3、本發明還設置了電荷存儲層，電荷存儲層結合第二屏蔽電極結構能更好的防止集電區注入的少子進入到溝道區域中，從而能降低降低器件的飽和壓降。附圖說明下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：圖1是本發明實施例一實施例igbt器件的結構示意圖；圖2是本發明實施例第二實施例igbt器件的結構示意圖；圖3a-圖3g是本發明一實施例方法各步驟中器件的結構示意圖。具體實施方式本發明實施例一實施例igbt器件：如圖1所示，是本發明實施例一實施例igbt器件的結構示意圖，本發明一實施例igbt器件包括：漂移區1，由形成于半導體襯底(未顯示)表面的一導電類型輕摻雜區組成。本發明實施例一實施例中，所述半導體襯底為硅襯底；在所述硅襯底表面形成有硅外延層，所述漂移區1直接由一導電類型輕摻雜的所述硅外延層組成，所述阱區2形成于所述漂移區1表面的所述硅外延層中。第二導電類型摻雜的阱區2，形成于所述漂移區1表面。在所述漂移區1的底部表面形成有由第二導電類重摻雜區組成的集電區9。電荷存儲層14，所述電荷存儲層14形成于所述漂移區1的頂部區域且位于所述漂移區1和所述阱區2交界面的底部，所述電荷存儲層14具有一導電類重摻雜。減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。廣西品質Mitsubishi三菱IGBT模塊現貨

    本發明涉及一種半導體集成電路制造領域，特別是涉及一種igbt器件；本發明還涉及一種igbt器件的制造方法。背景技術：半導體功率器件是電力電子系統進行能量控制和轉換的基本電子元器件，電力電子技術的不斷發展為半導體功率器件開拓了廣泛的應用領域。以絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartransistor，igbt)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(mosfet)為標志的半導體功率器件是當今電力電子領域器件的主流，其中，igbt器件是一種電壓控制的mosfet和雙極型三極管(bjt)的復合型器件。從結構上，igbt的結構與垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管(vdmos)相似，只是將vdmos的n+襯底換為p+襯底，引入的電導調制效應，克服了vdmos本身固有的導通電阻與擊穿電壓的矛盾，從而使igbt同時具有雙極型功率晶體管和mosfet的共同優點：輸入阻抗高、輸入驅動功率小、導通壓降低、電流容量大、開關速度快等。由于igbt獨特的、不可取代的性能優勢使其自推出實用型產品便在諸多領域得到廣泛的應用，例如：太陽能發電、風力發電、動車、高鐵、新能源汽車以及眾多能量轉換領域。為了進一步降低igbt的導通壓降，igbt的柵極結構從平面柵結構優化到溝槽柵結構，溝槽柵igbt將溝道從橫向變為縱向。進口Mitsubishi三菱IGBT模塊值得推薦在截止狀態下的IGBT，正向電壓由J2結承擔，反向電壓由J1結承擔。

    以避免回路噪聲，各路隔離電源要達到一定的絕緣等級要求。3）在連接IGBT電極端子時，主端子電極間不能有張力和壓力作用，連接線（條）必須滿足應用，以免電極端子發熱在模塊上產生過熱。控制信號線和驅動電源線要離遠些，盡量垂直，不要平行放置。4）光耦合器輸出與IGBT輸入之間在PCB上的走線應盡量短，不要超過3cm。5）驅動信號隔離要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250等。6）IGBT模塊驅動端子上的黑色套管是防靜電導電管，用接插件引線時，取下套管應立即插上引線；或采用焊接引線時先焊接再剪斷套管。7）對IGBT端子進行錫焊作業的時候，為了避免由烙鐵、烙鐵焊臺的泄漏產生靜電加到IGBT上，烙鐵前端等要用十分低的電阻接地。焊接G極時，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵合適。當手工焊接時，溫度260℃±5℃，時間（10+1）s。波峰焊接時，PCB要預熱80~105℃，在245℃時浸入焊接3~4s。8）儀器測量時，應采用1000電阻與G極串聯。在模塊的端子部測量驅動電壓（VGE）時，應確認外加了既定的電壓。9）IGBT模塊是在用lC泡沫等導電性材料對控制端子采取防靜電對策的狀態下出庫的。

    被所述多晶硅柵6側面覆蓋的所述阱區2的表面用于形成溝道。由一導電類型重摻雜的發射區7形成在所述多晶硅柵6兩側的所述阱區2的表面。所述多晶硅柵6通過頂部對應的接觸孔連接到由正面金屬層12組成的金屬柵極，所述接觸孔穿過層間膜10。所述發射區通過頂部的對應的接觸孔連接到由正面金屬層12組成的金屬源極；令所述發射區頂部對應的接觸孔為源極接觸孔11，所述源極接觸孔11還和穿過所述發射區和所述阱區2接觸。本發明一實施例中，由圖1所示可知，在各所述單元結構中，所述源極接觸孔11和各所述屏蔽接觸孔連接成一個整體結構。所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b也分布通過對應的接觸孔連接到所述金屬源極。在所述集電區9的底部表面形成有由背面金屬層13組成的金屬集電極。通過形成于所述柵極結構兩側的具有溝槽101式結構的所述第二屏蔽電極結構降低igbt器件的溝槽101的步進，從而降低igbt器件的輸入電容、輸出電容和逆導電容，提高器件的開關速度；通過將所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b和所述金屬源極短接提高器件的短路電流能力；通過所述電荷存儲層14減少器件的飽和壓降。圖1中，一個所述單元結構中包括5個所述溝槽101。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時，IGBT處于關斷狀態。

    B）車載空調控制系統小功率直流/交流(DC/AC)逆變，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關元件使用；2）智能電網IGBT廣泛應用于智能電網的發電端、輸電端、變電端及用電端：1、從發電端來看，風力發電、光伏發電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。2、從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需要大量使用IGBT等功率器件。3、從變電端來看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關鍵器件。4、從用電端來看，家用白電、微波爐、LED照明驅動等都對IGBT有大量的需求。3）軌道交通IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。交流傳動技術是現代軌道交通的技術之一，在交流傳動系統中牽引變流器是關鍵部件，而IGBT又是牽引變流器的器件之一。IGBT國內外市場規模2015年國際IGBT市場規模約為48億美元，預計到2020年市場規模可以達到80億美元，年復合增長率約10%。2014年國內IGBT銷售額是，約占全球市場的1∕3。預計2020年中國IGBT市場規模將超200億元，年復合增長率約為15%。從公司來看，國外研發IGBT器件的公司主要有英飛凌、ABB、三菱、西門康、東芝、富士等。中國功率半導體市場占世界市場的50%以上。IGBT處于導通態時，由于它的PNP晶體管為寬基區晶體管，所以其B值極低。中國澳門好的Mitsubishi三菱IGBT模塊工廠直銷

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    步驟二、在所述半導體襯底中形成多個溝槽。步驟三、在各所述溝槽的底部表面和側面形一介質層，之后再在各所述溝槽中填充一多晶硅層，將所述一多晶硅層回刻到和所述半導體襯底表面相平。步驟四、采用光刻工藝將柵極結構的形成區域打開，將所述柵極結構的形成區域的所述溝槽頂部的所述一多晶硅層和所述一介質層去除。步驟五、在所述柵極結構的形成區域的所述溝槽的頂部側面形成柵介質層以及所述一多晶硅層的頂部表面形成多晶硅間介質層。步驟六、在所述柵極結構的形成區域的所述溝槽的頂部填充第二多晶硅層，由所述第二多晶硅層組成多晶硅柵；所述多晶硅柵底部的所述一多晶硅層為一屏蔽多晶硅并組成一屏蔽電極結構，所述一屏蔽多晶硅側面的所述一介質層為一屏蔽介質層。在所述柵極結構兩側的所述溝槽中的所述一多晶硅層為第二屏蔽多晶硅并組成第二屏蔽電極結構，所述第二屏蔽多晶硅側面的所述一介質層為第二屏蔽介質層。一個所述igbt器件的單元結構中包括一個所述柵極結構以及形成于所述柵極結構兩側的所述第二屏蔽電極結構，在所述柵極結構的每一側包括至少一個所述第二屏蔽電極結構。步驟七、在所述漂移區表面依次形成電荷存儲層和第二導電類型摻雜的阱區。廣西品質Mitsubishi三菱IGBT模塊現貨