大規模量產場景中，晶圓切割的穩定性與一致性至關重要。中清航科推出的全自動切割生產線，集成自動上下料、在線檢測與 NG 品分揀功能，單臺設備每小時可處理 30 片 12 英寸晶圓，且通過工業互聯網平臺實現多設備協同管控，設備綜合效率（OEE）提升至 90% 以上，明顯降低人工干預帶來的質量波動。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發展，目前主流晶圓厚度已降至 50-100μm，切割過程中極易產生變形與破損。中清航科創新采用低溫輔助切割技術，通過局部深冷處理增強晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于 20μm，為先進封裝工藝提供可靠的晶圓預處理保障。中清航科等離子切割技術處理氮化鎵晶圓，熱影響區減少60%。宿遷sic晶圓切割

為滿足汽車電子追溯要求，中清航科在切割機集成區塊鏈模塊。每片晶圓生成單獨工藝參數數字指紋（含切割速度、溫度、振動數據），直通客戶MES系統，實現零缺陷溯源。面向下一代功率器件，中清航科開發等離子體輔助切割（PAC）。利用微波激發氧等離子體軟化切割區材料，同步機械分離，切割效率較傳統方案提升5倍，成本降低60%。邊緣失效區（Edge Exclusion Zone）浪費高達3%晶圓面積。中清航科高精度邊緣定位系統通過AI識別有效電路邊界，定制化切除輪廓，使8英寸晶圓可用面積增加2.1%，年省材料成本數百萬。

中清航科飛秒激光雙光子聚合技術：在PDMS基板上直寫三維微流道（最小寬度15μm），切割精度達±0.25μm，替代傳統光刻工藝，開發成本降低80%。中清航科推出“切割即服務”（DaaS）：客戶按實際切割面積付費（$0.35/英寸），包含設備/耗材/維護全包。初始投入降低90%，產能彈性伸縮±50%，適配訂單波動。中清航科共聚焦激光測距系統實時監測切割深度（分辨率0.1μm），閉環控制切入量。將150μm晶圓切割深度誤差壓縮至±2μm，背面研磨時間減少40%。

中清航科開放6條全自動切割產線，支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統實時追蹤進度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護，在銅-硅界面形成納米級熔融區，剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數組合?？蛻糨斎刖A類型/厚度/目標良率，自動生成比較好參數包，工藝開發周期縮短90%。

中清航科創新性推出“激光預劃+機械精切”復合方案：先以激光在晶圓表面形成引導槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結合激光精度與刀切效率，解決化合物半導體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯動補償系統，通過實時監測晶圓形變動態調整切割參數。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內，支持3D NAND多層堆疊結構加工。中清航科推出切割機租賃服務，降低客戶初期投入成本。湖州砷化鎵晶圓切割代工廠

中清航科納米涂層刀片壽命延長3倍，單刀切割達500片。宿遷sic晶圓切割

為滿足半導體行業的快速交付需求，中清航科建立了高效的設備生產與交付體系。采用柔性化生產模式，標準型號切割設備可實現 7 天內快速發貨，定制化設備交付周期控制在 30 天以內。同時提供門到門安裝調試服務，配備專業技術團隊全程跟進，確保設備快速投產。在晶圓切割的工藝參數優化方面，中清航科引入實驗設計（DOE）方法。通過多因素正交試驗，系統分析激光功率、切割速度、焦點位置等參數對切割質量的影響，建立參數優化模型，可在 20 組實驗內找到比較好工藝組合，較傳統試錯法減少 60% 的實驗次數，加速新工藝開發進程。宿遷sic晶圓切割

中清航科（江蘇）科技有限公司是一家有著雄厚實力背景、信譽可靠、勵精圖治、展望未來、有夢想有目標，有組織有體系的公司，堅持于帶領員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍圖，在江蘇省等地區的數碼、電腦行業中積累了大批忠誠的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發展奠定的良好的行業基礎，也希望未來公司能成為*****，努力為行業領域的發展奉獻出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態度和不斷的完善創新理念以及自強不息，斗志昂揚的的企業精神將**中清航科科技供應和您一起攜手步入輝煌，共創佳績，一直以來，公司貫徹執行科學管理、創新發展、誠實守信的方針，員工精誠努力，協同奮取，以品質、服務來贏得市場，我們一直在路上！