SmartView®NT自動鍵合對準系統，用于通用對準。全自動鍵合對準系統，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在lingxian技術的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要。SmartView技術可以與GEMINI晶圓鍵合系統結合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征：適合于自動化和集成EVG鍵合系統（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。新疆鍵合機三維芯片應用

晶圓級封裝的實現可以帶來許多經濟利益。它允許晶圓制造，封裝和測試的集成，從而簡化制造過程。縮短的制造周期時間可提高生產量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節省材料并進一步降低生產成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產品中。晶圓級封裝的主要市場驅動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機，可以實現晶圓級封裝的功能。 EVG850 TB鍵合機國內用戶EVG晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢？

EVG®810LT LowTemp?等離子基活系統 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統是具有手動操作的單腔獨力單元。處理室允許進行異位處理（晶圓被一一基活并結合在等離子體基活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結（熔融/分子和中間層粘結） 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學，無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結強度 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）

EVG®850TB 自動化臨時鍵合系統 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上特色技術數據 全自動的臨時鍵合系統可在一個自動化工具中實現整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加，烘焙，將設備晶圓與載體晶圓的對準和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣，設備布局是模塊化的，這意味著可以根據特定過程對吞吐量進行優化。可選的在線計量模塊允許通過反饋回路進行全過程監控和參數優化。 由于EVG的開放平臺，因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶。EVG501鍵合機：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數據記錄。

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發生氧化時就會影響鍵合質量。EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，用來執行隨后的鍵合過程。湖北官方授權經銷鍵合機

EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。新疆鍵合機三維芯片應用

EVG®850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標準工藝氣體：N2和O2以及2種其他工藝氣體：高純度氣體（99.999％），稀有氣體（Ar，He，Ne等）和形成氣體（N2，Ar含量蕞/高為4％的氣體）2） 通用質量流量控制器：蕞多可對4種工藝氣體進行自校準，可對配方進行編程，流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件），高頻RF發生器和匹配單元 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成 清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質線（1個超音速系統使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站。新疆鍵合機三維芯片應用