半導體晶圓的制造過程制造過程始于一個大型單晶硅的生產（晶錠），制造方法包括直拉法與區熔法，這兩種方法都涉及從高純度硅熔池中控制硅晶體的生長。一旦晶錠生產出來，就需要用精密金剛石鋸將其切成薄片狀晶圓。隨后晶圓被拋光以達到鏡面般的光滑，確保在后續制造工藝中表面無缺陷。接著，晶圓會經歷一系列復雜的制造步驟，包括光刻、蝕刻和摻雜，這些步驟在晶圓表面上形成晶體管、電阻、電容和互連的復雜圖案。這些圖案在多個層上形成，每一層在電子器件中都有特定的功能。制造過程完成后，晶圓經過晶圓切割分離出單個芯片，芯片會被封裝并測試，集成到電子器件和系統中。中清航科切割實驗室開放合作，已助力30家企業工藝升級。溫州sic晶圓切割寬度

在晶圓切割設備的自動化升級浪潮中，中清航科走在行業前列。其新推出的智能切割單元，可與前端光刻設備、后端封裝設備實現無縫對接，通過SECS/GEM協議完成數據交互，實現半導體生產全流程的自動化閉環。該單元還具備自我診斷功能，能提前預警潛在故障，將非計劃停機時間減少60%，為大規模生產提供堅實保障。對于小尺寸晶圓的切割，傳統設備往往面臨定位難、效率低的問題。中清航科專門設計了針對2-6英寸小晶圓的切割工作站，采用多工位旋轉工作臺，可同時處理8片小晶圓，切割效率較單工位設備提升4倍。配合特制的彈性吸盤，能有效避免小晶圓吸附時的損傷，特別適合MEMS傳感器、射頻芯片等小批量高精度產品的生產。溫州sic晶圓切割寬度8小時連續切割驗證：中清航科設備溫度波動≤±0.5℃。

中清航科動態線寬控制系統利用實時共焦傳感器監測切割槽形貌，通過AI算法自動補償刀具磨損導致的線寬偏差（精度±0.8μm）。該技術使12英寸晶圓切割道均勻性提升至97%，芯片產出量增加5.3%，年節省材料成本超$150萬。針對消費電子量產需求，中清航科開發多光束并行切割引擎。6路紫外激光（波長355nm）通過衍射光學元件分束，同步切割效率提升400%，UPH突破300片（12英寸），單顆芯片加工成本下降至$0.003。先進制程芯片的低k介質層易在切割中剝落。中清航科采用局部真空吸附+低溫氮氣幕技術，在切割區形成-30℃微環境，結合納米涂層刀具，介質層破損率降低至0.01ppm，通過3nm芯片可靠性驗證。

晶圓切割/裂片是芯片制造過程中的重要工序，屬于先進封裝(advancedpackaging)的后端工藝(back-end)之一，該工序可以將晶圓分割成單個芯片，用于隨后的芯片鍵合。隨著技術的不斷發展，對高性能和更小型電子器件的需求增加，晶圓切割/裂片精度及效率控制日益不可或缺。晶圓切割的重要性在于它能夠在不損壞嵌入其中的精細結構和電路的情況下分離單個芯片，成功與否取決于分離出來的芯片的質量和產量，以及整個過程的效率。為了實現這些目標，目前已經開發了多種切割技術，每種技術都有其獨特的優點和缺點。針對碳化硅晶圓，中清航科激光改質切割技術突破硬度限制。

8英寸晶圓在功率半導體、MEMS等領域仍占據重要市場份額，中清航科針對這類成熟制程開發的切割設備，兼顧效率與性價比。設備采用雙主軸并行切割設計，每小時可加工40片8英寸晶圓，且通過優化機械結構降低振動噪聲至65分貝以下，為車間創造更友好的工作環境，深受中小半導體企業的青睞。晶圓切割工藝的數字化轉型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設備內置工業物聯網模塊，可實時采集切割壓力、溫度、速度等100余項工藝參數，通過邊緣計算節點進行實時分析，生成工藝優化建議。客戶可通過云端平臺查看生產報表與趨勢分析，實現基于數據的精細化管理。中清航科推出晶圓切割應力模擬軟件，提前預判崩邊風險。無錫sic晶圓切割測試

晶圓切割MES系統中清航科定制，實時追蹤每片切割工藝參數。溫州sic晶圓切割寬度

中清航科注重與科研機構的合作創新，與國內多所高校共建半導體切割技術聯合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術開展研究，如原子層切割、超高頻激光切割等，已申請發明專利50余項，其中“一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法”獲得國家發明專利金獎，推動行業技術進步。晶圓切割設備的軟件系統是其智能化的中心，中清航科自主開發了切割控制軟件，具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導入，可自動生成切割路徑，同時提供離線編程功能，可在不影響設備運行的情況下完成新程序的編制與模擬，提高設備利用率。溫州sic晶圓切割寬度