先進制程流片面臨技術門檻高、產能緊張等問題，中清航科憑借與先進晶圓廠的深度合作，構建起獨特的先進制程流片代理能力。針對7nm及以下工藝，組建由前晶圓廠工程師組成的技術團隊，能為客戶提供從設計規則解讀、DFM分析到工藝參數優化的全流程支持。在EUV光刻環節，中清航科的技術人員可協助客戶優化光刻膠選擇與曝光參數，使EUV層的良率提升10%以上。為應對先進制程流片的高成本問題，推出階梯式付款方案，將流片費用分為設計審核、掩膜制作、晶圓生產、測試等階段支付，緩解客戶的資金壓力。目前已代理50余款先進制程芯片流片項目，涉及AI芯片、高性能處理器等領域，幫助客戶縮短先進制程產品的上市周期。中清航科支持10片工程批流片，快速驗證設計修正。舟山臺積電 MPW流片代理

在芯片設計企業的研發周期不斷壓縮的當下，快速流片成為搶占市場的關鍵。中清航科推出的“極速流片通道”，針對28nm及以上成熟制程，可將傳統12周的流片周期縮短至8周，其中掩膜版制備環節通過與掩膜廠的聯合調度，實現48小時快速出片。同時配備專屬項目經理全程跟進，建立7×24小時進度通報機制，讓客戶實時掌握流片各階段狀態，確保研發項目按時推進。面對不同類型芯片的流片需求，中清航科提供定制化代理服務。針對車規級芯片，其建立了符合AEC-Q100標準的全流程管控體系，從晶圓廠選擇、工藝參數鎖定到可靠性測試，均嚴格遵循汽車電子質量管理規范，已成功代理超過50款車規MCU的流片項目。對于AI芯片等產品，則依托與先進制程晶圓廠的合作優勢，提供CoWoS、InFO等先進封裝流片一站式服務。麗水TSMC 12nm流片代理中清航科高校流片計劃，教育機構專享MPW補貼30%。

流片代理服務中的專利布局支持是中清航科的特色服務之一。其知識產權團隊會在流片前對客戶的設計方案進行專利檢索與分析，識別潛在的專利侵權風險，并提供規避設計建議；流片完成后，協助客戶整理流片過程中的技術創新點，提供專利申請策略建議。通過該服務，客戶的專利申請通過率提升35%，專利侵權風險降低60%，某AI芯片客戶在其幫助下，成功申請了15項流片相關的發明專利。針對較低功耗芯片的流片需求，中清航科開發了專項工藝優化方案。通過與晶圓廠合作調整摻雜濃度、優化柵氧厚度等工藝參數，幫助客戶降低芯片的靜態功耗與動態功耗。引入較低功耗測試系統，能精確測量芯片在不同工作模式下的功耗特性，電流測量精度達到10pA。已成功代理多個物聯網較低功耗芯片的流片項目，使產品的待機電流降低至100nA以下，續航能力提升50%。

流片過程中的掩膜版管理是保證流片質量的關鍵，中清航科推出專業的掩膜版全生命周期管理服務。從掩膜版設計審核、制作跟蹤到存儲管理、復用規劃，提供一站式解決方案。其建立了恒溫恒濕的掩膜版存儲倉庫，配備先進的掩膜版檢測設備，定期對掩膜版進行質量檢查與維護，確保掩膜版的使用壽命延長30%。通過掩膜版復用管理系統，合理規劃掩膜版的使用次數與范圍，使客戶的掩膜版成本降低25%。針對模擬芯片流片的特殊要求，中清航科組建了模擬電路團隊。該團隊熟悉高精度運放、電源管理芯片等模擬器件的流片工藝，能為客戶提供器件模型優化、版圖布局建議、工藝參數選擇等專業服務。通過與晶圓廠的模擬工藝合作，共同解決模擬芯片的匹配性、溫度漂移等關鍵問題，使模擬芯片的性能參數一致性提升20%，某客戶的高精度ADC芯片通過該服務，流片后的線性誤差降低至0.5LSB。中清航科失效分析報告，含FIB/SEM/TEM三級診斷結論。

車規級芯片的流片要求遠高于消費級產品，中清航科為此構建了符合IATF16949標準的車規流片代理體系。在晶圓廠選擇上，只與通過AEC-Q100認證的生產基地合作，確保從源頭把控質量。流片過程中，實施全流程參數鎖定，關鍵工藝參數的波動范圍控制在±2%以內，同時每批次抽取30%的晶圓進行額外可靠性測試，包括高溫反偏、溫度循環、濕熱測試等。針對車規芯片的長生命周期特性，中清航科與晶圓廠簽訂長期供貨協議，保障產品在15年內的持續供應能力。截至目前，已成功代理超過120款車規芯片的流片項目，涵蓋MCU、功率器件、傳感器等品類，客戶包括多家頭部汽車電子企業，流片產品的場失效率控制在0.5ppm以下。中清航科IP授權代理，集成300+驗證硅核縮短開發周期。江蘇TSMC 12nm流片代理

通過中清航科MPW服務，中小客戶芯片試制成本降低70%以上。舟山臺積電 MPW流片代理

流片成本控制是設計企業關注的中心問題，中清航科通過規模采購與工藝優化實現成本優化。其整合行業內500余家設計公司的流片需求，形成規?；少弮瀯?，單批次流片費用較企業單獨采購降低15-20%。同時通過多項目晶圓（MPW）拼片服務，將小批量試產成本分攤至多個客戶，使初創企業的首輪流片成本降低60%，加速產品從設計到量產的轉化。流片過程中的工藝參數優化直接影響芯片性能，中清航科組建了由20位工藝工程師組成的技術團隊，平均擁有15年以上晶圓廠工作經驗。在流片前會對客戶的GDSII文件進行多方面審查，重點優化光刻對準精度、蝕刻深度均勻性等關鍵參數，確保芯片電性能參數偏差控制在設計值的±5%以內。針對射頻芯片等特殊品類，還可提供定制化的工藝參數庫，保障高頻性能達標。舟山臺積電 MPW流片代理