可控硅(SCR是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點(diǎn)，被用于可控整流、調(diào)壓、逆變以及無觸點(diǎn)開關(guān)等各種自動控制和大功率的電能轉(zhuǎn)換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號就無法使其關(guān)斷，只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個PN結(jié)PNPN組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個PN結(jié)的二極管相比，單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制；與具有兩個PN結(jié)的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。可控硅導(dǎo)通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓，二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備，可控硅才會處于導(dǎo)通狀態(tài)。另外，可控硅一旦導(dǎo)通后，即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓，可控硅仍然導(dǎo)通。可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓，使陽極電流小于小維持電流以下。反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。哪里有Mitsubishi三菱可控硅模塊工廠直銷

    金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。(五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。雙向可控硅封裝形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。雙向可控硅構(gòu)造原理編輯盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板。典型產(chǎn)品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V)、2N6075(4A/600V)，MAC218-10(8A/800V)等。大功率雙向可雙向可控硅控硅大多采用RD91型封裝。雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點(diǎn)是，當(dāng)G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之。山西好的Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備。

    取一個字母)由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名，典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。型號如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；Philips公司的產(chǎn)品型號前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號，如：三象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母(型號后一個字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等。至于型號后綴字母的觸發(fā)電流，各個廠家的含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F(xiàn)=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA；PHILIPS公司的觸發(fā)電流母沒有統(tǒng)一的定義。

    AV)--通態(tài)平均電流VDRM--通態(tài)重復(fù)峰值電壓VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流VTM--通態(tài)峰值電壓Tjm--額定結(jié)溫VGT--門極觸發(fā)電壓VISO--模塊絕緣電壓IH--維持電流Rthjc--結(jié)殼熱阻IGT--門極觸發(fā)電流di/dt--通態(tài)電流臨界上升率ITSM--通態(tài)一個周波不重復(fù)浪涌電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率雙向可控硅伏安特性編輯雙向可控硅反向特性當(dāng)控制極開路，陽極加上反向電壓時，J2結(jié)正偏，但J1、J3結(jié)反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，接差J3結(jié)也擊穿，電流迅速增加，特性開始彎曲，如特性O(shè)R段所示，彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時，可控硅會發(fā)生反向。雙向可控硅正向特性當(dāng)控制極開路，陽極上加上正向電壓時，J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與普通PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態(tài)，當(dāng)電壓增加，特性發(fā)生了彎曲，如特性O(shè)A段所示，彎曲處的是UBO叫：正向轉(zhuǎn)折電壓，由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后，J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴，電子時入N1區(qū)，空穴時入P2區(qū)。進(jìn)入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合，同樣。應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致。

    可控硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。中文名可控硅外文名SiliconControlledRectifier簡寫SCR別稱晶閘管屬性化工術(shù)語目錄1結(jié)構(gòu)2工作原理?結(jié)構(gòu)原件?晶閘管特性?晶閘管特點(diǎn)?應(yīng)用類型3特性4分類5可控硅型號6主要參數(shù)7封裝形式8用途9鑒別?電壓測方法?測量方法10主要生產(chǎn)廠家11術(shù)語12延伸閱讀可控硅結(jié)構(gòu)編輯大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘可控硅管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極〔圖2(a）〕：一層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A。可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。上海優(yōu)勢Mitsubishi三菱可控硅模塊供應(yīng)

實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。哪里有Mitsubishi三菱可控硅模塊工廠直銷

    在額定結(jié)溫下對應(yīng)于斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。AVTOOnstatethresholdvoltage門檻電壓-VIT(RMS)On-StateRMSCurrent(fullsinewave)通態(tài)電流均方值A(chǔ)ITSMNon-RepetitivePeakon-stateCurrent通態(tài)浪涌電流(通態(tài)不重復(fù)峰值電流)浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性大正向過載電流。浪涌電流有上下兩個級，這個參數(shù)可用來作為設(shè)計保護(hù)電路的依據(jù)。AIGMForwardPeakGateCurrent門極峰值電流-AI2TCircuitFusingConsideration周期電流平方時間積-A2sesdIT/dtRepetitiverateofriseofon-statecurrentaftertriggering(IGT1~IGT3)通態(tài)臨界電流上升率當(dāng)雙向可控硅或閘流管在門極電流觸發(fā)下導(dǎo)通，門極臨近處立即導(dǎo)通，然后迅速擴(kuò)展至整個有效面積。這遲后的時間有一個極限，即負(fù)載電流上升率的許可值。過高的dIT/dt可能導(dǎo)致局部燒毀，并使T1-T2短路。假如過程中限制dIT/dt到一較低的值，雙向可控硅可能可以幸存。因此，假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出或?qū)〞r的dIT/dt有可能被超出，可在負(fù)載上串聯(lián)一個幾μH的不飽和（空心）電感。哪里有Mitsubishi三菱可控硅模塊工廠直銷