晶閘管等元件通過整流來實現。除此之外整流器件還有很多，如：可關斷晶閘管GTO，逆導晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門單獨的學科。“晶閘管交流技術”。晶閘管發展到，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。目前國內晶閘管大額定電流可達5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應用：一、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流——可變直流二、交流調壓與調功利用晶閘管的開關特性代替老式的接觸調壓器、感應調壓器和飽和電抗器調壓。為了消除晶閘管交流調壓產生的高次諧波，出現了一種過零觸發，實現負載交流功率的無級調節即晶閘管調功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠距離輸送以減少損耗。當開關頻率很高時:導通的時間相對于很短，所以，導通損耗只能占一小部分。替換英飛凌IGBT聯系人

    廣泛應用在斬波或逆變電路中，如軌道交通、電動汽車、風力和光伏發電等電力系統以及家電領域。此外，半導體功率模塊主要包括igbt器件和fwd，在實際應用中，為了保證半導體功率模塊能夠保證安全、可靠的工作，通常在半導體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以及溫度傳感器，以對半導體功率模塊中的器件進行過電流和溫度的實時監控，方便電路進行保護。現有技術中主要通過在igbt器件芯片內集成電流傳感器，并利用鏡像電流檢測原理實現電流的實時監控，例如，對于圖2中的電流敏感器件，在igbt器件芯片有源區內按照一定面積比如1:1000，隔離開1/1000的源區金屬電極作為電流檢測的電流傳感器1，該電流傳感器1的集電極和柵極與主工作區是共用，發射極則是分開的，因此，在電流傳感器1的源區金屬上引出電流以測試電極，并在外電路中檢測測試電極中的電流，從而檢測器件工作中電流狀態。但是，在上述鏡像電流檢測中，受發射極引線的寄生電阻和電感產生的阻抗的影響，電流檢測精度會降低，因此，現有方法主要采用kelvin連接，如圖3所示，當柵極高電平時，電流傳感器1與主工作區分別流過電流，電流傳感器1的電流流過檢測電阻40到主工作區發射區金屬后通過主工作區發射極引線到地。江蘇哪里有英飛凌IGBT現貨Infineon的IGBT模塊常用的電壓為:600V，1200V，1700V。

    PT)技術會有比較高的載流子注入系數，而由于它要求對少數載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面，非穿通(NPT)技術則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率，不過其載流子注入系數卻比較低。進而言之，非穿通(NPT)技術又被軟穿通(LPT)技術所代替，它類似于某些人所謂的"軟穿通"(SPT)或"電場截止"(FS)型技術，這使得"成本-性能"的綜合效果得到進一步改善。1996年，CSTBT(載流子儲存的溝槽柵雙極晶體管)使第5代IGBT模塊得以實現[6]，它采用了弱穿通(LPT)芯片結構，又采用了更先進的寬元胞間距的設計。包括一種"反向阻斷型"(逆阻型)功能或一種"反向導通型"(逆導型)功能的IGBT器件的新概念正在進行研究，以求得進一步優化。IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展，其產品水平為1200-1800A/1800-3300V，IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，降低電路接線電感。

    因為高速開斷和關斷會產生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。(3)IGBT開通后，驅動電路應提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。(4)IGBT驅動電路中的電阻RG對工作性能有較大的影響，RG較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會增加IGBT的開關時間和開關損耗；RG較小，會引起電流上升率增大，使IGBT誤導通或損壞。RG的具體數據與驅動電路的結構及IGBT的容量有關,一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。(5)驅動電路應具有較強的抗干擾能力及對IG2BT的保護功能。IGBT的控制、驅動及保護電路等應與其高速開關特性相匹配,另外,在未采取適當的防靜電措施情況下,G—E斷不能開路。四、IGBT的結構IGBT是一個三端器件，它擁有柵極G、集電極c和發射極E。IGBT的結構、簡化等效電路和電氣圖形符號如圖所示。如圖所示為N溝道VDMOSFFT與GTR組合的N溝道IGBT(N-IGBT)的內部結構斷面示意圖。IGBT比VDMOSFET多一層P+注入區，形成丁一個大面積的PN結J1。由于IGBT導通時由P+注入區向N基區發射少子，因而對漂移區電導率進行調制，可仗IGBT具有很強的通流能力。介于P+注入區與N-漂移區之間的N+層稱為緩沖區。通常IGBT模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對應于常用電網的電壓等級。

    本發明實施例還提供了一種半導體功率模塊，如圖15所示，半導體功率模塊50配置有上述igbt芯片51，還包括驅動集成塊52和檢測電阻40。具體地，如圖16所示，igbt芯片51設置在dcb板60上，驅動集成塊52的out端口通過模塊引線端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接，以便于驅動工作區域10和電流檢測區域20工作；si端口通過模塊引線端子521與檢測電阻40連接，用于獲取檢測電阻40上的電壓；以及，gnd端口通過模塊引線端子521與電流檢測區域的第1發射極單元101引出的導線522連接，檢測電阻40的另一端還分別與電流檢測區域的第二發射極單元201和接地區域連接，從而通過si端口獲取檢測電阻40上的測量電壓，并根據該測量電壓檢測工作區域的工作電流。本發明實施例提供的半導體功率模塊，設置有igbt芯片，其中，igbt芯片上設置有：工作區域、電流檢測區域和接地區域；其中，igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對設置；第1表面上設置有工作區域和電流檢測區域的公共柵極單元，以及，工作區域的第1發射極單元、電流檢測區域的第二發射極單元和第三發射極單元，其中，第三發射極單元與第1發射極單元連接。IGBT模塊采用預涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應用實現一致性的散熱性能。天津進口英飛凌IGBT規格

IGBT模塊標稱電流與溫度的關系比較大。替換英飛凌IGBT聯系人

    不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓，總有一個pn結處于反偏狀態，漏、源極間沒有導電溝道，器件無法導通。但如果VGS正向足夠大，此時柵極G和襯底p之間的絕緣層中會產生一個電場，方向從柵極指向襯底，電子在該電場的作用下聚集在柵氧下表面，形成一個N型薄層(一般為幾個nm)，連通左右兩個N+區，形成導通溝道，如圖中黃域所示。當VDS＞0V時，N-MOSFET管導通，器件工作。了解完以PNP為例的BJT結構和以N-MOSFET為例的MOSFET結構之后，我們再來看IGBT的結構圖↓IGBT內部結構及符號黃塊表示IGBT導通時形成的溝道。首先看黃色虛線部分，細看之下是不是有一絲熟悉之感？這部分結構和工作原理實質上和上述的N-MOSFET是一樣的。當VGE>0V，VCE>0V時，IGBT表面同樣會形成溝道，電子從n區出發、流經溝道區、注入n漂移區，n漂移區就類似于N-MOSFET的漏極。藍色虛線部分同理于BJT結構，流入n漂移區的電子為PNP晶體管的n區持續提供電子，這就保證了PNP晶體管的基極電流。我們給它外加正向偏壓VCE，使PNP正向導通，IGBT器件正常工作。這就是定義中為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件的原因。此外，圖中我還標了一個紅色部分。替換英飛凌IGBT聯系人