ACM8815采用全橋D類拓撲結構，通過四個GaN MOSFET組成H橋，實現單端輸入到差分輸出的轉換。與傳統半橋結構相比，全橋拓撲可利用電源電壓的完整擺幅（如38V PVDD下輸出峰峰值76V），功率提升一倍。芯片內部集成死區時間控制電路，將上下管開關重疊時間壓縮至5ns以內，避免直通短路風險。其獨特的“自適應柵極驅動”技術可根據負載阻抗（4Ω/8Ω）動態調整驅動電流，在4Ω負載下驅動電流達2A，確保快速開關響應；而在8Ω負載下自動降低至1A，減少開關損耗。這種動態優化使ACM8815在4Ω和8Ω負載下效率均維持在92%以上，較傳統方案提升8個百分點。舞臺演出音響設備搭載ACM8623，其高功率與動態范圍控制功能，確保現場音樂層次分明、震撼有力。浙江電子至盛ACM8628

至盛基于氮化鎵研發的機器人關節驅動芯片實現40%能效提升及98%能量轉換效率，響應延遲壓縮至5ms以內。該芯片采用系統級多Level效率提升算法，在工業機械臂、AGV小車等場景中，使電機驅動能耗降低35%，定位精度提升至±0.02mm。以富士康工業園區為例，部署至盛芯片的2000臺機械臂使產線能耗下降18%，年節約電費超2000萬元。據Yole Development預測，2025年全球氮化鎵功率器件市場規模將突破800億元，至盛憑借技術先發優勢，在工業控制領域占據15%市場份額，推動“中國制造”向“中國智造”轉型。重慶音響至盛ACM8628ACM8623支持I2S數字輸入，可以直接與藍牙芯片等數字信號源對接，減少信號轉換損失，提高音質保真度。

ACM8636采用單芯片集成設計，在2.1聲道模式下可實現60W（4Ω低音通道）+2×30W（8Ω左右聲道）的連續功率輸出，THD+N（總諧波失真加噪聲）低于1%。其供電電壓范圍覆蓋4.5V至26.4V，支持12V、19V、24V等常見電源規格，適用于便攜設備到家庭影院的多樣化場景。例如，在24V供電條件下驅動4Ω低音揚聲器時，實測功率可達65W，滿足戶外派對或小型影院對低頻沖擊力的需求。該芯片通過QFP-48封裝實現高效散熱，背部集成散熱片并支持外接散熱器，確保在60W+30W×2的滿載狀態下仍能維持低溫運行，避免因過熱導致的功率衰減或音質劣化。

在游戲耳機中，ACM8623通過I2S接口連接USB聲卡芯片，實現7.1虛擬環繞聲處理。其15段EQ可定制游戲音效，DRC算法防止聲過載。低延遲特性（<50μs）確保聲畫同步，提升競技體驗。2×10.5W@6Ω輸出功率推動頭戴式耳機，提供沉浸式音效。ACM8623外圍電路*需少量電容和電阻，BOM成本降低30%。與ACM8625/ACM8628等管腳兼容芯片可實現平臺化設計，縮短產品開發周期。其數字接口和DSP功能支持OTA固件升級，便于后期音效優化。在智能家居、教育裝備等領域，該芯片已成為高性價比音頻解決方案的優先。ACM8623以雙通道強勁輸出和內置DSP音效，還原影片聲場，營造沉浸式觀影氛圍。

氮化鎵作為寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度（3.4eV）是硅（1.1eV）的3倍，這意味著在相同電壓下，GaN器件的擊穿場強更高，可設計更薄的漂移層，從而大幅降低導通電阻。ACM8815集成的GaN MOSFET在4Ω負載下，10% THD+N條件下可輸出200W功率，而傳統硅基D類功放需外接散熱器才能實現同等功率，且效率通常低于85%。GaN的開關頻率可達MHz級（ACM8815實測開關頻率1.2MHz），遠高于硅基器件的幾百kHz，這使得輸出濾波器體積縮小60%以上，同時降低EMI干擾。此外，GaN的零溫度系數特性（導通電阻隨溫度變化極小）確保了ACM8815在-40℃至125℃寬溫范圍內功率穩定性，這是汽車音響等極端環境應用的關鍵。ACM8623內置了DSP（數字信號處理器）音效處理算法，包括小音量低頻增強等功能，能夠提升音質體驗。重慶電子至盛ACM8625S

智能語音助手配套音響使用ACM8623，通過快速響應與高保真音質，實現語音交互，提升人機互動體驗。浙江電子至盛ACM8628

至盛**團隊來自德州儀器、亞德諾半導體等國際企業，平均從業經驗超15年，在混合信號設計、產品市場運營等領域積累深厚。公司設立“至盛創新基金”，每年投入營收的15%用于研發，與清華大學、東南大學等高校共建聯合實驗室，培養專業人才超500人。其研發團隊在氮化鎵材料應用、芯片能效優化等領域取得突破，使ACM8615M芯片功耗較國際同類產品降低20%，推動中國芯片設計水平進入全球***梯隊。據工信部數據，至盛人均**產出量是行業平均的3倍，成為半導體領域“產學研用”協同創新的**企業。浙江電子至盛ACM8628