中清航科注重與科研機構的合作創新，與國內多所高校共建半導體切割技術聯合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術開展研究，如原子層切割、超高頻激光切割等，已申請發明專利50余項，其中“一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法”獲得國家發明專利金獎，推動行業技術進步。晶圓切割設備的軟件系統是其智能化的中心，中清航科自主開發了切割控制軟件，具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導入，可自動生成切割路徑，同時提供離線編程功能，可在不影響設備運行的情況下完成新程序的編制與模擬，提高設備利用率。切割粉塵在線監測中清航科傳感器精度達0.01μm顆粒物檢測。常州碳化硅晶圓切割劃片廠

晶圓切割/裂片是芯片制造過程中的重要工序，屬于先進封裝(advancedpackaging)的后端工藝(back-end)之一，該工序可以將晶圓分割成單個芯片，用于隨后的芯片鍵合。隨著技術的不斷發展，對高性能和更小型電子器件的需求增加，晶圓切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圓切割的重要性在于它能夠在不損壞嵌入其中的精細結構和電路的情況下分離單個芯片，成功與否取決于分離出來的芯片的質量和產量，以及整個過程的效率。為了實現這些目標，目前已經開發了多種切割技術，每種技術都有其獨特的優點和缺點。揚州碳化硅線晶圓切割劃片中清航科多軸聯動切割頭，適應曲面晶圓±15°傾角加工。

中清航科IoT平臺通過振動傳感器+電流波形分析，提前72小時預警主軸軸承磨損、刀片鈍化等故障。數字孿生模型模擬設備衰減曲線，備件更換周期精度達±5%，設備綜合效率（OEE）提升至95%。機械切割引發的殘余應力會導致芯片分層失效。中清航科創新采用超聲波輔助切割，高頻振動（40kHz）使材料塑性分離，應力峰值降低60%。該技術已獲ISO14649認證，適用于汽車電子AEC-Q100可靠性要求。Chiplet架構需對同片晶圓分區切割。中清航科多深度切割系統支持在單次制程中實現5-200μm差異化切割深度，精度±1.5μm。動態焦距激光模塊配合高速振鏡，完成異構芯片的高效分離。

為提升芯片產出量，中清航科通過刀片動態平衡控制+激光輔助定位，將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導槽設計減少材料浪費，使12英寸晶圓有效芯片數增加18%，明顯降低單顆芯片制造成本。切割產生的亞微米級粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置，在切割點10mm范圍內形成負壓場，配合離子風刀清理殘留顆粒，潔凈度達Class1標準（>0.3μm顆粒<1個/立方英尺）。中清航科設備內置AOI（自動光學檢測）模塊，采用多光譜成像技術實時識別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內完成芯片級判定，不良品自動標記，避免后續封裝資源浪費，每年可為客戶節省品質成本超百萬。中清航科推出切割機租賃服務，降低客戶初期投入成本。

晶圓切割的工藝參數設置需要豐富的經驗積累，中清航科開發的智能工藝推薦系統，基于千萬級切割數據訓練而成。只需輸入晶圓材料、厚度、切割道寬等基本參數，系統就能自動生成比較好的切割方案，包括激光功率、切割速度、聚焦位置等關鍵參數，新手操作人員也能快速達到工程師的工藝水平，大幅降低技術門檻。半導體產業對設備的占地面積有著嚴格要求，中清航科采用緊湊型設計理念，將晶圓切割設備的占地面積控制在2平方米以內，較傳統設備減少40%。在有限空間內，通過巧妙的結構布局實現全部功能集成，同時預留擴展接口，方便后續根據產能需求增加模塊，滿足不同規模生產車間的布局需求。中清航科切割實驗室開放合作，已助力30家企業工藝升級。麗水碳化硅半導體晶圓切割劃片

選擇中清航科切割代工服務，復雜圖形晶圓損耗降低27%。常州碳化硅晶圓切割劃片廠

8英寸晶圓在功率半導體、MEMS等領域仍占據重要市場份額，中清航科針對這類成熟制程開發的切割設備，兼顧效率與性價比。設備采用雙主軸并行切割設計，每小時可加工40片8英寸晶圓，且通過優化機械結構降低振動噪聲至65分貝以下，為車間創造更友好的工作環境，深受中小半導體企業的青睞。晶圓切割工藝的數字化轉型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設備內置工業物聯網模塊，可實時采集切割壓力、溫度、速度等100余項工藝參數，通過邊緣計算節點進行實時分析，生成工藝優化建議。客戶可通過云端平臺查看生產報表與趨勢分析，實現基于數據的精細化管理。常州碳化硅晶圓切割劃片廠