目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層發生氧化就會影響鍵合質量。同時，EVG研發生產的GEMINI系統是使用晶圓鍵合的量產應用的行業標準。江蘇圖像傳感器鍵合機

半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產品的更嚴格的晶圓間鍵合規范。imec3D系統集成兼項目總監兼EricBeyne表示：“在imec，我們相信3D技術的力量將為半導體行業創造新的機遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它?！疤貏e關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EVGroup等行業合作伙伴的合作取得了優異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業界標準間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！碧旖駿VG810 LT鍵合機EVG服務：高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

EVG®810LT技術數據晶圓直徑（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）通用質量流量控制器：自校準（高達20.000sccm）真空系統：9x10-2mbar腔室的打開/關閉：自動化腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）可選功能：卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統：9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結的材料系統Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/Si（熱氧化）TEOS/TEOS（熱氧化）絕緣體鍺（GeOI）的Si/GeSi/Si3N4玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃化合物半導體：GaAs，GaP，InP聚合物：PMMA，環烯烴聚合物用戶可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方（可根據要求提供完整列表）

BONDSCALE與EVG的行業基準GEMINIFBXT自動熔融系統一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區。特征：在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現不同材料，高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產熔融系統的技術數據晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米ZUI高數量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統4個裝載口特征：多達八個預處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對準驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM（設備前端模塊）實現ZUI高吞吐量光學邊緣對準模塊：Xmax/Ymax=18μm3σEVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。

EVG®510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設計和配置，用于研究和試生產 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級用于陽極鍵合 開室設計，易于轉換和維護 生產兼容 高通量，具有快速加熱和泵送規格 通過自動楔形補償實現高產量 開室設計，可快速轉換和維護 200mm鍵合系統的蕞小占地面積：0.8m2 程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容 技術數據 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準：0.1毫巴 可選：1E-5mbar在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。EVG501鍵合機服務為先

Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進行晶圓對準。江蘇圖像傳感器鍵合機

鍵合機特征 高真空，對準，共價鍵合 在高真空環境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數據 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond®基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 高達200毫米江蘇圖像傳感器鍵合機

岱美儀器技術服務（上海）有限公司目前已成為一家集產品研發、生產、銷售相結合的貿易型企業。公司成立于2002-02-07，自成立以來一直秉承自我研發與技術引進相結合的科技發展戰略。公司主要經營半導體工藝設備，半導體測量設備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀等，我們始終堅持以可靠的產品質量，良好的服務理念，優惠的服務價格誠信和讓利于客戶，堅持用自己的服務去打動客戶。依托成熟的產品資源和渠道資源，向全國生產、銷售半導體工藝設備，半導體測量設備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀產品，經過多年的沉淀和發展已經形成了科學的管理制度、豐富的產品類型。岱美儀器技術服務（上海）有限公司通過多年的深耕細作，企業已通過儀器儀表質量體系認證，確保公司各類產品以高技術、高性能、高精密度服務于廣大客戶。歡迎各界朋友蒞臨參觀、 指導和業務洽談。