UV納米壓印光刻系統EVG®610/EVG®620NT/EVG®6200NT：具有紫外線納米壓印功能的通用掩模對準系統■高精度對準臺■自動楔形誤差補償機制■電動和程序控制的曝光間隙■支持蕞新的UV-LED技術■蕞小化系統占地面積和設施要求EVG®720/EVG®7200/EVG®7200LA：自動化的全場納米壓印解決方案，適用于第3代基材■體積驗證的壓印技術，具有出色的復制保真度■專有的SmartNIL®技術和多用途聚合物印章技術■集成式壓印，UV固化，脫模和工作印模制作■盒帶間自動處理以及半自動研發模式■適用于所有市售壓印材料的開放平臺在納米生物傳感器中，納米壓印可以用于制備納米級的生物傳感器，用于檢測生物分子的存在和濃度。芯片納米壓印輪廓測量應用

EVG®770分步重復納米壓印光刻系統分步重復納米壓印光刻技術，可進行有效的母版制作EVG770是用于步進式納米壓印光刻的通用平臺，可用于有效地進行母版制作或對基板上的復雜結構進行直接圖案化。這種方法允許從蕞大50mmx50mm的小模具到蕞大300mm基板尺寸的大面積均勻復制模板。與鉆石車削或直接寫入方法相結合，分步重復刻印通常用于有效地制造晶圓級光學器件制造或EVG的SmartNIL工藝所需的母版。EVG770的主要功能包括精確的對準功能，完整的過程控制以及可滿足各種設備和應用需求的靈活性。芯片納米壓印輪廓測量應用納米壓印技術具有高效、低成本、高精度等優點，可以實現大規模的納米結構制備。

NIL300mmEV集團企業技術開發和知識產權總監MarkusWimplinger表示：“EVG的NILPhotonics能力中心成立于2014年，為光刻/納米壓印技術供應鏈中的各個合作伙伴和公司與EVG合作提供了一個開放式的創新孵化器，從而縮短創新光子器件和應用的開發周期和上市時間。我們很高興與肖特公司合作，證明EVG光刻/納米壓印技術解決方案的價值，不僅有助于新技術和新工藝的開發，還能夠加速新技術和新工藝在大眾市場中的采用。我們正在攜手肖特開展的工作，彰顯了光刻/納米壓印技術設備和工藝的成熟性，為各種令人興奮的基于光子學的新產品和新應用的300-mm制造奠定了基礎。”SCHOTTRealView?高折射率玻璃晶圓是領仙AR/MR設備的關鍵組件，已經實現了批量生產。產品組合提供了高達，支持深度沉浸的AR/MR應用，視野更廣，高達65度。在與增強現實硬件制造商進行多年研發之后，肖特在2018年推出了弟一代SCHOTTRealView?。這款膏端產品在上市一年后便榮獲了享有盛譽的2019年SID顯示行業獎（SIDDisplayIndustryAward2019）。關于肖特肖特是特種玻璃、微晶玻璃和相關高科技材料領域的領仙國際技術集團。公司積累了超過130年的經驗，是眾多行業的創新合作伙伴。

具體說來就是，MOSFET能夠有效地產生電流流動，因為標準的半導體制造技術旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來或正或負的電荷），以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時會泄到別的不需要的地方，那樣就創造出了所謂的“短溝道效應”區域，并導致性能下降。一個典型MOSFET不同層級的剖面圖。不過威斯康星大學麥迪遜分校已經同全美多個合作伙伴攜手（包括密歇根大學、德克薩斯大學、以及加州大學伯克利分校等），開發出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導體品質的新技術。研究人員通過電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來更加“物理可控”的生產過程。（來自網絡。EVG的EVG ? 620 NT是智能NIL ? UV納米壓印光刻系統。

納米壓印設備哪個好？預墨印章用于將材料以明顯的圖案轉移到基材上。該技術用于表面化學的局部修飾或捕獲分子在生物傳感器制造中的精確放置。納米壓印設備可以進行熱壓花、加壓加熱、印章、聚合物、基板、附加沖壓成型脫模。將聚合物片或旋涂聚合物加熱到其玻璃化轉變溫度以上，從而將材料轉變為粘性狀態。然后以足夠的力將壓模壓入聚合物中。岱美作為EVG在中國區的代理商，歡迎各位聯系我們，探討納米壓印光刻的相關知識。我們愿意與您共同進步。SmartNIL 非常適合對具有復雜納米結構微流控芯片進行高精度圖案化，用在下一代藥 物研究和醫學診斷設備生產。芯片納米壓印輪廓測量應用

SmartNIL集成了多次使用的軟標記處理功能，因此還可以實現無人可比的吞吐量。芯片納米壓印輪廓測量應用

EVG®720特征：體積驗證的壓印技術，具有出色的復制保真度專有SmartNIL®技術，多使用聚合物印模技術集成式壓印，UV固化脫模和工作印模制造盒帶到盒帶自動處理以及半自動研發模式可選的頂部對準可選的迷你環境適用于所有市售壓印材料的開放平臺從研發到生產的可擴展性系統外殼，可實現ZUI佳過程穩定性和可靠性技術數據晶圓直徑（基板尺寸）75至150毫米解析度：≤40nm（分辨率取決于模板和工藝）支持流程：SmartNIL®曝光源：大功率LED（i線）>400mW/cm2對準：可選的頂部對準自動分離：支持的迷你環境和氣候控制：可選的工作印章制作：支持的芯片納米壓印輪廓測量應用