徑為1μm～100nm的銀奈米粒子)、黏結劑層、含有金屬氧化物粒子的障壁層、及金錫。智能功率模塊(IPM)是Intelligent Power Module的縮寫。浙江常見Mitsubishi三菱IPM模塊

此時間內IPM會門極驅動，關斷IPM;故障輸出信號持續時間結束后，IPM內部自動復位，門極驅動通道開放。浙江常見Mitsubishi三菱IPM模塊

    限定有“一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本實用新型的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。在本實用新型中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關系。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本實用新型中的具體含義。在本實用新型中，除非另有明確的規定和限定，一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括一和第二特征直接接觸，也可以包括一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且，一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括一特征在第二特征正上方和斜上方，或表示一特征水平高度高于第二特征。一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括一特征在第二特征正下方和斜下方，或表示一特征水平高度小于第二特征。在本說明書的描述中。浙江常見Mitsubishi三菱IPM模塊