半導體晶圓的制造過程制造過程始于一個大型單晶硅的生產（晶錠），制造方法包括直拉法與區熔法，這兩種方法都涉及從高純度硅熔池中控制硅晶體的生長。一旦晶錠生產出來，就需要用精密金剛石鋸將其切成薄片狀晶圓。隨后晶圓被拋光以達到鏡面般的光滑，確保在后續制造工藝中表面無缺陷。接著，晶圓會經歷一系列復雜的制造步驟，包括光刻、蝕刻和摻雜，這些步驟在晶圓表面上形成晶體管、電阻、電容和互連的復雜圖案。這些圖案在多個層上形成，每一層在電子器件中都有特定的功能。制造過程完成后，晶圓經過晶圓切割分離出單個芯片，芯片會被封裝并測試，集成到電子器件和系統中。中清航科切割耗材全球供應鏈，保障客戶生產連續性。連云港晶圓切割藍膜

中清航科開放6條全自動切割產線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數包，工藝開發周期縮短90%。南通碳化硅晶圓切割企業晶圓切割MES系統中清航科定制，實時追蹤每片切割工藝參數。

中清航科兆聲波清洗技術結合納米氣泡噴淋，去除切割道深槽內的微顆粒。流體仿真設計使清洗液均勻覆蓋15:1深寬比結構，殘留物<5ppb，電鏡檢測達標率100%。中清航科推出刀片/激光器租賃服務：通過云平臺監控耗材使用狀態，按實際切割長度計費。客戶CAPEX（資本支出）降低40%，并享受技術升級，實現輕資產運營。中清航科VirtualCut軟件構建切割過程3D物理模型，輸入材料參數即可預測崩邊尺寸、應力分布。虛擬調試功能將新工藝驗證周期從3周壓縮至72小時，加速客戶產品上市。中清航科綠色切割方案：冷卻液循環利用率達95%，激光系統能耗降低30%（對比行業均值）。碳足跡追蹤平臺量化每片晶圓加工排放，助力客戶達成ESG目標，已獲ISO14064認證。

面對全球半導體設備供應鏈的不確定性，中清航科構建了多元化的供應鏈體系。與國內200余家質優供應商建立長期合作關系，關鍵部件實現多源供應，同時在各地建立備件中心，儲備充足的易損件與中心部件，確保設備維修與升級時的備件及時供應，縮短設備停機時間。晶圓切割設備的能耗成本在長期運行中占比較大，中清航科通過能效優化設計，使設備的單位能耗降低至0.5kWh/片（12英寸晶圓），較行業平均水平降低35%。采用智能休眠技術，設備閑置時自動進入低功耗模式，進一步節約能源消耗，為客戶降低長期運營成本。12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產能瓶頸，良率99.3%。

8英寸晶圓在功率半導體、MEMS等領域仍占據重要市場份額，中清航科針對這類成熟制程開發的切割設備，兼顧效率與性價比。設備采用雙主軸并行切割設計，每小時可加工40片8英寸晶圓，且通過優化機械結構降低振動噪聲至65分貝以下，為車間創造更友好的工作環境，深受中小半導體企業的青睞。晶圓切割工藝的數字化轉型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設備內置工業物聯網模塊，可實時采集切割壓力、溫度、速度等100余項工藝參數，通過邊緣計算節點進行實時分析，生成工藝優化建議。客戶可通過云端平臺查看生產報表與趨勢分析，實現基于數據的精細化管理。晶圓切割后分選設備中清航科集成方案，效率達6000片/小時。舟山碳化硅晶圓切割

中清航科推出切割廢料回收服務，晶圓利用率提升至99.1%。連云港晶圓切割藍膜

中清航科創新性推出“激光預劃+機械精切”復合方案：先以激光在晶圓表面形成引導槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結合激光精度與刀切效率，解決化合物半導體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯動補償系統，通過實時監測晶圓形變動態調整切割參數。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內，支持3DNAND多層堆疊結構加工。連云港晶圓切割藍膜