為實現上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：一種igbt驅動電路，包括限壓電路、控制電路和限流電路。，所述限壓電路、所述控制電路和所述限流電路相并聯。，所述限壓電路包括：一齊納二極管；第二齊納二極管，所述第二齊納二極管與所述一齊納二極管串聯。，所述控制電路包括限壓電路控制輸入lp、電阻r2、下拉電阻r3和控制管n3，所述限壓電路控制輸入lp與所述電阻r2串聯，所述電阻r2與所述控制管n3相串聯，所述下拉電阻r3并聯在所述電阻r2與所述控制管n3之間。，所述限流電路包括電阻r1和正向二極管n22，所述電阻r1與所述正向二極管n22相串聯。與現有技術相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明將分立器件實現的限壓電路集成在芯片中，節(jié)省了面積，降低了成本，將限壓電路與igbt的驅動電路結合在一個功能塊里進一步節(jié)省了面積和成本，同時借助igbt的驅動電路中的電阻限制了限壓支路的電流，降低了功耗，保護了驅動芯片的安全，lp接收到mcu的信號置高時，限壓電路開始工作，a點電壓被限壓在設定所需要的電壓u1，如希望igbt驅動輸出限制在12v，此時a電壓的設定u1＝12v+vbe，b點電壓為u2＝12v+2vbe，終c點電壓為12v，此時限壓部分的支路電流被限制在(vcc-u2)/r1以下。兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

    晶閘管等元件通過整流來實現。除此之外整流器件還有很多，如：可關斷晶閘管GTO，逆導晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門的學科。“晶閘管交流技術”。晶閘管發(fā)展到今，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國內晶閘管大額定電流可達5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應用：一、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流——可變直流二、交流調壓與調功利用晶閘管的開關特性代替老式的接觸調壓器、感應調壓器和飽和電抗器調壓。為了消除晶閘管交流調壓產生的高次諧波，出現了一種過零觸發(fā)，實現負載交流功率的無級調節(jié)即晶閘管調功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠距離輸送以減少損耗。天津加工Mitsubishi三菱IGBT模塊代理商GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大。

    脈沖的幅值與柵驅動電路阻抗和dV/dt的實際數值有直接關系。IGBT本身的設計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產生集電極電流并產生很大的損耗，因為此時集電極到發(fā)射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關斷時采用柵極負偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅動電路會更復雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關斷而設計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，然后才下降到較低值。如果減小或消除這種“高原”(plateau)特性，C的實際值就可以進一步減小。這種現象是由IGBT內部的本征JFET引起的。如果JFET的影響可小化，C和C可隨著VCE的提高而很快下降。這可能減小實際的CRES，即減小dV/dt感生開通對IGBT的影響。圖3需負偏置關斷的典型IGBT的寄生電容與V的關系。IRGP30B120KD-E是一個備較小C和經改良JFET的典型IGBT。這是一個1200V，30ANPTIGBT。它是一個Co-Pack器件，與一個反并聯超快軟恢復二極管共同配置于TO-247封裝。設計人員可減小多晶體柵極寬度。

    晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導通，稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉為導通。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關斷和導通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關特性。是一種理想的無觸點功率開關元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導通，門極完全失去控制作用。要關斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數1．正反向重復峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關斷時間晶閘管合格證基本參數IT（AV）=A。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。

    下拉電阻r3并聯在電阻r2與控制管n3之間，控制限壓功能的工作與否；請再次參閱圖1，限流電路300包括電阻r1和正向二極管n22，電阻r1與正向二極管n22相串聯，限壓電路100、控制電路200和限流電路300相并聯，限制限壓部分的電流大小，解決了分立器件限壓電路集成在驅動輸出端導通時出現的較大電流現象，不降低了工作損耗，減小了分立器件的成本、也提高了芯片使用的壽命。使用時，當lp接收到mcu的信號置高時，限壓電路開始工作，a點電壓被限壓在設定所需要的電壓u1，如希望igbt驅動輸出限制在12v，此時a電壓的設定u1＝12v+vbe，b點電壓為u2＝12v+2vbe，終c點電壓為12v，此時限壓部分的支路電流被限制在(vcc-u2)/r1以下，在常規(guī)的igbt驅動中增加了限壓電路的功能結構，實現了對igbt的功耗的降低，保護了igbt管，將通常分立器件實現方式的限壓電路集成在芯片中，與igbt驅動電路集成在一起，節(jié)省了面積和成本，同時還能解決分立器件穩(wěn)壓管接在驅動輸出處，當導通時較大電流的問題。雖然在上文中已經參考實施例對本發(fā)明進行了描述，然而在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進行各種改進并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結構。動態(tài)特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠

    所述電荷存儲層14用于阻擋第二導電類載流子從所述漂移區(qū)1中進入到所述阱區(qū)2中。多個溝槽101，各所述溝槽101穿過所述阱區(qū)2和所述電荷存儲層14且各所述溝槽101的進入到所述漂移區(qū)1中；一個所述igbt器件的單元結構中包括一個柵極結構以及形成于所述柵極結構兩側的第二屏蔽電極結構，在所述柵極結構的每一側包括至少一個所述第二屏蔽電極結構。所述柵極結構包括形成于一個對應的所述溝槽101中的一屏蔽多晶硅4a和多晶硅柵6的疊加結構，所述一屏蔽多晶硅4a組成一屏蔽電極結構。所述多晶硅柵6位于所述一屏蔽多晶硅4a的頂部，所述一屏蔽多晶硅4a和對應的所述溝槽101的底部表面和側面之間通過一屏蔽介質層3a隔離3a，所述一屏蔽多晶硅4a和所述多晶硅柵6之間通過多晶硅間介質層5a隔離，所述多晶硅柵6和所述溝槽101的側面之間通過柵介質層5隔離。所述第二屏蔽電極結構由填充于所述柵極結構兩側的所述溝槽101中的第二屏蔽多晶硅4b組成。所述第二屏蔽多晶硅4b和對應的所述溝槽101的底部表面和側面之間通過第二屏蔽介質層3b隔離。所述一屏蔽介質層3a和所述第二屏蔽介質層3b的工藝條件相同且同時形成，所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b的工藝條件相同且同時形成。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠