更可加裝至三個探頭，同時測量三個樣品，具紫外線區(qū)或標準波長可供選擇。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外，可提供*小5um光點(100倍放大倍數(shù))來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動XY工作臺，由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通過快速掃瞄功能，可取得整片樣品厚度分布情況(mapping)。F70:瑾通過在F20基本平臺上增加鏡頭，使用Filmetrics*新的顏色編碼厚度測量法（CTM），把設備的測量范圍極大的拓展至。F10-RT：在F20實現(xiàn)反射率跟穿透率的同時測量，特殊光源設計特別適用于透明基底樣品的測量。PARTS：在垂直入射光源基礎上增加70o光源，特別適用于超薄膜層厚度和n、k值測量。**膜厚測量儀系統(tǒng)F20使用F20**分光計系統(tǒng)可以簡便快速的測量厚度和光學參數(shù)（n和k）。您可以在幾秒鐘內(nèi)通過薄膜上下面的反射比的頻譜分析得到厚度、折射率和消光系數(shù)。任何具備基本電腦技術(shù)的人都能在幾分鐘內(nèi)將整個桌面系統(tǒng)組裝起來。F20包括所有測量需要的部件：分光計、光源、光纖導線、鏡頭集和和Windows下運行的軟件。您需要的只是接上您的電腦。膜層實例幾乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能測。包括：sio2（二氧化硅）sinx（氮化硅）dlc（類金剛石碳）photoresist。F50-NIR測厚范圍：100nm-250μm；波長：950-1700nm。四川膜厚儀質(zhì)量怎么樣

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度膜厚儀摩擦學應用F50-XT測厚范圍：0.2μm-450μm；波長：1440-1690nm。

FSM413SPANDFSM413C2C紅外干涉測量設備適用于所有可讓紅外線通過的材料：硅、藍寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應用:襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)平整度厚度變化(TTV)溝槽深度過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度粗糙度薄膜厚度不同半導體材料的厚度環(huán)氧樹脂厚度襯底翹曲度晶圓凸點高度(bumpheight)MEMS薄膜測量TSV深度、側(cè)壁角度...FSM413SP半自動機臺人工取放芯片Wafer厚度3D圖形FSM413C2CFullyautomatic全自動機臺人工取放芯片可適配Cassette、SMIFPOD、FOUP.

    （光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實例：對于厚度測量，大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對于光學常數(shù)測量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應用半導體制造液晶顯示器光學鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動來分析光譜反射率數(shù)據(jù)。標準配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準確度大于％或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素燈。 紅外干涉測量技術(shù)，非接觸式測量。

樣品視頻包括硬件和照相機的F20系統(tǒng)視頻。視頻實時顯示精確測量點。 不包括SS-3平臺。SampleCam-sXsX探頭攝像機包含改裝的sX探頭光學配件，但不包含平臺。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 樣品平臺，具有SS-3鏡頭與38mm的精密XY平移聚焦平臺。能夠升級成電動測繪與自動對焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全電動樣品平臺?？梢赃M行100mm高精度XY平移，包括自動焦距調(diào)節(jié)。SS-Microscope- UVX-1顯微鏡（15倍反射式物鏡）及X-Y平臺。 包含UV光源與照明光纖。SS-Microscope- EXR-1顯微鏡包含X- Y平臺及照明光纖. 需另選購物鏡. 通常使用顯微鏡內(nèi)建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或彎曲表面的透射平臺，包括光纖，和 F10-AR 一起使用。 波長范圍 250nm -2500nm。T-1SS-3 平臺的透射測量可選件。包括光纖、平臺轉(zhuǎn)接器和平臺支架。 用于平坦的樣品。WS-300用于小于 300mm 樣品的平移旋轉(zhuǎn)平臺。F3-sX系列使用近紅外光來測量薄膜厚度，即使有許多肉眼看來不透光(例如半導體)。湖北膜厚儀推薦產(chǎn)品

膜厚儀廣泛應用于材料科學、光學、電子、化工等領(lǐng)域，用于質(zhì)量控制、研發(fā)和生產(chǎn)過程中的膜厚測量。四川膜厚儀質(zhì)量怎么樣

厚度測量產(chǎn)品：我們的膜厚測量產(chǎn)品可適用于各種應用。我們大部分的產(chǎn)品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網(wǎng)頁產(chǎn)品資訊或聯(lián)系我們的應用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協(xié)助。單點厚度測量：一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層薄膜堆。大多數(shù)產(chǎn)品都有庫存而且可立即出貨。Thetametrisis膜厚儀有各種不同附件和波長覆蓋范圍。微米(顯微)級別光斑尺寸厚度測量當測量斑點只有1微米（μm）時，需要用您自己的顯微鏡或者用我們提供的整個系統(tǒng)。四川膜厚儀質(zhì)量怎么樣