對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖14為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖15為本發(fā)明實施例提供的一種半導(dǎo)體功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖16為本發(fā)明實施例提供的一種半導(dǎo)體功率模塊的連接示意圖。圖標(biāo)：1-電流傳感器；10-工作區(qū)域；101-第1發(fā)射極單元。斬波IGBT模塊:以FD開頭。其實這個完全可以使用FF半橋來替代。只要將另一單元的IGBT處于關(guān)閉狀態(tài)。浙江哪些是英飛凌IGBT

    絕緣柵雙極晶體管IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物。其主體部分與晶體管相同，也有集電極和發(fā)射極，但驅(qū)動部分卻和場效應(yīng)晶體管相同，是絕緣柵結(jié)構(gòu)。IGBT的工作特點是，控制部分與場效應(yīng)晶體管相同，控制信號為電壓信號UGE，輸人阻抗很高，柵極電流IG≈0，故驅(qū)動功率很小。而其主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流，工作頻率可達(dá)20kHz。由IGBT作為逆變器件的變頻器載波頻率一般都在10kHz以上，故電動機的電流波形比較平滑，基本無電磁噪聲。雖然硅雙極型及場控型功率器件的研究已趨成熟，但是它們的性能仍待提高和改善，而1996年出現(xiàn)的集成門極換流晶閘管（IGCT）有迅速取代GTO的趨勢。集成門極換流晶閘管（IGCT）是將門極驅(qū)動電路與門極換流晶閘管GCT集成于一個整體形成的器件。門極換流晶閘管GCT是基于GTO結(jié)構(gòu)的一個新型電力半導(dǎo)體器件，它不僅與GTO有相同的高阻斷能力和低通態(tài)壓降，而且有與IGBT相同的開關(guān)性能，兼有GTO和IGBT之所長，是一種較理想的兆瓦級、中壓開關(guān)器件。IGCT芯片在不串不并的情況下，二電平逆變器容量～3MVA，三電平逆變器1～6MVA；若反向二極管分離，不與IGCT集成在一起，二電平逆變器容量可擴至，三電平擴至9MVA。目前IGCT已經(jīng)商品化。浙江哪些是英飛凌IGBTIGBT命名方式中，能體現(xiàn)IGBT芯片的年代。

    晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導(dǎo)通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導(dǎo)通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通，門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負(fù)載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A。

    分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。②若柵-射極電壓UGE＞Uth，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）。此時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導(dǎo)調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過去幾十年的發(fā)展，1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO，該時段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很小；電流控制，控制電路復(fù)雜且功耗大；1970年代單極型器件VD-MOSFET。但隨著終端應(yīng)用的需求，需要一種新功率器件能同時滿足：驅(qū)動電路簡單,以降低成本與開關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低，以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來的研究，導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明。1985年前后美國GE成功試制工業(yè)樣品（可惜后來放棄）。自此以后，IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進。從結(jié)構(gòu)上講，IGBT主要有三個發(fā)展方向：1）IGBT縱向結(jié)構(gòu)：非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場截止型；2）IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu)；3）硅片加工工藝：外延生長技術(shù)、區(qū)熔硅單晶；其發(fā)展趨勢是：①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗＝通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開關(guān)損耗(EoffEon)。一個封裝封裝1個IGBT芯片。如IKW(集成了反向二極管)和IGW(沒有反向二極管)。

    作為工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20的公共集電極單元200。此外，當(dāng)空穴收集區(qū)8內(nèi)設(shè)置有溝槽時，如圖10所示，此時空穴收集區(qū)8中的溝槽與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸，即接觸多晶硅13。可選的，在圖7的基礎(chǔ)上，圖11為圖7中的空穴收集區(qū)電極金屬3按照b-b’方向的橫截圖，如圖11所示，此時，電流檢測區(qū)域20的空穴收集區(qū)8與空穴收集區(qū)電極金屬3接觸，且，與p阱區(qū)7連通；當(dāng)空穴收集區(qū)8通過設(shè)置有多晶硅5的溝槽與p阱區(qū)7隔離時，橫截面如圖12所示，此時，如果工作區(qū)域10設(shè)置有多晶硅5的溝槽終止于空穴收集區(qū)8的邊緣時，則橫截面如圖13所示，且，空穴收集區(qū)8內(nèi)是不包含設(shè)置有多晶硅5的溝槽的情況。此外，當(dāng)空穴收集區(qū)8內(nèi)包含設(shè)置有多晶硅5的溝槽時，如圖14所示，此時，空穴收集區(qū)8的溝槽通過p阱區(qū)7與工作區(qū)域10內(nèi)的設(shè)置有多晶硅5的溝槽隔離，這里空穴收集區(qū)8的溝槽與公共集電極金屬接觸并重合。因此，本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片，在電流檢測區(qū)域20內(nèi)沒有開關(guān)控制電級，即使有溝槽mos結(jié)構(gòu)，溝槽中的多晶硅5也與公共集電極單元200接觸，且，與公共柵極單元100絕緣。又由于電流檢測區(qū)域20中的空穴收集區(qū)8為p型區(qū)，可以與工作區(qū)域10的p阱區(qū)7在芯片橫向上聯(lián)通為一體，也可以隔離開；此外。，不同封裝形式的IGBT，其實主要就是為了照顧IGBT的散熱。浙江哪些是英飛凌IGBT

開關(guān)頻率比較大的IGBT型號是S4，可以使用到30KHz的開關(guān)頻率。浙江哪些是英飛凌IGBT

    并在檢測電阻40上得到檢測信號。因此，這種將檢測電阻40通過引線直接與主工作區(qū)的源區(qū)金屬相接，可以避免主工作區(qū)的工作電流接地電壓對測試的影響。但是，這種方式得到的檢測電流曲線與工作電流曲線并不對應(yīng)，如圖4所示，得到的檢測電流與工作電流的比例關(guān)系不固定，在大電流時，檢測電流與工作電流的偏差較大，此時，電流傳感器1的靈敏性較低，從而導(dǎo)致檢測電流的精度和敏感性比較低。針對上述問題，本發(fā)明實施例提供了igbt芯片及半導(dǎo)體功率模塊，避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠睿岣吡藱z測電流的精度。為便于對本實施例進行理解，下面首先對本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片進行詳細(xì)介紹。實施例一：本發(fā)明實施例提供了一種igbt芯片，圖5為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，在igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域10、電流檢測區(qū)域20和接地區(qū)域30；其中，在igbt芯片上還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對設(shè)置；第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域10和電流檢測區(qū)域20的公共柵極單元100，以及，工作區(qū)域10的第1發(fā)射極單元101、電流檢測區(qū)域20的第二發(fā)射極單元201和第三發(fā)射極單元202，其中，第三發(fā)射極單元202與第1發(fā)射極單元101連接。浙江哪些是英飛凌IGBT