三、按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。四、按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。五、按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。六、過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。七、非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。可控硅使用規則1、為了導通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧IGT，直至負載電流達到≧IL，這條件必須滿足，并按可能遇到的低溫度考慮。2、要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅）。在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。山東貿易可控硅銷售廠家

    可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點開關的快速接通或切斷；實現將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制、機電應用、工業電氣及家電等方面都有的應用。可控硅從外形上區分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應用較多。可控硅工作原理解析可控硅結構原件可控硅有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結，與只有一個PN結的硅整流二極管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引入，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。可控硅應用時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。北京定制可控硅供應商控制極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

    可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發信號（小的觸發電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結（a），相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關S，按一下按鈕開關SB，燈泡發光就是好的，不發光就是壞的。可控硅測量方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）[1]。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小。

    陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控硅的分類一、按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。二、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。

    現代照明設計要求規定，照明系統率因數必須達到，而氣體放電燈的功率因數在一般在，所以都設計用電容補償功率因數）在國外發達國家，已有明文規定對電氣設備諧波含量的限制，在國內，北京、上海、廣州等大城市，已對諧波含量超標的設備限制并入電網使用。采用可控硅技術對照明系統進行照度控制時，可通過加裝濾波設備來有效降低諧波污染。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。應用介紹------可控硅在調光器中的應用：可控硅調光器是目前舞臺照明、環境照明領域的主流設備。在照明系統中使用的各種調光器實質上就是一個交流調壓器，老式的變壓器和變阻器調光是采用調節電壓或電流的幅度來實現的，如下圖所示。u1是未經調壓的220V交流電的波形，經調壓后的電壓波形為u2，由于其幅度小于u1，使燈光變暗。在這種調光模式中，雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質。與變壓器、電阻器相比，可控硅調光器有著完全不同的調光機理，它是采用相位控制方法來實現調壓或調光的。對于普通反向阻斷型可控硅。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。北京定制可控硅供應商

可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。山東貿易可控硅銷售廠家

    圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。IGBT和可控硅區別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩的可調的單方向的直流電流。其實現條件主要是依靠整流管。山東貿易可控硅銷售廠家

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