其閘流特性表現為當可控硅加上正向陽極電壓的同時又加上適當的正向控制電壓時，可控硅就導通；這一導通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關斷。普通的可控硅調光器就是利用可控硅的這一特性實現前沿觸發相控調壓的。在正弦波交流電過零后的某一時刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制極上加一觸發脈沖，使可控硅導通，根據前面介紹過的可控硅開關特性，這一導通將維持到正弦波正半周結束。因此在正弦波的正半周（即0~p區間）中，0~wt1范圍可控硅不導通，這一范圍稱為控制角，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導通，這一范圍稱為導通角，常用j表示。同理在正弦波交流電的負半周，對處于反向聯接的另一個可控硅（對兩個單向可控硅反并聯或雙向可控硅而言）在t2時刻（即相位角wt2）施加觸發脈沖，使其導通。如此周而復始，對正弦波每半個周期控制其導通，獲得相同的導通角。如改變觸發脈沖的施加時間（或相位），即改變了導通角j（或控制角a）的大小。導通角越大調光器輸出的電壓越高，燈就越亮。從上述可控硅調光原理可知，調光器輸出的電壓波形已經不再是正弦波了，除非調光器處在全導通狀態。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。江西哪里有可控硅供應商

    可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。江西哪里有可控硅供應商別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。

    改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。2：大；功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。可控硅鑒別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的第1、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。

    通過上面對工作原理的分析可知，可控硅只具有導通和關斷兩種工作狀態，那么這兩種工作狀態之間如何進行轉換呢？狀態的轉換需要什么條件呢？下圖將會告訴你答案。可控硅主要參數⒈額定通態電流（IT）即大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。⒊控制極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值可控硅用途普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間。反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。

    在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，可控硅被觸發導通。畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸常見可控硅出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早，可控硅導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。可控硅原理無觸點開關可控硅一個關鍵用途在于做為無觸點開關。在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用。其明顯特點是無噪音,壽命長。可控硅原理產品特性編輯可控硅陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向。可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。江西哪里有可控硅供應商

雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。江西哪里有可控硅供應商

    我們可以把從陰極向上數的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E，又在控制極G和陰極C之間(相當BG2的基一射間)輸入一個正的觸發信號，BG2將產生基極電流Ib2，經放大，BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2。因為BG2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。事實上這一過程是“一觸即發”的，對可控硅來說，觸發信號加到控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2)，這一電流遠大于Ib2，足以保持BG2的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2的集電極電流小于維持導通的小值時，可控硅方可關斷。當然，如果E極性反接，BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來。江西哪里有可控硅供應商

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