大規(guī)模量產(chǎn)場景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動切割生產(chǎn)線，集成自動上下料、在線檢測與NG品分揀功能，單臺設(shè)備每小時可處理30片12英寸晶圓，且通過工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺實現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控，設(shè)備綜合效率（OEE）提升至90%以上，明顯降低人工干預帶來的質(zhì)量波動。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至50-100μm，切割過程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù)，通過局部深冷處理增強晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于20μm，為先進封裝工藝提供可靠的晶圓預處理保障。晶圓切割大數(shù)據(jù)平臺中清航科開發(fā)，實時分析10萬+工藝參數(shù)。碳化硅半導體晶圓切割廠

晶圓切割的主要目標之一是從每片晶圓中獲得高產(chǎn)量的、功能完整且無損的芯片。產(chǎn)量是半導體制造中的一個關(guān)鍵性能指標，因為它直接影響電子器件生產(chǎn)的成本和效率。更高的產(chǎn)量意味著每個芯片的成本更造能力更大，制造商更能滿足不斷增長的電子器件需求。晶圓切割直接影響到包含這些分離芯片的電子器件的整體性能。切割過程的精度和準確性需要確保每個芯片按照設(shè)計規(guī)格分離，尺寸和對準的變化小。這種精度對于在終設(shè)備中實現(xiàn)比較好電氣性能、熱管理和機械穩(wěn)定性至關(guān)重要。南通12英寸半導體晶圓切割測試晶圓切割培訓課程中清航科每月開放，已認證工程師超800名。

隨著芯片輕薄化趨勢，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設(shè)備采用漸進式壓力控制技術(shù)，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經(jīng)背面研磨后自動分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應(yīng)用于5G射頻模塊量產(chǎn)線。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級過濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風險。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定，延長刀片壽命200小時以上呢。

在晶圓切割的產(chǎn)能規(guī)劃方面，中清航科為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)能評估服務(wù)。通過產(chǎn)能模擬軟件，根據(jù)客戶的晶圓規(guī)格、日產(chǎn)量需求、設(shè)備利用率等參數(shù)，精確計算所需設(shè)備數(shù)量與配置方案，并提供投資回報分析，幫助客戶優(yōu)化設(shè)備采購決策，避免產(chǎn)能過剩或不足的問題。針對晶圓切割過程中可能出現(xiàn)的異常情況，中清航科開發(fā)了智能應(yīng)急處理系統(tǒng)。設(shè)備可自動識別切割偏差過大、晶圓破裂等異常狀態(tài)，并根據(jù)預設(shè)方案采取緊急停機、廢料處理等措施，同時自動保存異常發(fā)生前的工藝數(shù)據(jù)，為后續(xù)問題分析提供依據(jù)，比較大限度減少損失。中清航科納米涂層刀片壽命延長3倍，單刀切割達500片。

中清航科設(shè)備搭載AI參數(shù)推薦引擎，通過分析晶圓MAP圖自動匹配切割速度、進給量及冷卻流量。機器學習模型基于10萬+案例庫持續(xù)優(yōu)化，將工藝調(diào)試時間從48小時縮短至2小時，快速響應(yīng)客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大，傳統(tǒng)切割良率不足80%。中清航科采用激光誘導劈裂技術(shù)（LIPS），通過精確控制激光熱影響區(qū)引發(fā)材料沿晶向解理，切割速度達200mm/s，崩邊<10μm，滿足新能源汽車功率器件嚴苛標準。中清航科提供從晶圓貼膜、切割到清洗的全流程自動化方案。機械手聯(lián)動精度±5μm，兼容SECS/GEM協(xié)議實現(xiàn)MES系統(tǒng)對接。模塊化設(shè)計支持產(chǎn)能彈性擴展，單線UPH（每小時產(chǎn)能）提升至120片，人力成本降低70%。中清航科切割工藝白皮書下載量超10萬次，成行業(yè)參考標準。南通12英寸半導體晶圓切割測試

中清航科全自動切割線配備AI視覺定位，精度達±1.5μm。碳化硅半導體晶圓切割廠

中清航科開放6條全自動切割產(chǎn)線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統(tǒng)實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應(yīng)用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區(qū)，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數(shù)組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數(shù)包，工藝開發(fā)周期縮短90%。碳化硅半導體晶圓切割廠