措施：在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯適當電容，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯的其它負載切斷時，因電源回路電感產生感應電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時，初級拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級感生出很高的瞬時電壓，這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上。交流電網遭雷擊或電網侵入干擾過電壓，即偶發性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進行保護。3．直流側過電壓及保護當負載斷開時或快熔斷時，儲存在變壓器中的磁場能量會產生過電壓，顯然在交流側阻容吸收保護電路可以抑制這種過電壓，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進行保護。4．過電流保護一般加快速熔斷器進行保護，實際上它不能保護可控硅，而是保護變壓器線圈。5．電壓、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好，很容易燒壞元件。為了解決均流問題，過去加均流電抗器，噪聲很大，效果也不好，一只一只進行對比，擰螺絲松緊，很盲目，效果差，噪音大，耗能。我們采用的辦法是：用計算機程序軟件進行動態參數篩選匹配、編號，裝配時按其號碼順序裝配，很間單。每一只元件上都刻有字，以便下更換時參考。這樣能使均流系數可達到。IGBT在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET來運行的。天津優勢Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

    目前，為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅動器，因為這些IC是專為接地操作而設計──與控制電路相同。因此，研發有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅動器便為理想了。這樣的器件已經開發出來了。器件與負偏置柵驅動IGBT進行性能表現的比較測試，在高dV/dt條件下得出優越的測試結果。為了理解dV/dt感生開通現象，我們必須考慮跟IGBT結構有關的電容。圖1顯示了三個主要的IGBT寄生電容。集電極到發射極電容C，集電極到柵極電容C和柵極到發射極電容CGE。圖1IGBT器件的寄生電容這些電容對橋式變換器設計是非常重要的，大部份的IGBT數據表中都給出這些參數：輸出電容，COES＝CCE＋CGC（CGE短路）輸入電容，CIES＝CGC＋CGE（CCE短路）反向傳輸電容，CRES＝CGC圖2半橋電路圖2給出了用于多數變換器設計中的典型半橋電路。集電極到柵極電容C和柵極到發射極電容C組成了動態分壓器。當IGBT（Q2）開通時，低端IGBT（Q1）的發射極上的dV/dt會在其柵極上產生正電壓脈沖。對于任何IGBT。山西本地Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。

    步驟二、在所述半導體襯底中形成多個溝槽。步驟三、在各所述溝槽的底部表面和側面形一介質層，之后再在各所述溝槽中填充一多晶硅層，將所述一多晶硅層回刻到和所述半導體襯底表面相平。步驟四、采用光刻工藝將柵極結構的形成區域打開，將所述柵極結構的形成區域的所述溝槽頂部的所述一多晶硅層和所述一介質層去除。步驟五、在所述柵極結構的形成區域的所述溝槽的頂部側面形成柵介質層以及所述一多晶硅層的頂部表面形成多晶硅間介質層。步驟六、在所述柵極結構的形成區域的所述溝槽的頂部填充第二多晶硅層，由所述第二多晶硅層組成多晶硅柵；所述多晶硅柵底部的所述一多晶硅層為一屏蔽多晶硅并組成一屏蔽電極結構，所述一屏蔽多晶硅側面的所述一介質層為一屏蔽介質層。在所述柵極結構兩側的所述溝槽中的所述一多晶硅層為第二屏蔽多晶硅并組成第二屏蔽電極結構，所述第二屏蔽多晶硅側面的所述一介質層為第二屏蔽介質層。一個所述igbt器件的單元結構中包括一個所述柵極結構以及形成于所述柵極結構兩側的所述第二屏蔽電極結構，在所述柵極結構的每一側包括至少一個所述第二屏蔽電極結構。步驟七、在所述漂移區表面依次形成電荷存儲層和第二導電類型摻雜的阱區。

    附圖說明圖1為本發明結構示意圖；圖2為本發明限壓電路結構示意圖。圖中：100限壓電路、110一齊納二極管、120第二齊納二極管、200控制電路、300限流電路。具體實施方式下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。本發明提供一種igbt驅動電路，將分立器件實現的限壓電路集成在芯片中，節省了面積，降低了成本，將限壓電路與igbt的驅動電路結合在一個功能塊里進一步節省了面積和成本，同時借助igbt的驅動電路中的電阻限制了限壓支路的電流，降低了功耗，保護了驅動芯片的安全，請參閱圖1，包括限壓電路100、控制電路200和限流電路300；請參閱圖1-2，限壓電路100包括：一齊納二極管110；第二齊納二極管120與一齊納二極管110串聯，兩個齊納二極管的選擇由驅動輸出限壓的大小決定；請再次參閱圖1，控制電路200包括限壓電路控制輸入lp、電阻r2、下拉電阻r3和控制管n3，限壓電路控制輸入lp與電阻r2串聯，電阻r2與控制管n3相串聯。電動汽車概念也火的一塌糊涂，三菱推出了650V等級的IGBT，專門用于電動汽車行業。

    增加電力網的穩定，然后由逆變器將直流高壓逆變為50HZ三相交流。直流——交流中頻加熱和交流電動機的變頻調速、串激調速等變頻，交流——頻率可變交流四、斬波調壓（脈沖調壓）斬波調壓是直流——可變直流之間的變換，用在城市電車、電氣機車、電瓶搬運車、鏟車（叉車）、電氣汽車等，高頻電源用于電火花加工。五、無觸點功率靜態開關（固態開關）作為功率開關元件，代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合晶閘管導通條件：晶閘管加上正向陽極電壓后，門極加上適當正向門極電壓，使晶閘管導通過程稱為觸發。晶閘管一旦觸發導通后，門極就對它失去控制作用，通常在門極上只要加上一個正向脈沖電壓即可，稱為觸發電壓。門極在一定條件下可以觸發晶閘管導通，但無法使其關斷。要使導通的晶閘管恢復阻斷，可降低陽極電壓，或增大負載電阻，使流過晶閘管的陽極電流減小至維持電流（IH）（當門極斷開時，晶閘管從較大的通態電流降至剛好能保持晶閘管導通所需的小陽極電流叫維持電流），電流會突然降到零，之后再提高電壓或減小負載電阻，電流不會再增大，說明晶閘管已恢復阻斷。根據晶閘管陽極伏安特性，可以總結出：1．門極斷開時。封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。黑龍江常見Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠家

它與MOSFET的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時，IGBT處于關斷狀態。天津優勢Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

    所述阱區形成于所述漂移區表面的所述硅外延層中。進一步的改進是，令各所述第二屏蔽多晶硅頂部對應的接觸孔為屏蔽接觸孔。在各所述單元結構中，所述源極接觸孔和鄰近的一個所述屏蔽接觸孔合并成一個接觸孔，鄰近的所述屏蔽接觸孔外側的所述屏蔽接觸孔呈結構。或者，在各所述單元結構中，所述源極接觸孔和各所述屏蔽接觸孔連接成一個整體結構。進一步的改進是，所述一屏蔽介質層和所述第二屏蔽介質層的工藝條件相同且同時形成，所述一屏蔽多晶硅和所述第二屏蔽多晶硅的工藝條件相同且同時形成。進一步的改進是，一個所述單元結構中包括5個所述溝槽，在所述柵極結構的每一側包括二個所述第二屏蔽電極結構。進一步的改進是，所述溝槽的步進為1微米～3微米。進一步的改進是，在所述漂移區和所述集電區之間形成有由一導電類型重摻雜區組成的電場中止層。進一步的改進是，所述igbt器件為n型器件，一導電類型為n型，第二導電類型為p型；或者，所述igbt器件為p型器件，一導電類型為p型，第二導電類型為n型。為解決上述技術問題，本發明提供的igbt器件的制造方法包括如下步驟：步驟一、提供一半導體襯底，在所述半導體襯底表面形成由一導電類型輕摻雜區組成的漂移區。天津優勢Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠